KR960009148A - 반도체 소자의 파우어-업 제어회로 - Google Patents

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KR960009148A
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현대전자산업 주식회사
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    • G11C11/40611External triggering or timing of internal or partially internal refresh operations, e.g. auto-refresh or CAS-before-RAS triggered refresh

Abstract

본 발명은 반도체 소자에 전원이 인가되고 외부 카스신호가 스탠바이 상태로 천이하기 이전에 내부 카스신호를 디스에이블시켜 디램의 데이타 출력버퍼에서 시스템의 입출력 버퍼로의 단락 전류 패스를 제거함으로써 소자의 래치-업을 방지하기 위하여, 소자에 전원이 인가되고 외부 제어신호가 스탠바이 상태로 천이하는 것을 감지하여 파우어-업 감지신호를 출력하는 파우어-업 감지신호 발생회로와, 상기 파우어-업 감지신호 발생회로의 출력에 의해 제어되며 외부 카스신호를 입력으로 하여 내부 카스신호를 출력하는 내부 카스신호 발생회로로 구현한 파우어-업 제어회로에 관한 기술이다.

Description

반도체 소자의 파우어-업 제어회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도(a) 내지 (b)는 본 발명에 의한 파우어-업 제어회로도.
제4도는 본 발명에 의한 파우어-업 제어회로의 출력파형도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자에 전원이 인가된 초기에 소자 외부로부터 입력된 제어신호가 스탠바이 상태로 천이하는 것을 감지하여 인에이블된 파우어-업 감지신호를 출력하는 파우어-업 감지신호 발생부와, 상기 파우어-업 감지신호 발생부의 출력에 의해 동작이 제어되며, 외부 카스신호를 입력으로 하여 내부 카스신호를 출력하는 내부 카스신호 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 파우어-업 제어회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 파우어-업 감지신호 발생부는, 전원전압과 제1 노드 사이에 접속되며 게이트가 제2 노드에 연결된 피모스(PMOS)형 트랜지스터와, 상기 제1 노드와 접지전압 사이에 접속되며 게이트로 외부 제어신호가 인가되는 제1 엔모스(NMOS)형 트랜지스터와, 전원전압과 제1 노드 사이에 접속된 캐패시터 성분과, 상기 제1 노드와 접지전압 사이에 접속되며 게이트가 제2 노드에 연결된 제2 엔모스형 트랜지스터와, 상기 제1 노드의 신호를 반전시켜 제2 노드로 출력하는 제1 반전 게이트와, 상기 제2 노드의 신호를 반전시켜 파우어-업 감지신호를 출력하는 제2 반전 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 파우어-업 제어회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내부 카스신호 발생부는, 전원전압과 제1 노드 사이에 접속되며 게이트로 상기 파우어-업 감지신호 발생부의 출력이 인가되는 제1 피모스형 트랜지스터와, 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속되며 게이트로 외부 카스신호가 인가되는 제2 피모스형 트랜지스터와, 상기 제2 노드와 접지전압 사이에 접속되며 게이트로 외부 카스신호가 인가되는 제1 엔모스형 트랜지스터와, 상기 제2 노드와 접지전압 사이에 접속되며 게이트로 파우어-업 감지신호 발생부의 출력이 인가되는 제2 엔모스형 트랜지스터와, 상기 제2 노드의 신호를 입력으로 하여 내부 카스신호를 출력하는 출력 구동단을 포함하는 것을 특징으로 하는 파우어-업 제어회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940019687A 1994-08-10 1994-08-10 반도체 소자의 파우어-업 제어회로 KR0132748B1 (ko)

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