KR960012355A - 받침대와 베이스 사이의 개선된 열 전달 방법 - Google Patents

받침대와 베이스 사이의 개선된 열 전달 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960012355A
KR960012355A KR1019950028562A KR19950028562A KR960012355A KR 960012355 A KR960012355 A KR 960012355A KR 1019950028562 A KR1019950028562 A KR 1019950028562A KR 19950028562 A KR19950028562 A KR 19950028562A KR 960012355 A KR960012355 A KR 960012355A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
base
heat transfer
pedestal
support member
Prior art date
Application number
KR1019950028562A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100385010B1 (ko
Inventor
에프. 캐머슨 존
Original Assignee
제임스 조셉 드롱
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제임스 조셉 드롱, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 제임스 조셉 드롱
Publication of KR960012355A publication Critical patent/KR960012355A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100385010B1 publication Critical patent/KR100385010B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001Maintaining constant desired temperature
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00Chucks or sockets
    • Y10T279/23Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 지지 부재는 받침대 및 전도 부재를 포함한다. 전도 부재는 냉가제의 통로에 의해 냉각되고, 열 전달 유동체는 받침대로부터 전도 부재로 열 전달을 증가하기 위하여 받침대 및 전도 부재 사이의 공유면에 흘린다.

Description

받침대와 베이스 사이의 개선된 열 전달 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 플라즈마 가공 챔버의 부분 단면도.

Claims (19)

  1. 베이스; 상기 베이스에 고정되고 상기 베이스와 함께 공유면 영역을 형성하는 받침대; 및 상기 받침대 및 상기 베이스 사이의 열 전달을 하도록 공유면 영역의 적어도 일부분에 수용되는 유동체를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 환경에서 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
  2. 제1항에 있어서, 상기 받침대가, 상기 받침대에 수용되고 적어도 하나의 가스홈을 가지는 정전기; 및 유동체를 공유면 영역에 공급하기 위하여 상기 홈에서 상기 공유면 영역에 연장되는 가스 공급 구멍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 환경에서 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
  3. 제2항에 있어서, 상기 공유면이 적어도 하나의 밀봉된 영역을 포함하고, 상기 가스 공급 구멍이 상기 영역에서 끝나는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
  4. 제1항에 있어서, 상기 공유면 영역에서의 다수의 밀봉된 영역; 및 각각의 상기 밀봉된 영역으로 연장되는 가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
  5. 제4항에 있어서, 표면 대 표면 접촉이 상기 밀봉된 영역에서 상기 전도 부재 및 상기 받침대 사이에 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
  6. 제5항에 있어서, 상기 베이스를 통하여 연장되는 제1후위 냉각 가스 공급 통로; 상기 받침대를 통하여 연장하고 상기 받침대의 상부 표면에서 끝나고 상기 베이스를 통하여 연장되는 상기 제1후위 가스 냉각 통로와 정렬하는 제2후위 가스 냉각 통로; 및 상기 밀봉된 영역의 한곳으로 흐르도록 후위 냉각 가스를 상기 제1후위 냉각 가스 통로로 흐르게 하기에 충분한 상기 제1 및 상기 제2후위 냉각 가스 통로의 정렬에서 갭을 더 포함하고, 제1 및 제2후위 냉각 가스 통로가 상기 밀봉된 영역의 하나에서 상기 베이스 및 상기 받침대의 공유면에서 정렬되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
  7. 제6항에 있어서, 상기 받침대가 이를 통하여 연장되는 다수의 가스 공급 포트(port)를 포함하고; 각각의 상기 공급 포트가 상기 제1후위 가스 냉각 통로가 연장되는 밀봉된 영역 이외의 상기 밀봉된 영역의 하나에 정렬되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
  8. 제1항에 있어서, 가스 공급부는 상기 공유면 영역으로 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기스 공급부가 받침대의 상부 표면에서 공유면 영역으로 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
  10. 기판 지지 부재 및 베이스 사이의 열 전달을 향상시키는 방법에 있어서, 베이스 및 기판 지지 부재 사이의 열 전달 영역을 한정하는 단계; 한정된 열 전달 영역에 유동체를 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
  11. 제10항에 있어서, 유동체는 가스인 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 기판 지지 부재상에 정전기 척을 제공하는 단계; 정전기 척에 적어도 하나의 홈을 제공하는 단계; 홈 및 한정된 열 전달 영역 사이를 통하도록 기판 지지 부재를 통하여 구멍을 연장되는 단계; 정전기 척상에 웨이퍼를 배치시키는 단계; 및 한정된 열 전달 영역에서 가스를 제공하기 위하여 가스를 홈 및 구멍으로 흘리는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 한정된 열 전달 영역에서 다수의 밀봉된 볼륨(volume)을 한정하는 단계; 및 홈에서 다수의 밀봉된 볼륨으로 통하기 위하여 기판 지지 부재를 통하여 다수의 구멍을 연장되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
  14. 제10항에 있어서, 가스는 후위 냉각 가스인 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
  15. 제10항에 있어서, 가스는 한정된 열 전달 영역을 통하여 흐르는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
  16. 제10항에 있어서, 가스는 웨이퍼 및 베이스 사이의 일부분의 열 전달 경로를 제공하는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
  17. 제10항에 있어서, 베이스는 음극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
  18. 제10항에 있어서, 베이스를 통하여 가스를 한정된 열 전달 영역에 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 한정된 열 전달 영역을 다수의 분산 밀봉된 영역을 나누는 단계; 베이스를 통하여 다수의 분산 영역의 하나에 직접적으로 가스를 제공하는 단계; 가스를 기판 지지 부재를 통하여 잔류 열 전달부에 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950028562A 1994-09-01 1995-09-01 받침대와베이스사이의개선된열전달방법 KR100385010B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/299,716 1994-09-01
US08/299,716 US5738751A (en) 1994-09-01 1994-09-01 Substrate support having improved heat transfer
US08/299716 1994-09-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960012355A true KR960012355A (ko) 1996-04-20
KR100385010B1 KR100385010B1 (ko) 2003-08-25

Family

ID=23155978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950028562A KR100385010B1 (ko) 1994-09-01 1995-09-01 받침대와베이스사이의개선된열전달방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5738751A (ko)
EP (1) EP0700078A1 (ko)
JP (1) JPH08181195A (ko)
KR (1) KR100385010B1 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6140612A (en) * 1995-06-07 2000-10-31 Lam Research Corporation Controlling the temperature of a wafer by varying the pressure of gas between the underside of the wafer and the chuck
TW406346B (en) * 1996-08-26 2000-09-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for cooling a workpiece using an electrostatic chuck
GB2325939B (en) * 1997-01-02 2001-12-19 Cvc Products Inc Thermally conductive chuck for vacuum processor
JP3636864B2 (ja) * 1997-06-11 2005-04-06 東京エレクトロン株式会社 処理装置およびステージ装置
US6138745A (en) 1997-09-26 2000-10-31 Cvc Products, Inc. Two-stage sealing system for thermally conductive chuck
US6073576A (en) * 1997-11-25 2000-06-13 Cvc Products, Inc. Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment
US6464795B1 (en) * 1999-05-21 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Substrate support member for a processing chamber
US20030051656A1 (en) 1999-06-14 2003-03-20 Charles Chiun-Chieh Yang Method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering
WO2001084606A1 (fr) * 2000-04-27 2001-11-08 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Plaquette de semi-conducteur et dispositif pour procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs
US6599815B1 (en) 2000-06-30 2003-07-29 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone
US6339016B1 (en) 2000-06-30 2002-01-15 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone
JP2004503085A (ja) * 2000-06-30 2004-01-29 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 削剥領域を備えたシリコンウエハの製造方法及び製造装置
US6583980B1 (en) * 2000-08-18 2003-06-24 Applied Materials Inc. Substrate support tolerant to thermal expansion stresses
US6506291B2 (en) 2001-06-14 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Substrate support with multilevel heat transfer mechanism
WO2004097919A1 (ja) * 2003-05-02 2004-11-11 Tokyo Electron Limited 処理ガス導入機構およびプラズマ処理装置
JP5975755B2 (ja) 2012-06-28 2016-08-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP7077331B2 (ja) * 2017-02-28 2022-05-30 エスジーエル・カーボン・エスイー 基板キャリア構造体
JP2021141116A (ja) * 2020-03-02 2021-09-16 東京エレクトロン株式会社 静電チャックの製造方法、静電チャック及び基板処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4512391A (en) * 1982-01-29 1985-04-23 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet
US5215619A (en) * 1986-12-19 1993-06-01 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
JP2624975B2 (ja) * 1986-12-19 1997-06-25 アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド 真空処理装置
US4949783A (en) * 1988-05-18 1990-08-21 Veeco Instruments, Inc. Substrate transport and cooling apparatus and method for same
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5221403A (en) * 1990-07-20 1993-06-22 Tokyo Electron Limited Support table for plate-like body and processing apparatus using the table
JPH04196528A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Toshiba Corp マグネトロンエッチング装置
US5155652A (en) * 1991-05-02 1992-10-13 International Business Machines Corporation Temperature cycling ceramic electrostatic chuck
US5213349A (en) * 1991-12-18 1993-05-25 Elliott Joe C Electrostatic chuck
US5376213A (en) * 1992-07-28 1994-12-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP3174837B2 (ja) * 1993-01-20 2001-06-11 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR100238629B1 (ko) * 1992-12-17 2000-01-15 히가시 데쓰로 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치
KR960006956B1 (ko) * 1993-02-06 1996-05-25 현대전자산업주식회사 이시알(ecr) 장비

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08181195A (ja) 1996-07-12
KR100385010B1 (ko) 2003-08-25
EP0700078A1 (en) 1996-03-06
US5738751A (en) 1998-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960012355A (ko) 받침대와 베이스 사이의 개선된 열 전달 방법
US5203401A (en) Wet micro-channel wafer chuck and cooling method
US5671117A (en) Electrostatic chuck
JP5881419B2 (ja) 静電クランプおよびワークピースをクランプするための方法
US7248456B2 (en) Electrostatic chuck
US6544340B2 (en) Heater with detachable ceramic top plate
KR100399167B1 (ko) 클램프가없는진공열전달스테이션
CN100468619C (zh) 刻蚀设备的控温装置及其控制晶片温度的方法
KR950020967A (ko) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
KR20010113558A (ko) 세라믹 기판 지지체
JP7198629B2 (ja) 保持装置
US7151658B2 (en) High-performance electrostatic clamp comprising a resistive layer, micro-grooves, and dielectric layer
JP5550602B2 (ja) 静電チャックおよびこれを備えるドライエッチング装置
TW202117891A (zh) 基板載置台、基板處理裝置及溫度控制方法
US20050018376A1 (en) Electrostatic chuck for wafer
TW201442139A (zh) 托盤及電漿加工裝置
CN114350506A (zh) 可分区温控的生化反应单元和生化反应装置
KR100609064B1 (ko) 반도체 제조 장치용 정전척
KR20000030943A (ko) 전자척의 쿨링 구조
KR970072345A (ko) 기판냉각장치 및 반도체 제조장치
KR20000002930U (ko) 웨이퍼 고정용 척
TW358240B (en) Pedestal of semiconductor device fabrication apparatus
KR890003527B1 (ko) 반도체 냉각 모듈
KR20010092078A (ko) 반도체 웨이퍼
JPH09127190A (ja) Icテスタ用テストヘッドの冷却構造

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee