KR960029436A - 액정 조성물, 액정 소자 및 액정 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하기 일반식 (A)로 나타내는 준결정 화합물 및 하기 일반식(B)로 나타내는 준결정 화합물을 포함하는 액정 조성물에 관한 것이다.
상기 식에서, R1은 탄소 원자수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이고; X1은 단일 결합, -O-, -CO-O- 또는 -O-CO-이며; X2는 단일 결합, -OCH2-, -CO-O- 또는 -O-CO-이고; n은 3 내지 16의 정수이며, A1
이며;
R2는 탄소원자수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이고; X3과 X4는 독립적으로 단일 결합, -O-, -CO-O- 또는 -O-CO-이며; m은 3내지 16의 정수이고; A2
또는이다.
본 발명의 액정 조성물은 바람직하게는 카이럴 스멕틱 액정 조성물로서 제조될 수 있다. 본 발명의 액정 조성물은 액정조성물을 사용하는 액정 소자에 우수한 정렬 특성, 우수한 드라이브 특성 및 높은 콘트라스트비를 제공하는데 유용하다.

Description

액정 조성물, 액정 소자 및 액정 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (15)

  1. 하기 일반식 (A)로 나타내는 준결정 화합물 및 하기 일반식(B)로 나타내는 준결정 화합물을 포함하는 액정 조성물.
    상기 식에서, R1은 탄소 원자수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이고; X1은 단일 결합, -0-, -CO-O- 또는 -O-CO-이며; X2는 단일 결합, -OCH2-, -CO-O- 또는 -O-CO-이고; n은 3 내지 16의 정수이며, A1
    이며;
    R2는 탄소 원자수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이고; X3과 X4는 독립적으로 단일 결합, -O-, -CO-O 또는 -O-CO-이며; m은 3 내지 16의 정수이고; A2
    또는이다.
  2. 제1항에 있어서, 일반식(A)의 준결정 화합물 0.1 내지 30중량% 및 일반식(B)의 준결정 화합물 0.1 내지 30중량%를 포함하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 0 내지 60℃의 온도 범위에서 3 내지 15도의 층 경사각 δ를 나타내는 카이럴 스멕틱 C상을 가지는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 하기 일반식 (1) 내지 (5)로 나타내는 준결정 화합물들로부터 선택된 1종 이상의 준결정화합물을 포함하는 조성물.
    [상기 식에서, p와 q는 독립적으로 0.1 또는 2이고, p+q는 1 또는 2를 충족하며; Y10은 수소 또는 불소이고; R21및 R22는 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -CH=CH-, -C≡C- 또는 -CHW-(이때, W는 할로겐, CN 또는 CF3임)에 의해 치환될 수 있는하나 이상의 메틸렌기를 포함할 수 있는 탄소 원자수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기를 나타내지만, 헤테로 원자는서로 인접하지 않는다.]
    [상기 식에서, B1
    (이때, Y1은 수소 또는 불소임)이고; Y0은 수소 또는 불소이고; R23은 탄소 원자수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이며; R24는 수소, 할로겐, CN 또는 탄소 원자수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이고; R23또는 R24의 알킬기에서 하나 이상의 메틸렌기는 -O-, -S-, -CO-, -C=C-, -C≡C- 또는-CHW- (이때, W는 할로겐, CN 또는 CF3임)에 의해 치환될 수 있지만, 헤테로 원자는 서로 인접하지 않는다.]
    [상기 식에서, B2
    또는이고;
    R25와 R26은 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -CH=CH-, -C≡C- 또는 -CHW- (이때, W는 할로겐, CN 또는 CF3임)에 의해 치환될 수 있는 하나 이상의 메틸렌기르 포함할수 있는 탄소 원자수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이고, 헤테로 원자는 서로 인접하지 않는다.]
    [상기 식에서, B3
    또는이고;
    R27와 R28은 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -CH=CH-, -C≡C- 또는 -CHW- (이때, W는 할로겐, CN 또는 CF3임)에 의해 치환될 수 있는 하나 이상의 메틸렌기를 포함할 수 있는 탄소 원자수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이지만, 헤테로 원자는 서로 인접하지 않는다.]
    [상기 식에서, R29와 R30은 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -CH=CH-, -C≡C- 또는 -CHW- (이때, W는 할로겐, CN 또는 CF3임)에의해 치환될 수 있는 하나 이상의 메틸렌기를 포함할 수 있는 탄소 원자수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이지만,헤테로 원자는 서로 인접하지 않는다.]
  5. 제4항에 있어서, 상기의 1종 이상의 준결정 화합물의 각 성분이 (a) 일반식 (1)의 준결정 화합물에 대해20 내지 75중량%, (b) 일반식 (2)의 준결정 화합물에 대해 5 내지 25 중량%, (c) 일반식 (3)의 준결정 화합물에 대해 5내지 30 중량%, (d) 일반식 (4)의 준결정 화합물에 대해 0.1 내지 30 중량%, 또는 (e) 일반식 (5)의 준결정 화합물에 대해 1 내지 25 중량%의 양으로 액정 조성물에 포함된 조성물.
  6. 제4항에 있어서, 일반식 (1)의 준결정 화합물이 하기에 나타낸 일반식 (1-1) 내지 (1-7)의 준결정 화합물중 1종 이상을 포함하고; 일반식 (2)의 준결정 화합물이 하기에 나타낸 일반식 (2-1) 내지 (2-5)의 준결정 화합물 중 1종이상을 포함하며, 일반식 (3)의 준결정 화합물이 하기에 나타낸 일반식 (3-1) 내지 (3-9)의 준결정 화합물 중 1종 이상을포함하고; 일반식 (4)의 준결정 화합물이 하기에 나타낸 일반식 (4-1) 내지 (4-6)의 준결정 화합물 중 1종 이상을 포함하는 조성물.
    상기 식에서, R21내지 R28및 Y1은 각각 상기에서 정의한 바와 같다.
  7. 각각 전극이 제공된 한 쌍의 각 기판 및 제1항 내지 6항 중 어느 한 항에 따른 액정 조성물을 포함하는 액정 소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 한 쌍의 기판 중 적어도 어느 하나의 기판 위에 배치되어 있고, 단축 정렬축이 제공되어 있는 정렬 조절층을 포함하는 소자.
  9. 제8항에 있어서, 단축 정렬축이 제공된 정렬 조절층이 한 쌍의 기판 양편에 배치되고, 각각의 단축 정렬축들은 전술한 교차각으로 상호 교차하는 소자.
  10. 제7항에 있어서, 상기 액정 조성물은 카이럴 스멕틱 액정이 프리틸트각 α와 공동으로 하기 관계식 (Ⅰ),(Ⅱ) 및 (Ⅲ)을 충족시키는 코운각, 카이럴 스멕틱 C상에서의 층 경사각 δ, 및 겉보기 틸트가 θa를 나타내는 정렬 상태로 위치한 카이럴 스멕틱 액정조성물인 프리틸트각 α를 제공하는 소자.
    〈 α + δ (Ⅰ)
    δ 〈 α (Ⅱ)
    〉 θa/2 (Ⅲ)
  11. 제9항에 있어서, 상기 교차각이 25도 이하인 소자.
  12. 제10항에 있어서, 상기 프리틸트각이 5도 이상인 소자.
  13. 제7항에 따른 액정 소자를 포함하는 액정 장치.
  14. 제13항에 있어서, 액정 소자를 구동하기 위한 드라이브 회로를 포함하는 장치.
  15. 제13항에 있어서, 광원을 포함하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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