KR960005854A - 반도체 박막 처리방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 가장 높은 증기압에 대한 액원 전구물질이나 또는 성분이 먼저 기화된 후 처리챔버와 간격진 주입점을 가지는 처리챔버와 결합된 공통 분기관에서 증기로서 주입되는 액상 전구물질을 이용한 반도체 기판상의 처리방법 및 장치를 포함한다. 제1액원전구물질보다 낮은 증기압 가지는 제2액원 전구물질은 그후에 이전에 기화된 액원 전구물질에 대하여 반복되는 바, 다음의 낮은 증기압을 가지는 각각의 연속한 액원 전구물질은 이전의 액원 전구물질보다는 처리챔버에 더 인접한 점에서 분기관으로 증기형태로 주입된다. 이미 증기화 된 성분의 농축 또는 증기화에 앞서 액체 전구물질의 조급한 가열을 완화하는 동안 그후에 온도증감은 처리챔버를 향하는 방향에서 점차증가하는 분기관을 따라 유지된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명을 실시하는 장치의 배열을 설명하는 다이어그램이다.
Claims (18)
- 하나 이상의 액원 전구물질을 이용한 반도체 기판상의 박막처리방법에 있어서, a)공통온도에서 상기 각각의 액체전구물질의 상대적인 증기압을 결정하고; b)가장 높은 증기압을 가지는 제1액원 전구물질을 기화하며, 그후에 처리챔버와 접속된 분기관에서 생성된 증기를 주입하고 분기관에서 기화된 제1액원 전구물질의 주입점은 처리챔버로 부터 멀리 간격지고; c)제2액원 전구물질을 기화하고,제1액원 전구물질보다 낮은 증기압을 가지고, 그후에 기화된 제1액원 전구물질의 주입점보다 처리챔버에 더욱 가까운 기화된 제2액원 전구물질의 주입점에서 분기관으로 생성 증기를 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 제1항에 있어서, 각각이 제1 및 제2액원 전구물질의 각각의 증기압보다 작은 증기압을 가지는 하나 이상의 추가 액원 전구물질이 기화되고, 생성 증기가 다음으로 높은 증기압을 가지는 액원 전구물질보다 처리 챔버에 더욱 가까운 점에서 분기관으로 주입되고, 다음으로 낮은 증기압을 가지는 각각의 연속한 액원 전구물질은 이전의 액원 전구물질보다 처리 챔버챔버에 더욱 가까운 점에서 분기관으로 증기처럼 주입되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리 방법.
- 제1항에 있어서, 케리어 가스는 제1액원 전구물질의 증기의 분기관으로 주입하기 전의 점에서 분기관으로 흐르는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 제1항에 있어서, 온도 기울기는 상기 처리챔버를 향하는 방향으로 점차 증가된 온도를 가지는 분기관을 따라 유지되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 제4항에 있어서, 분기관으로 주입 및 기화될때 각각의 액원을 가열하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 제5항에 있어서, 분기관안의 기화된 액원의 각 주입점인 하나 이상의 중간 위치에서 분기관을 가열하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 다수의 액원 전구물질을 이용한 반도체 기판상의 박막처리방법에 있어서, a)공통온도에서 상기 각각의 액체전구물질의 상대적인 증기압을 결정하고; b)가장 높은 증기압을 가지는 제1액원 전구물질을 기화하며, 그후에 처리챔버와 접속된 분기관에서 생성된 증기를 주입하고 분기관에서 기화된 제1액원 전구물질의 주입점은 처리챔버로 부터 멀리 간격지고; c)제2액원 전구물질을 기화하고,제1액원 전구물질보다 낮은 증기압을 가지고, 그리고 그후에 처리캠버 위 그러나 분기관내의 기화된 제2액원 전구물질의 주입점에서 분기관안의 제2액원 전구물질에서 나온 생성 증기를 주입하고, d)제3액원 전구물질을 기화하고, 제1 및 제2액원 전구물질의 증기압보다 낮은 증기압을 가지고, 그리고 그후에 처리챔버 위 그러나 분기관내의 기화된 제1 및 제2액원 전구물질의 주입점 아래에 있는 기화된 제3액원 전구물질의 주입점에서 분기관 안의 제3액원 전구물질에서 나온 생성증기를 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 제7항에 있어서, 캐리어 가스는 제1액원 전구물질의 증기의 분기관내의 주입점 위 분기관으로 흐르는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 제7항에 있어서, 온도 기울기는 상기 처리챔버를 향하는 방향으로 점차 증가된 온도를 가지는 분기관을 따라 유==는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 제9항에 있어서, 상기 분기관내에서 기화 및 주입될때 각각의 액운을 가열하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 제10항에 있어서, 분기관안의 기화된 액원의 각 주입점인 하나 이상의 중간 위치에서 분기관을 가열하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 제8항에있어서, 상기 다수의 액원 전구물질중 하나는 반도체 기판상의 붕소로 도핑된 박막을 형성하는데 사용되는 봉소도핑의 액원을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 제8항에 있어서, 액원을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 제8항에있어서, 상기 다수의 액원 전구물질중 하나는 반도체 기판상의 실리콘 산화막을 형성하는데 이용되는 실리콘 액원을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 박막처리방법.
- 다수의 액원 전구물질을 이용한 처리챔버에서 반도체 기판상의 도핑된 실리콘 산화박막 형성방법에 있어서, a)공통온도에서 도판트의 하나이상의 액원 전구물질과 실리콘의 액원 전구물질의 증기압을 결정하고, b)분기관과 접속된 처리챔버 위의 주입점에서 분기관으로 케리어 가스를 흐르게 하고, c)액원 전구물질의 가장높은 증기압을 가지는 제1액원 전구물질을 기화하고, 그후에 케리어 가스의 인입점으로부터 아래 그러나 처리 챔버위의 점에서 분기관내의 제1액원 전구물질로부터 생성증기를 주입하고, d)제2액원 전구물질을 기화하며, 제1액원 전구물질의 증기압보다 작은 증기압을 가지고, 그후에 처리챔버 위 그러나 분기관내의 기화된 제1액원 전구물질의 주입점아래의 기화된 제2액원 전구물질의 주입점에서 분기관내의 분기관내의 제2액원 전구물질에서 생성증기를 주입하고, 그리고 e)처리챔버 위 그러나 분기관내의 기화된 제1 및 제2액원 전구물질의 각각의 주입점 아래점에서 분기관내의 산소 가스원이 흐르는 것을 포함하고 그에 의하여 이미 기화된 액원 전구물질의 기화 및 농축에 앞서 액원 전구물질의 분해 또는 조금한 가열을 완화하는동안 상기 기판상에 도핑된 실리콘 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 도핑된 실리콘 산화박막 형성방법.
- 제15항에 있어서, 하나 이상의 액원 전구물질의 도판트는 붕소 액원 전구물질, 인액원 전구물질, 그리고 붕소와 인 모두의 액원 전구물질로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 도핑된 실리콘 산화박막 형성방법.
- 제15항에 있어서, 실리콘 액언 전구물질은 TEOS를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 도핑된 실리콘 산화박막 형성방법.
- 제15항에 있어서, 실리콘 액원 전구물질은 TEOS를 포함하고, 하나 이상의 액원 전구물질의 도판트는 붕소 액원 전구물질, 인액원 전구물질 그리고 붕소와 인 모두의 액원 전구물질로 이루어진 그룹으로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 도핑된 실리콘 산화박막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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