KR960030252A - 반도체 메모리소자 및 그의 데이타 쓰기 방법 - Google Patents

반도체 메모리소자 및 그의 데이타 쓰기 방법 Download PDF

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KR960030252A
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구자홍
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Abstract

본 발명은 반도체 메모리소자 및 그의 데이타 쓰기 방법에 관한 것으로, 데이타를 저장하기 위한 데이타 영역과, 각각의 데이타 영역마다 데이타 영역과 쌍으로 구성되어 해당 데이타 영역의 쓰는 횟수를 카운트하기 위한 카운트영역을 포함하여 구성되며, 데이타 쓰기 요구가 발생하면 상기 마이크로 컴퓨터가 쓰기 횟수를 카운트하는 카운트번지 내용을 읽어들인 후 상기 카운트 번지의 쓰기 횟수가 최대쓰기허용횟수 이상이면 다음의 카운트번지를 지정하고, 그렇지 않으면 쌍을 이루는 해당 데이타 영역을 지정하여 데이타를 쓰도록 함으로써 특정번지의 연속적인 쓰기로 인한 해당번지의 전기적 파괴 및 데이타 오류를 방지할 수 있으며, 이에 따라 소자의 수명을 증가시키는 효과가 있다.

Description

반도체 메모리소자 및 그의 데이타 쓰기 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의한 반도체 메모리소자의 데이타 영역 구성도, 제6도는 본 발명에 의한 반도체 메모리소자의 쓰기 방법을 도시한 순서도.

Claims (2)

  1. 데이타를 저장하기 위한 데이타 영역과, 각각의 데이타 영역마다 데이타 영역과 쌍으로 구성되어 해당 데이타 영역의 쓰는 횟수를 카운트하기 위한 카운트영역을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
  2. 데이타 쓰기 요구가 발생하면 상기 마이크로 컴퓨터가 쓰기 횟수를 카운트하는 카운트번지 내용을 읽어들이는 과정과, 상기 카운트 번지의 쓰기 횟수가 최대쓰기허용횟수 이상이면 다음의 카운트번지를 지정하고, 그렇지 않으면 쌍을 이루는 해당 데이타 영역을 지정하여 데이타를 쓰도록 하는 과정을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 데이타 쓰기 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950001172A 1995-01-24 1995-01-24 반도체 메모리소자 및 그의 데이타 쓰기 방법 KR960030252A (ko)

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DE19602039A DE19602039A1 (de) 1995-01-24 1996-01-20 Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zum Schreiben von Daten in diese
US08/589,536 US5710734A (en) 1995-01-24 1996-01-22 Semiconductor memory device and data writing method thereof
GB9601211A GB2297403A (en) 1995-01-24 1996-01-22 Counting memory writes
IT96MI000106A IT1281702B1 (it) 1995-01-24 1996-01-23 Dispositivo di memoria a semiconduttore e suo metodo di scrittura dati
CN96100878A CN1102291C (zh) 1995-01-24 1996-01-23 半导体存储装置及其数据写入方法
JP1000696A JPH08297992A (ja) 1995-01-24 1996-01-24 半導体メモリ素子及びそのデータ記録方法

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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6642956B1 (en) * 1998-05-29 2003-11-04 Agilent Technologies, Inc. Digital image processor for a digital camera
US7082490B2 (en) * 2003-10-20 2006-07-25 Atmel Corporation Method and system for enhancing the endurance of memory cells
CN100343921C (zh) * 2004-05-31 2007-10-17 联华电子股份有限公司 一种程序化单一位元储存sonos型存储器的方法
DE102004034042A1 (de) * 2004-07-13 2006-02-09 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Elektronisches Gerät mit einem nicht flüchtigen beschreibbaren Datenspeicher
DE102004037785A1 (de) * 2004-08-03 2006-03-16 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Feldgerät für die Automatisierungstechnik
US20060031626A1 (en) * 2004-08-03 2006-02-09 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Field device for automation technology
JP2006318291A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Fujitsu Ltd 無線タグ管理プログラム
US7426613B2 (en) * 2005-06-16 2008-09-16 Lexmark International, Inc. Addressing, command protocol, and electrical interface for non-volatile memories utilized in recording usage counts
US9245591B2 (en) 2005-06-16 2016-01-26 Lexmark International, Inc. Addressing, command protocol, and electrical interface for non-volatile memories utilized in recording usage counts
US8521970B2 (en) 2006-04-19 2013-08-27 Lexmark International, Inc. Addressing, command protocol, and electrical interface for non-volatile memories utilized in recording usage counts
CN104111893A (zh) * 2013-06-21 2014-10-22 芜湖美的厨卫电器制造有限公司 数据的存储方法
KR101501717B1 (ko) * 2014-10-29 2015-03-12 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 장치의 관리 방법
CN105808168A (zh) * 2016-03-11 2016-07-27 宁波三星医疗电气股份有限公司 一种延长eeprom使用寿命的均衡方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4064558A (en) * 1976-10-22 1977-12-20 General Electric Company Method and apparatus for randomizing memory site usage
FR2617997A1 (fr) * 1987-07-07 1989-01-13 Mitsubishi Electric Corp Micro-ordinateur a memoire programmable, pour le controle du nombre des temps d'ecriture dans la memoire
JPH01213899A (ja) * 1988-02-23 1989-08-28 Oki Electric Ind Co Ltd データ保存方式
JPH03250498A (ja) * 1990-02-27 1991-11-08 Seiko Epson Corp 不揮発性メモリ装置
JPH03272605A (ja) * 1990-03-20 1991-12-04 Kubota Corp データ保持装置
JPH04114289A (ja) * 1990-09-04 1992-04-15 Mitsubishi Electric Corp マイクロコンピュータ集積回路装置のデータ書換え回路
DE69133092T2 (de) * 1990-12-25 2003-01-02 Fuji Photo Film Co Ltd Speicherkarte mit EEPROM
US5367484A (en) * 1993-04-01 1994-11-22 Microchip Technology Incorporated Programmable high endurance block for EEPROM device

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JPH08297992A (ja) 1996-11-12
GB9601211D0 (en) 1996-03-20
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ITMI960106A1 (it) 1997-07-23

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