JP2786249B2 - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JP2786249B2 JP2786249B2 JP12885289A JP12885289A JP2786249B2 JP 2786249 B2 JP2786249 B2 JP 2786249B2 JP 12885289 A JP12885289 A JP 12885289A JP 12885289 A JP12885289 A JP 12885289A JP 2786249 B2 JP2786249 B2 JP 2786249B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum processing
- processing chamber
- temperature
- atmosphere
- opening
- Prior art date
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空処理装置に係り、特に半導体素子基板
等の試料を０℃以下の温度でエッチング，成膜，改質等
の真空処理するのに好適な真空処理装置に関するもので
ある。
等の試料を０℃以下の温度でエッチング，成膜，改質等
の真空処理するのに好適な真空処理装置に関するもので
ある。
半導体素子基板等の試料を０℃以下の温度で真空処理
する装置としては、例えば、特開昭63−141316号公報に
記載のようなものが知られている。
する装置としては、例えば、特開昭63−141316号公報に
記載のようなものが知られている。
試料が０℃以下の温度で真空処理される真空処理室内
を、何等かの理由、例えば、メンテナンス等により、例
えば、大気開放する必要が生じた場合、この状態、つま
り、真空処理室内の被冷却手段が０℃以下の温度を保持
した状態で真空処理室内を大気開放すると上記被冷却手
段に大気中の水分が霜または露となって付着し、このた
め、真空処理室内を再び所定圧力に減圧排気するのが困
難となり容易に所定圧力に減圧排気できなくなる。これ
を防止するためには、上記被冷却手段を大気中の水分の
露点温度以上の温度に温度復帰させれば良いが、しか
し、上記被冷却手段が大気中の水分の露点温度以上の温
度に温度復帰する以前に真空処理室内が大気開放させら
れるといった誤操作を生じる危険性があった。
を、何等かの理由、例えば、メンテナンス等により、例
えば、大気開放する必要が生じた場合、この状態、つま
り、真空処理室内の被冷却手段が０℃以下の温度を保持
した状態で真空処理室内を大気開放すると上記被冷却手
段に大気中の水分が霜または露となって付着し、このた
め、真空処理室内を再び所定圧力に減圧排気するのが困
難となり容易に所定圧力に減圧排気できなくなる。これ
を防止するためには、上記被冷却手段を大気中の水分の
露点温度以上の温度に温度復帰させれば良いが、しか
し、上記被冷却手段が大気中の水分の露点温度以上の温
度に温度復帰する以前に真空処理室内が大気開放させら
れるといった誤操作を生じる危険性があった。
しかしながら、上記従来技術では、このような問題に
ついては、何等、配慮がされていない。
ついては、何等、配慮がされていない。
本発明の主な目的は、安全，確実、かつ、容易に真空
処理室内を減圧排気できる真空処理装置を提供すること
にある。
処理室内を減圧排気できる真空処理装置を提供すること
にある。
上記主な目的は、真空処理室と、該真空処理室内に設
けられ温度が０℃以下に冷却される被冷却手段と、該被
冷却手段を加温する加温手段と、被冷却手段の温度を検
知し該検知温度が真空処理室外部の雰囲気ガスの露点温
度以上になった時点で真空処理室内外を連通可能とさせ
る連通手段とを具備することにより、達成される。
けられ温度が０℃以下に冷却される被冷却手段と、該被
冷却手段を加温する加温手段と、被冷却手段の温度を検
知し該検知温度が真空処理室外部の雰囲気ガスの露点温
度以上になった時点で真空処理室内外を連通可能とさせ
る連通手段とを具備することにより、達成される。
冷却手段により真空処理室内の被冷却手段、例えば、
試料台，試料固定手段，試料搬送，保持手段，真空処理
室内壁等は、０℃以下の温度に冷却される。真空処理室
内と真空処理室外雰囲気とを連通させる必要が生じた場
合、例えば、メンテナンス等により真空処理室内を大気
開放させる必要が生じた場合、加温手段により上記被冷
却手段は加温される。このように加温されている被冷却
手段の温度は、真空処理室内外連通手段により検知され
る。該検知温度が、真空処理室外部の雰囲気ガスの露点
温度以上の温度、例えば、大気中の水分の露点温度以上
の温度になった時点で上記真空処理室内外連通手段によ
り真空処理室内は真空処理室外と連通可能、例えば、真
空処理室内は大気開放可能とされ、真空処理室内は大気
開放される。
試料台，試料固定手段，試料搬送，保持手段，真空処理
室内壁等は、０℃以下の温度に冷却される。真空処理室
内と真空処理室外雰囲気とを連通させる必要が生じた場
合、例えば、メンテナンス等により真空処理室内を大気
開放させる必要が生じた場合、加温手段により上記被冷
却手段は加温される。このように加温されている被冷却
手段の温度は、真空処理室内外連通手段により検知され
る。該検知温度が、真空処理室外部の雰囲気ガスの露点
温度以上の温度、例えば、大気中の水分の露点温度以上
の温度になった時点で上記真空処理室内外連通手段によ
り真空処理室内は真空処理室外と連通可能、例えば、真
空処理室内は大気開放可能とされ、真空処理室内は大気
開放される。
このように、真空処理室内と真空処理室外雰囲気とを
連通させる必要が生じた場合、真空処理室内の被冷却手
段の温度が真空処理室外雰囲気ガスの露点温度以上の温
度になったことを確認して、その後、真空処理室内を真
空処理室外雰囲気と連通させるようにしているので、被
冷却手段が真空処理室外雰囲気ガスの露点温度以上の温
度に温度復帰する以前に真空処理室内が真空処理室外雰
囲気と連通させられるといった誤操作を生じる危険性を
排除でき、また、これと共に、被冷却手段への真空処理
室外雰囲気ガスの結露，結霜を防止できるので、真空処
理室内を再び所定圧力に減圧排気する上での困難性を除
去できる。
連通させる必要が生じた場合、真空処理室内の被冷却手
段の温度が真空処理室外雰囲気ガスの露点温度以上の温
度になったことを確認して、その後、真空処理室内を真
空処理室外雰囲気と連通させるようにしているので、被
冷却手段が真空処理室外雰囲気ガスの露点温度以上の温
度に温度復帰する以前に真空処理室内が真空処理室外雰
囲気と連通させられるといった誤操作を生じる危険性を
排除でき、また、これと共に、被冷却手段への真空処理
室外雰囲気ガスの結露，結霜を防止できるので、真空処
理室内を再び所定圧力に減圧排気する上での困難性を除
去できる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図は、本発明によるプラズマエッチング装置の構
成図で、処理室１は、試料、例えば、半導体素子基板
（以下、ウェハと略）（図示省略）のエッチングを行う
場所でウェハは試料台２上に設置される。エッチング時
にはエッチングガス導入配管５よりエッチングガスが処
理室１に導入され、排気は排気配管9,排気バルブ10,排
気ポンプ11により行われる。試料台２には、この場合、
高周波電源３が接続されているまた、試料台２にはウェ
ハを冷却するため冷媒供給配管４により、例えば、液体
窒素（LN2）が供給される。温度測定器６のセンサ部分
は試料台２および試料台２の冷却により低温化する部位
に取付けられる。
成図で、処理室１は、試料、例えば、半導体素子基板
（以下、ウェハと略）（図示省略）のエッチングを行う
場所でウェハは試料台２上に設置される。エッチング時
にはエッチングガス導入配管５よりエッチングガスが処
理室１に導入され、排気は排気配管9,排気バルブ10,排
気ポンプ11により行われる。試料台２には、この場合、
高周波電源３が接続されているまた、試料台２にはウェ
ハを冷却するため冷媒供給配管４により、例えば、液体
窒素（LN2）が供給される。温度測定器６のセンサ部分
は試料台２および試料台２の冷却により低温化する部位
に取付けられる。
第１図で、例えば、メンテナンス等により処理室１を
大気開放する場合は先ずGN2バルブ７を開け、ヒータ８
により加熱されたGN2を処理室に供給する。この加熱GN2
により処理室１内を昇温させる。処理室１内で温度低下
したGN2は排気配管9,排気バルブ10,排気ポンプ11により
排出される。
大気開放する場合は先ずGN2バルブ７を開け、ヒータ８
により加熱されたGN2を処理室に供給する。この加熱GN2
により処理室１内を昇温させる。処理室１内で温度低下
したGN2は排気配管9,排気バルブ10,排気ポンプ11により
排出される。
この加熱GN2により処理室１内の温度が、大気開放時
に霜又は露の付着のない温度に達したことを温度測定器
６が検出し、電磁弁14を動作させ、シリンダ13によりロ
ック機構12を解除させる。このロック機構12の解除によ
り処理室フタ15が開けられる。
に霜又は露の付着のない温度に達したことを温度測定器
６が検出し、電磁弁14を動作させ、シリンダ13によりロ
ック機構12を解除させる。このロック機構12の解除によ
り処理室フタ15が開けられる。
本実施例によれば、処理室のロック機構を有するた
め、処理室内が低温状態で大気開放することにより処理
室内に霜又は露を付着させることはない。また、加熱GN
2の導入により処理室内の昇温が短時間で可能となる。
め、処理室内が低温状態で大気開放することにより処理
室内に霜又は露を付着させることはない。また、加熱GN
2の導入により処理室内の昇温が短時間で可能となる。
本実施例は、処理室のロック機構を付加したものであ
るが、フタ開閉機構の有するものは、その動作に対しイ
ンターロックをとっても良い。
るが、フタ開閉機構の有するものは、その動作に対しイ
ンターロックをとっても良い。
なお、上記一実施例では、加熱GN2により加温されて
いる試料台の温度を温度測定器で測定、検知し、該検知
温度が大気中の水分の露点温度以上になった時点で電磁
弁を作動させシリンダによりロック機構を解除させて処
理室フタを開ける、つまり、処理室内を大気開放させる
ようにしているが、これに替えて、上記検知温度が大気
中の水分の露点温度以上になるまで処理室フタを開ける
操作、つまり、処理室内の大気開放に対して警告を発す
るように構成することもでき、この場合も、上記一実施
例の場合と同様の効果が得られる。即ち、メンテナンス
等により処理室内を大気開放させる必要が生じた場合、
処理室内のLN2の寒冷により冷却された試料台の加温GN2
による加温時の温度が大気中の水分の露点温度以上の温
度になったことを確認して、その後、処理室内を大気開
放させるようにしているので、試料台が大気中の水分の
露点温度以上の温度になる以前に処理室内が大気開放さ
れるといった誤操作を生じる危険性を排除でき、また、
これと共に、試料台への大気中の水分の結露，結霜を防
止できるので、排気ポンプにより処理室内を再び所定圧
力に減圧排気する上での困難性を除去できる。従って、
これらにより、安全、確実、かつ、容易に処理室内を減
圧排気することができる。
いる試料台の温度を温度測定器で測定、検知し、該検知
温度が大気中の水分の露点温度以上になった時点で電磁
弁を作動させシリンダによりロック機構を解除させて処
理室フタを開ける、つまり、処理室内を大気開放させる
ようにしているが、これに替えて、上記検知温度が大気
中の水分の露点温度以上になるまで処理室フタを開ける
操作、つまり、処理室内の大気開放に対して警告を発す
るように構成することもでき、この場合も、上記一実施
例の場合と同様の効果が得られる。即ち、メンテナンス
等により処理室内を大気開放させる必要が生じた場合、
処理室内のLN2の寒冷により冷却された試料台の加温GN2
による加温時の温度が大気中の水分の露点温度以上の温
度になったことを確認して、その後、処理室内を大気開
放させるようにしているので、試料台が大気中の水分の
露点温度以上の温度になる以前に処理室内が大気開放さ
れるといった誤操作を生じる危険性を排除でき、また、
これと共に、試料台への大気中の水分の結露，結霜を防
止できるので、排気ポンプにより処理室内を再び所定圧
力に減圧排気する上での困難性を除去できる。従って、
これらにより、安全、確実、かつ、容易に処理室内を減
圧排気することができる。
上記一実施例での他に、次のような場合においても良
好に適用し得る。
好に適用し得る。
（１） 試料台以外に処理室内に温度０℃以下に冷却さ
れる部品を有する場合 （２） プラズマを利用および該プラズマを利用せずに
試料のエッチング，成膜，改質処理等の真空処理を試料
を温度０℃以下に冷却して実施する装置を用いる場合 また、上記一実施例では、試料台をLN2の寒冷により
冷却するようにしているが、冷媒としては、LN2の他に
液化フッ素系化合物，液化炭化水素，液体ヘリウム等や
これら冷媒で冷却されたガスや液体等を使用し得る。い
ずれにしても処理室内の被冷却手段は、０℃以下の温度
に冷却される。
れる部品を有する場合 （２） プラズマを利用および該プラズマを利用せずに
試料のエッチング，成膜，改質処理等の真空処理を試料
を温度０℃以下に冷却して実施する装置を用いる場合 また、上記一実施例では、試料台をLN2の寒冷により
冷却するようにしているが、冷媒としては、LN2の他に
液化フッ素系化合物，液化炭化水素，液体ヘリウム等や
これら冷媒で冷却されたガスや液体等を使用し得る。い
ずれにしても処理室内の被冷却手段は、０℃以下の温度
に冷却される。
また、上記一実施例では、試料台の温度回復に加熱GN
2を使用しているが、この他に、発熱体、例えば、電熱
ヒータを試料台に設け、該発熱体の発熱により試料台の
温度回復を図るように構成しても良い。
2を使用しているが、この他に、発熱体、例えば、電熱
ヒータを試料台に設け、該発熱体の発熱により試料台の
温度回復を図るように構成しても良い。
また、上記一実施例では、処理室内を大気開放するよ
うにしているが、処理室内を大気とは異なる雰囲気に開
放し連通）するように構成されていても良い。
うにしているが、処理室内を大気とは異なる雰囲気に開
放し連通）するように構成されていても良い。
本発明によれば、外部雰囲気と連通させられた真空処
理室内を安全，確実，かつ、容易に減圧排気できる効果
がある。
理室内を安全，確実，かつ、容易に減圧排気できる効果
がある。
第１図は、本発明の一実施例のプラズマエッチング装置
の構成図である。 １……処理室、２……試料台、４……冷媒供給配管、５
……エッチングガス導入配管、６……温度測定器、８…
…ヒータ、９……排気配管、11……排気ポンプ、12……
ロック機構、13……シリンダ、14……電磁弁、15……処
理室フタ
の構成図である。 １……処理室、２……試料台、４……冷媒供給配管、５
……エッチングガス導入配管、６……温度測定器、８…
…ヒータ、９……排気配管、11……排気ポンプ、12……
ロック機構、13……シリンダ、14……電磁弁、15……処
理室フタ
Claims (5)
- 【請求項１】真空処理室と、該真空処理室内に設けられ
温度が０℃以下に冷却される被冷却手段と、該被冷却手
段を加温する加温手段と、前記被冷却手段の温度を検知
し該検知温度が前記真空処理室外部の雰囲気ガスの露点
温度以上になった時点で前記真空処理室内外を連通可能
とさせる連通手段とを具備したことを特徴とする真空処
理装置。 - 【請求項２】請求項１記載の真空処理装置において、前
記被冷却手段は前記真空処理室内で試料を保持すると共
に冷却手段によって温度を０℃以下に冷却される試料保
持手段であり、前記連通手段は前記試料保持手段の温度
を検知し該検知温度が前記真空処理室外部の大気中の水
分の露点温度以上になった時点で前記真空処理室内を大
気に開放可能とさせる大気開放手段である真空処理装
置。 - 【請求項３】請求項２記載の真空処理装置において、前
記大気開放手段は前記試料保持手段の検知温度が前記水
分の露点温度以上になるまで前記真空処理室内の大気開
放をロックするロック手段を備えた真空処理装置。 - 【請求項４】請求項２記載の真空処理装置において、前
記大気開放手段は前記試料保持手段の検知温度が前記水
分の露点温度以上になるまで前記真空処理室内の大気開
放に対して警告を発する警告手段を備えた真空処理装
置。 - 【請求項５】真空処理室と、該真空処理室内で試料を保
持する試料保持手段と、該試料保持手段に０℃以下の温
度を有する冷媒を供給する冷媒供給手段と、前記試料保
持手段を加温する加温手段と、前記試料保持手段の温度
を検知する温度検知手段と、前記真空処理室内の大気開
放開口を閉塞する開口閉塞手段と、該開口閉塞手段によ
る前記大気開放開口の閉塞を機械的にロックするロック
手段と、前記検知温度が前記大気中の水分の露点温度以
上になった時点で前記ロック手段によるロックを解除す
るロック解除手段とを具備したことを特徴とする真空処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12885289A JP2786249B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12885289A JP2786249B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03124A JPH03124A (ja) | 1991-01-07 |
| JP2786249B2 true JP2786249B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=14994970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12885289A Expired - Lifetime JP2786249B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2786249B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5091691B2 (ja) | 2008-01-15 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 電磁流量計 |
| JP2009288026A (ja) | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Toshiba Corp | 電磁流量計 |
| JP2010271077A (ja) | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Toshiba Corp | 電磁流量計 |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP12885289A patent/JP2786249B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03124A (ja) | 1991-01-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080529 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090529 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |