KR960026074A - 광학 스텝퍼를 이용한 미세한 t-형 패턴의 형성방법 - Google Patents
광학 스텝퍼를 이용한 미세한 t-형 패턴의 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 위상반전 마스크의 경계선의 양쪽에 보조패턴을 만들고 이 마스크를 이용하여 광학스텝퍼의 리소그라피 공정으로 극히 작은 T-형 게이트를 형성하는 방법에 관한 것으로, 광학적으로 미세한 패턴을 형성할 수 있으므로 소자 제작의 양산성을 향상시킬 수 있으며, 여러가지 복잡한 과정을 거치지 않고 하나의 리소그라피 과정으로 T-형의 형상을 형성할 수 있으므로 공정이 복잡할 때 나타날 수 있는 공정조건의 변화에 의한 형상의 변화요인이 작아 효율적이다.
따라서, MESFET, HEMT 등의 미세한 T-형 게이트를 쉽게 형성할 수 있으므로 고품위 소자를 광학적인 방법으로 쉽게 제작할 수 있기 때문에 반도체 소자의 제작에 따른 효율성과 경제성을 크게 개선시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 현상후 기판위에 형성된 T-형 포토레지스트 패턴의 단면도.
Claims (2)
- 위상반전층과 두 보조페턴을 갖는 마스크를 이용하여 광학 스텝퍼로 포토레지스트막을 노광하므로써 T-형의 홈을 형성할 수 있도록 하는 마스크의 제작방법.
- 기판 위에 음각 포토레지스트 막(또는 형상반전용 포토레지스트막)을 회전도포한 후 노광전 열처리를 수행하는 공정과; 광학 스텝퍼와, 표면의 한쪽 절반 위에 형성된 위상반전층(2)의 경계선에 대칭으로 형성된 두 보조패턴(3)을 갖는 위상반전마스크를 이용하여, 상기 음각 포토레지스트 막을 노광하는 공정과; 상기 위상 반전 마스크를 제거하고 상기 음각 포토레지스트 막 전체를 노광한 후 현상하여 상기 음각 포토레지스트 막에 T-형의 홈을 형성하는 공정과; 후 공정에 의해 T-형의 홈을 형성하는 공정과; 상기 T-형의 홈이 형성된 포토레지스트 막 위에 게이트 금속을 증착한 후 상기 포토레지스트 막을 리프트 오프하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 스텝퍼를 이용한 미세한 T-형 패턴의 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033092A KR960026074A (ko) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 광학 스텝퍼를 이용한 미세한 t-형 패턴의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033092A KR960026074A (ko) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 광학 스텝퍼를 이용한 미세한 t-형 패턴의 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026074A true KR960026074A (ko) | 1996-07-20 |
Family
ID=66688276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940033092A KR960026074A (ko) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 광학 스텝퍼를 이용한 미세한 t-형 패턴의 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026074A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456318B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2004-11-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 플러그 형성방법 |
-
1994
- 1994-12-07 KR KR1019940033092A patent/KR960026074A/ko active Search and Examination
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456318B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2004-11-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 플러그 형성방법 |
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