KR960011504A - 액정표시장치에 사용되는 이방성 도전막의 제조방법 - Google Patents

액정표시장치에 사용되는 이방성 도전막의 제조방법 Download PDF

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Abstract

실장용 글래스 마스크를 이용하고, 광을 쪼이면 도전성으로 되는 매개물을 대전시켜두고 노광한다. 이로써, 광이 조사된 매개물의 표면의 전하가 방전 또는 금속판을 통하여 없어지며, 실장패턴에 맞춘 대전패턴을 할 수있다. 다음에 매개물의 표면에, 중핵의 절연체의 표면에 도전성 물질을 도금한 물질인 도전입자를 산포한다. 도전입자는 매개물이 대전하고 있는 부분에 집중적으로 모인다. 이를 이방성 도전막의 절연수지를 도포하든지 전사하여 형성하면, 실장패턴에 맞추어서 도전입자가 편재하는 이방성 도전막이 완성된다.

Description

액정표시장치에 사용되는 이방성 도전막의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도, 제1b도, 제1c도는 본 실시예의 이방성 도전막의 제조방법을 나타내는 제조공정의 단면도.
제4a도, 제4b도는 제1도에 나타내는 부분의 글래스 마스크의 평면도로서, 제4a도가 노광전용 글래스 마스크, 제4b도가 실장용 글래스 마스크.
제5도는 본 발명에 의해 제조된 이방성 도전막의 평면도.

Claims (11)

  1. 광의 조사에 의해 절연성으로부터 도전성으로 변하는 매개물을 설치하는 공정과, 상기 매개물에 선택적으로 광을 조사하는 공정과, 상기 매개물의 상기 광이 조사되어 있는 부분에 도전입자를 편재시키는 공정과, 상기 매개물상에 절연층을 형성하고 상기 절연층내에 상기 도전입자를 포함시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법.
  2. 광의 조사에 의해 절연성으로부터 도전성으로 변하는 매개물을 설치하는 공정과, 상기 매개물의 전면을 한쪽의 전하에 대전시키는 공정과, 소정 패턴으로 패터닝된 글래스 마스크를 통하여, 상기 매개물에 광을 쪼이고, 쪼인부분의 전하를 제전시키고 광이 쪼이지 않은 부분을 대전된 채의 상태로 하는 공정과, 상기 대전된 부분의 상기 매개물상에 반대의 전하에 대전한 도전입자를 편재화시키는 공정과, 상기 매개물상에 절연층을 형성하고 상기 절연층내에 상기 도전입자를 포함시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법.
  3. 광의 조사에 의해 절연성으로부터 도전성으로 변하는 매개물을 형성하는 공정과, 상기 매개물의 전면을 대전시키는 공정과, 소정패턴이 광불투과성의 제 1 부분과 광투과성의 제 2 부분으로 이루어지는 실장용 글래스 마스크를 통하여, 상기 매개물에 광을 쪼이고, 쪼인부분의 전하를 제전시키고, 광이 쪼이지 않은 부분을 대전된채의 상태로 하는 공정과, 상기 대전된 부분의 상기 매개물상에 반대의 전하로 대전한 도전입자를 전기적 인력에 의해 편재화시키는 공정과, 상기 매개물상에 절연층을 형성하고 상기 절연층내에 상기 도전입자를 포함시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 도전입자는, 중핵의 절연체의 표면에 도전성 물질을 도금한 물질인 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 매개물은 폴리에틸렌텔레프탈레이트 또는 폴리테트라플루오로에틸렌인 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법.
  6. 액정패널의 전극 및 구동용 소자의 전극을 이방성 도전막으로 접속하는 액정패널의 제조방법에 있어서, 상기 이방성 도전막의 제조방법은, 광의 조사에 의해 절연성으로부터 도전성으로 변하는 매개물을 형성하는 공정과, 상기 매개물에 선택적으로 광을 조사하는 공정과, 상기 매개물의 상기 광이 조사되어 있는 부분에 도전입자를 편재시키는 공정과, 상기 매개물상에 절연층을 형성하고 상기 절연층내에 상기 도전입자를 포함시키는공정을 갖는 것을 특징으로 하는 액정패널의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 매개물을 상기 액정 패널을 마스크로 하여 상기 매개물에 광을 조사하고, 상기 액정 패널의 전극이 형성된 부분은 광이 투과하지 않고 그 이외의 부분은 광이 투과하여 상기 매개물을 도전성으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조방법.
  8. 제2항에 있어서, 상기 도전입자는, 중핵의 절연체의 표면에 도전성 물질을 도금한 물질인 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법.
  9. 제3항에 있어서, 상기 도전입자는, 중핵의 절연체의 표면에 도전성 물질을 도금한 물질인 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법.
  10. 제2항 또는 8항에 있어서, 상기 매개물은 폴리에틸렌텔레프탈레이트 또는 폴리테트라플루오로에틸렌인 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법.
  11. 제3항 또는 9항에 있어서, 상기 매개물은 폴리에틸렌텔레프탈레이트 또는 폴리테트라플루오로에틸렌인 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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