KR960030434A - 처리제 공급장치 - Google Patents
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- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract 64
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 42
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 abstract 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
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Abstract
처리제를 처리장치로 공급하는 장치는 액체 처리제를 저장하는 탱크와 탱크속에 구비되어 나선형 관에 의해 형성되는 열교환기를 가지고 있다. 질소가스(N2가스)가 탱크 속으로 도입되어 액체 처리제를 증발시킨다. 물은 열교환기의 하부에 연결된 유체 도입관으로부터 열교환기의 나선형관을 통해 열교환기의 상부에 연결된 유체 배출관으로 공급된다. 열교환기에서 물과 액체 처리제 사이의 열교환은 매우 효율적으로 수행된다. 전기를 사용하지 않아 안정성이 매우 높다. 버블링 공정에 의해 기체상태로 변화되는 액체 처리제의 온도는 효율적으로 제어되며, 탱크속에서 기화된 처리제의 농도는 안정화된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 HMDS 공급장치를 사용하는 AD처리 장치를 포함하는 시스템의 개략도.
Claims (23)
- 액체 상태의 처리제를 저장하는 탱크에 화학적으로 안정된 캐리어 가스를 도입하여 기화된 상태의 처리제와 혼합하여 기화된 상태의 처리제와 캐리어 가스의 혼합물을 처리제 공급 시스템으로 공급하는 처리제 공급장치에 있어서, 탱크내에 유체를 통과시키는 관형 열교환기를 구비하여 상기 유체와 액체 상태의 처리제 사이에 열교환을 수행하며, 상기열교환기는 상부와 하부를 가지고 있어서 상기 유체가 하부로부터 상부로 흐르도록한 것을 특징으로 하는 처리제 공급장치.
- 제1항에 있어서, 액체 상태의 처리제는 액체 HMDS, 디벨로핑 액체 및 레지스트 액체로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 처리제 공급장치.
- 제1항에 있어서, 상기 캐리어 가스는 비활성 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리제 공급장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유체는 실온 또는 일정온도의 물인 것을 특징으로 하는 처리제 공급장치.
- 제1항에 있어서, 액체 상태로된 처리제의 상부레벨에서 탱크의 내부를 최소한 캐리어 가스가 도입되는 제1구역과 액체 상태로된 처리제의 상부레벨이 측정되는 제2구역으로 분할하기 위한 분할 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리제 공급장치.
- 액체 상태의 처리제를 저장하는 탱크에 화학적으로 안정된 캐리어 가스를 도입하여 기화된 상태의 처리제와 혼합하여 기화된 상태의 처리제와 캐리어 가스의 혼합물을 처리제 공급 시스템으로 공급하는 처리제 공급장치에 있어서, 탱크내에 유체를 통과시키는 관형 열교환기를 구비하여 상기 유체와 액체 상태의 처리제 사이에 열교환을 수행하며, 상기 열교환기는 상부와 하부를 가지고 있어서 상기 유체가 하부로부터 상부로 흐르도록하며, 상기 유체는 최소한 하나의 또다른 처리장치의 온도를 조절하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 처리제 공급장치.
- 제6항에 있어서, 액체 상태의 처리제는 액체 HMDS, 디벨로핑 액체 및 레지스터 액체로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 처리제 공급장치.
- 제6항에 있어서, 상기 캐리어 가스는 비활성 기체는 포함하는 것을 특징으로 하는 처리제 공급장치.
- 제6항에 있어서, 상기 유체는 실온 또는 일정온도의 물인 것을 특징으로 하는 처리제 공급장치.
- 제6항에 있어서, 처리제의 상부 레벨에서 탱크의 내부를 최소한 캐리어 가스가 도입되는 제1구역과 탱크속에 액체상태로된 처리제의 상부 레벨이 측정되는 제2구역으로 분할하기 위한 분할 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리제 공급장치.
- 제6항에 있어서, 상기 최소한 하나의 또다른 처리장치는 레지스트 코팅처리, 디벨로핑처리 및 열처리중 하나를 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 처리제 공급장치.
- 캐리어 가스가 내부로 도입되며 상부레벨을 갖는 액체 처리제를 저장하는 탱크를 포함하며, 탱크 속에서 액체 처리제의 기화로 인해 기화된 처리제를 생성하며, 기화된 처리제를 처리장치로 공급하는 장치에 있어서, 액체 처리제의 상부 레벨에서 탱크의 내부를, 액체 처리제에 의해 점유되는 또는 탱크 내부의 잔여부를 점유하는 탱크 내부의 제1구역과, 제1구역 이외의 탱크 내부 공간으로 규정되는 제2구역으로 분할하는 분할 수단은 포함하며, 상기 캐리어 가스는 제1구역으로 도입되며, 액체 처리제의 상부 레벨은 제2구역에서 측정되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제12항에 있어서, 액체 상태의 처리제는 액체 HMDS, 디벨로핑 액체 및 레지스터 액체로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 캐리어 가스는 비활성 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 유체는 실온 또는 일정온도의 물인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 처리장치는 음압하에 AD처리를 수행하는 처리장치인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제12항에 있어서, 탱크내에 구비되어 유체를 통과 시키는 열교환기를 포함하여 유체와 처리제 사이에 열교환을 수행하며, 상기 열교환기는 상부와 하부를 가지고 있어 유체가 하부로부터 상부로 흐르도록한 것을 특징으로 하는 장치.
- 기화된 처리제와 캐리어 가스의 혼합물을 처리장치로 공급하기 위한 장치에 있어서, 상부 및 저부벽을 가지고 액체 처리제를 저장하는 탱크와; 액체 처리제속에 설치되며, 액체 처리제의 하부 레벨로부터 상부 레벨까지 연장된관을 포함하는 열교환기와; 관을 통해 흐르는 유체와 액체 처리제 사이에 열교환을 수행하도록 관의 신장된 방향으로 유체가 흐르도록 하기 위해 유체를 열교환기로 공급하는 수단과; 열교환기로 공급되는 유체의 온도 및/또는 유량을 제어하기 위한 수단과; 캐리어 가스가 기화된 처리제와 혼합되도록 화학적으로 안정한 캐리어 가스를 탱크속으로 공급하는 수단과; 캐리어 가스와 기화된 처리제의 혼합물을 처리장치로 이송하기 위한 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 장치.
- 제18항에 있어서, 탱크속의 액체 처리제의 상부레벨을 측정하는 수단과, 측정수단의 측정결과에 따라 그 상부 레벨을 제어하도록 탱크속으로 액체 처리제를 추가하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 상기관은 수직축 주위로 액체 처리제 속에서 나선형 부분을 가지며, 상기 측정 수단은, 액체 처리제 상에 부유하며 열교환기의 나선형 부분에 설치된 부유 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제18항에 있어서, 탱크의 저부벽은 액체 처리제의 하부레벨과 접한 다공성 재질로된 버블 발생기를 가지고 있으며, 화학적으로 안정한 캐리어 가스를 공급하기 위한 수단은 캐리어 가스를 버블 발생기로 공급하기 위해 버블 발생기에 연결된 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 기화된 처리제와 캐리어가스의 혼합물을 처리장치로 공급하는 장치에 있어서, 액체 처리제를 저장하는 탱크와; 액체 처리제의 온도를 일정하게 제어하기 위해 탱크속에 설치된 수단과; 탱크속의 공간을 제1구역과 제2구역으로 수평분할하기 위해 상부 레벨로부터 액체 처리제 속으로 삽입된 하부를 갖는 분할 수단과; 화학적으로 안정한 캐리어 가스를 탱크의 제1구역으로 공급하여 캐리어가스가 기화된 처리제와 혼합되도록 하는 수단과; 액체 처리제의 상부레벨을 측정하기 위해 제2구역에서 액체 처리제의 상부레벨상에 부유하는 부유 센서와; 캐리어 가스와 기화된 액체 처리제의 혼합물을 처리 장치로 이송하기 위한 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 장치.
- 제22항에 있어서, 상기 분할수단의 하부는 관형부로 되어 있으며, 그 외측은 제1구역을 규정하고, 그 내부는 제2구역을 규정하는 것을 특징으로 하는 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01646995A JP3770409B2 (ja) | 1995-01-06 | 1995-01-06 | Hmds供給装置 |
JP95-16469 | 1995-01-06 | ||
JP95-53530 | 1995-02-17 | ||
JP05353095A JP3259940B2 (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 処理ガスの供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960030434A true KR960030434A (ko) | 1996-08-17 |
KR100199681B1 KR100199681B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=26352820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960000126A KR100199681B1 (ko) | 1995-01-06 | 1996-01-05 | 처리제 공급장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5733375A (ko) |
KR (1) | KR100199681B1 (ko) |
TW (1) | TW338174B (ko) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6322057B1 (en) * | 2000-05-22 | 2001-11-27 | United Microelectronics Corp. | Auxiliary gasline-heating unit in chemical vapor deposition |
US6443435B1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Vaporization of precursors at point of use |
US6838114B2 (en) | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
US6821347B2 (en) * | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
US6955725B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
CN1265246C (zh) * | 2003-07-11 | 2006-07-19 | 友达光电股份有限公司 | 一种光刻胶涂敷装置 |
US7422635B2 (en) * | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
US20050051087A1 (en) * | 2003-09-08 | 2005-03-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., | Primer tank with nozzle assembly |
US7581511B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
US7584942B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-09-08 | Micron Technology, Inc. | Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers |
US20050249873A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Demetrius Sarigiannis | Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices |
US8133554B2 (en) * | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
US20090214777A1 (en) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Demetrius Sarigiannis | Multiple ampoule delivery systems |
DK2457670T3 (en) * | 2010-11-30 | 2017-09-25 | Oticon As | Method and apparatus for low pressure plasma induced coating |
JP5614418B2 (ja) * | 2012-01-25 | 2014-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
KR102259066B1 (ko) * | 2019-09-24 | 2021-06-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102207310B1 (ko) * | 2019-09-24 | 2021-01-26 | 세메스 주식회사 | 가스 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60122735A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-07-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料ガス供給装置 |
JP2703694B2 (ja) * | 1992-05-28 | 1998-01-26 | 信越半導体株式会社 | ガス供給装置 |
JP2906006B2 (ja) * | 1992-10-15 | 1999-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びその装置 |
JP3005373B2 (ja) * | 1992-10-23 | 2000-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
-
1995
- 1995-12-28 TW TW085112472A patent/TW338174B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-12-29 US US08/580,620 patent/US5733375A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-05 KR KR1019960000126A patent/KR100199681B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW338174B (en) | 1998-08-11 |
US5733375A (en) | 1998-03-31 |
KR100199681B1 (ko) | 1999-06-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130227 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140220 Year of fee payment: 16 |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |