KR960012355A - 받침대와 베이스 사이의 개선된 열 전달 방법 - Google Patents
받침대와 베이스 사이의 개선된 열 전달 방법 Download PDFInfo
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Abstract
기판 지지 부재는 받침대 및 전도 부재를 포함한다. 전도 부재는 냉가제의 통로에 의해 냉각되고, 열 전달 유동체는 받침대로부터 전도 부재로 열 전달을 증가하기 위하여 받침대 및 전도 부재 사이의 공유면에 흘린다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 플라즈마 가공 챔버의 부분 단면도.
Claims (19)
- 베이스; 상기 베이스에 고정되고 상기 베이스와 함께 공유면 영역을 형성하는 받침대; 및 상기 받침대 및 상기 베이스 사이의 열 전달을 하도록 공유면 영역의 적어도 일부분에 수용되는 유동체를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 환경에서 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
- 제1항에 있어서, 상기 받침대가, 상기 받침대에 수용되고 적어도 하나의 가스홈을 가지는 정전기; 및 유동체를 공유면 영역에 공급하기 위하여 상기 홈에서 상기 공유면 영역에 연장되는 가스 공급 구멍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 환경에서 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
- 제2항에 있어서, 상기 공유면이 적어도 하나의 밀봉된 영역을 포함하고, 상기 가스 공급 구멍이 상기 영역에서 끝나는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
- 제1항에 있어서, 상기 공유면 영역에서의 다수의 밀봉된 영역; 및 각각의 상기 밀봉된 영역으로 연장되는 가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
- 제4항에 있어서, 표면 대 표면 접촉이 상기 밀봉된 영역에서 상기 전도 부재 및 상기 받침대 사이에 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
- 제5항에 있어서, 상기 베이스를 통하여 연장되는 제1후위 냉각 가스 공급 통로; 상기 받침대를 통하여 연장하고 상기 받침대의 상부 표면에서 끝나고 상기 베이스를 통하여 연장되는 상기 제1후위 가스 냉각 통로와 정렬하는 제2후위 가스 냉각 통로; 및 상기 밀봉된 영역의 한곳으로 흐르도록 후위 냉각 가스를 상기 제1후위 냉각 가스 통로로 흐르게 하기에 충분한 상기 제1 및 상기 제2후위 냉각 가스 통로의 정렬에서 갭을 더 포함하고, 제1 및 제2후위 냉각 가스 통로가 상기 밀봉된 영역의 하나에서 상기 베이스 및 상기 받침대의 공유면에서 정렬되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
- 제6항에 있어서, 상기 받침대가 이를 통하여 연장되는 다수의 가스 공급 포트(port)를 포함하고; 각각의 상기 공급 포트가 상기 제1후위 가스 냉각 통로가 연장되는 밀봉된 영역 이외의 상기 밀봉된 영역의 하나에 정렬되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
- 제1항에 있어서, 가스 공급부는 상기 공유면 영역으로 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
- 제8항에 있어서, 상기 기스 공급부가 받침대의 상부 표면에서 공유면 영역으로 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
- 기판 지지 부재 및 베이스 사이의 열 전달을 향상시키는 방법에 있어서, 베이스 및 기판 지지 부재 사이의 열 전달 영역을 한정하는 단계; 한정된 열 전달 영역에 유동체를 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 부재.
- 제10항에 있어서, 유동체는 가스인 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
- 제11항에 있어서, 기판 지지 부재상에 정전기 척을 제공하는 단계; 정전기 척에 적어도 하나의 홈을 제공하는 단계; 홈 및 한정된 열 전달 영역 사이를 통하도록 기판 지지 부재를 통하여 구멍을 연장되는 단계; 정전기 척상에 웨이퍼를 배치시키는 단계; 및 한정된 열 전달 영역에서 가스를 제공하기 위하여 가스를 홈 및 구멍으로 흘리는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
- 제12항에 있어서, 한정된 열 전달 영역에서 다수의 밀봉된 볼륨(volume)을 한정하는 단계; 및 홈에서 다수의 밀봉된 볼륨으로 통하기 위하여 기판 지지 부재를 통하여 다수의 구멍을 연장되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
- 제10항에 있어서, 가스는 후위 냉각 가스인 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
- 제10항에 있어서, 가스는 한정된 열 전달 영역을 통하여 흐르는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
- 제10항에 있어서, 가스는 웨이퍼 및 베이스 사이의 일부분의 열 전달 경로를 제공하는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
- 제10항에 있어서, 베이스는 음극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
- 제10항에 있어서, 베이스를 통하여 가스를 한정된 열 전달 영역에 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.
- 제18항에 있어서, 한정된 열 전달 영역을 다수의 분산 밀봉된 영역을 나누는 단계; 베이스를 통하여 다수의 분산 영역의 하나에 직접적으로 가스를 제공하는 단계; 가스를 기판 지지 부재를 통하여 잔류 열 전달부에 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전달을 향상시키는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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TW406346B (en) * | 1996-08-26 | 2000-09-21 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for cooling a workpiece using an electrostatic chuck |
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US6464795B1 (en) * | 1999-05-21 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate support member for a processing chamber |
US20030051656A1 (en) | 1999-06-14 | 2003-03-20 | Charles Chiun-Chieh Yang | Method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering |
WO2001084606A1 (fr) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Plaquette de semi-conducteur et dispositif pour procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs |
US6599815B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-07-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone |
US6339016B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-01-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone |
JP2004503085A (ja) * | 2000-06-30 | 2004-01-29 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 削剥領域を備えたシリコンウエハの製造方法及び製造装置 |
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US4512391A (en) * | 1982-01-29 | 1985-04-23 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet |
US5215619A (en) * | 1986-12-19 | 1993-06-01 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
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US4949783A (en) * | 1988-05-18 | 1990-08-21 | Veeco Instruments, Inc. | Substrate transport and cooling apparatus and method for same |
US5238499A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
US5221403A (en) * | 1990-07-20 | 1993-06-22 | Tokyo Electron Limited | Support table for plate-like body and processing apparatus using the table |
JPH04196528A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Toshiba Corp | マグネトロンエッチング装置 |
US5155652A (en) * | 1991-05-02 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Temperature cycling ceramic electrostatic chuck |
US5213349A (en) * | 1991-12-18 | 1993-05-25 | Elliott Joe C | Electrostatic chuck |
US5376213A (en) * | 1992-07-28 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP3174837B2 (ja) * | 1993-01-20 | 2001-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
KR100238629B1 (ko) * | 1992-12-17 | 2000-01-15 | 히가시 데쓰로 | 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치 |
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