KR960005867A - 반도체 소자의 도전층 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 도전층 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 도전층 형성방법에 관한 것으로,H2SO4/H2O2세정액을 사용한 세정시 도핑된 불순물의 외부확산을 방지하기 위해 불순물 이온이 주입된 폴리실리콘층 상부에 장벽 산화막(Barrier Oxide)을 형성시키므로써 도전층의 자체저항을 안정화시켜 소자의 신뢰성을 향상시킬수 있는 반도체 소자의 도전층 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2F도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 도전층 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도이다.
Claims (1)
- 반도체 소자의 도전층 형성방법에 있어서, 소정의 기판(1)상에 폴리실리콘층(2)을 형성시키고 불순물 이온을 주입시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 폴리실리콘층(2) 상부에 장벽 산화막(4)을 형성시키기 위해 오존(O3)이 공급되는 순수에 세정시키는 단계와, 상기 단계로부터 유기물 제거를 위해 H2SO4/H2O2로 세정시키는 단계와, 상기 단계로부터 HF 및 HCℓ/H2O2/H2O에서 각각 세정시킨 후 건조시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 도전층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940016101A KR960005867A (ko) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 반도체 소자의 도전층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940016101A KR960005867A (ko) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 반도체 소자의 도전층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960005867A true KR960005867A (ko) | 1996-02-23 |
Family
ID=66689329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940016101A KR960005867A (ko) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 반도체 소자의 도전층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960005867A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980030939A (ko) * | 1996-10-30 | 1998-07-25 | 김영환 | 웨이퍼 세정방법 |
-
1994
- 1994-07-06 KR KR1019940016101A patent/KR960005867A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980030939A (ko) * | 1996-10-30 | 1998-07-25 | 김영환 | 웨이퍼 세정방법 |
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