KR960003093A - 반도체 장치의 제어회로 - Google Patents

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Abstract

1.청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
전자회로 분야
2. 발명이 해결하고자 하는 과제
용량결합에 의한 게이트전위의 상승 및 서지전압의 저하, 절연게이트형 반도체장치의 스위칭동작을 안정화시킬 수 있는 제어회로를 구비한 반도체장치를 제공하는 것이 목적으로 한다.
3.발명의 해결방법의 요지
본 발명에 따른 반도체장치의 제어회로는 온오프신호를 발생하는 스위칭신호원과, 제어전원에 접속된 콜렉터, 상기 스위칭신호원으로부터 온오프신호를 받는 베이스, 온오프구동전압을 출력하는 에미터를 각각 갖는 직렬연결의 npn트랜지스터 및 pnp트랜지스터와, 반도체장치의 게이트단자에 접속된 출력단자를 갖는 구동회로와, 스위칭신호원으로부터의 온오프신호의 상승 및 하강에 일정한 기울기를 부여하여 이 온오프신호를 상기 구동회로의 npn 트랜지스터 및 pnp 트랜지스터의 각 베이스에 공급하는 스위칭속도제어수단을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
전동기 구동용의 인버터 장치 등에 스위칭소자로서 사용되는 전력 MOSFET,IGBT등의 절연게이트형 반도제장치를 제어하는데 사용됨.

Description

반도체 장치의 제어회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치의 제어회로의 구성을 나타내는 개략도,
제3도는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 반도체 장치의 제어회로의 구성을 나타내는 개략도,

Claims (7)

  1. 온오프신호를 발생하는 스위칭신호원과, 제어전원에 접속된 콜렉터, 상기 스위칭신호원으로부터 온오프신호를 받는 베이스, 온오프구동전압을 출력하는 에미터를 각각 갖는 직렬연결의 npn트랜지스터 및 pnp트랜지스터와, 반도체장치의 게이트단자에 접속된 출력단자를 갖는 구동회로와, 스위칭신호원으로부터의 온오프신호의 상승 및 하강에 일정한 기울기를 부여하여 이 온오프신호를 상기 구동회로의 npn 트랜지스터 및 pnp 트랜지스터의 각 베이스에 공급하는 스위칭속도제어수단을 구비하는 것이 특징으로 하는 반도체장치의 스위칭동작을 제어하는 반도체장치의 제어회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 구동회로의 pnp 트랜지스터에 탈링톤 접속되는 게이트 안정용 pnp 트랜지스터를 구비하며, 그 에미터가 상기 반도체자치의 소스에 접속된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 스위칭동작을 제어하는 반도체장치의 제어회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반도체장치의 게이트전위가그 드레숄드값 이하로 하강하는 것을 검지하면 상기 게이트전위 안정용 npn 트랜지스터에 온 명령을 발생하는 안정동작확장수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 스위칭동작을 제어하는 반도체장치의 제어회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스위칭속도제어수단이 스위칭신호원에 접속된 베이스와 상기 구동회로의 베이스에 접속된 콜렉터를 포함하는 npn 트랜지스터와, 이 npn 트랜지스터의 콜렉터와 베이스 사이에 삽입되는 콘덴서와, 이 npn 트랜지스터의 콜렉터와 상기 제어전원 사이에 삽입되는 정전류원을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 스위칭동작을 제어하는 반도체장치의 제어회로.
  5. 제3항에 있어서, 상기 안정동작확장수단은 상기 반도체장치의 게이트전위가 드레솔드값 이하로 하강하는 것을 감지하면 온 신호를 출력하는 비교기와, 이 비교기로부터의 온 신호 및 상기 스위칭신호원으로부터의 오프신호에 반응하여 온 신호를 발생하는 게이트회로와, 상기 게이트회로로부터의 온 신호에 반응하여 턴온하여 상기 게이트전위 안정화 npn 트랜지스터에 구동신호를 출력하는 npn 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 스위칭동작을 제어하는 반도체장치의 제어회로.
  6. 제2항에 있어서, 상기 구동회로의 npn 트랜지스터오아 상기 게이트 전위 안정화 npn 트랜지스터는 각각 달링통 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 스위칭동작을 제어하는 반도체장치의 제어회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반도체장치는 절연게이트형 반도체장치인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 스위칭동작을 제어하는 반도체장치의 제어회로.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0946141A (ja) * 1995-07-27 1997-02-14 Nec Eng Ltd バイアス回路
DE19610895A1 (de) * 1996-03-20 1997-09-25 Abb Research Ltd Verfahren zur Einschaltregelung eines IGBTs und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP3566805B2 (ja) * 1996-04-11 2004-09-15 日本原子力研究所 摺動部材
JPH1051285A (ja) * 1996-05-28 1998-02-20 Mitsubishi Electric Corp 電圧制御型トランジスタの駆動回路
JPH10754A (ja) * 1996-06-17 1998-01-06 Shinohara Tekkosho:Kk 枚葉式印刷機の版胴
CA2232199C (en) * 1997-04-22 2000-02-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Power converter with voltage drive switching element
AU727159B2 (en) * 1997-04-22 2000-12-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Power converter
DE19717012B4 (de) * 1997-04-23 2006-03-16 Robert Bosch Gmbh Elektronische Schaltung
US5834964A (en) * 1997-06-02 1998-11-10 Cherry Semiconductor Corporation Lateral PNP fast turn-on circuit
JP3409994B2 (ja) * 1997-06-20 2003-05-26 株式会社東芝 自己消弧形素子駆動回路
JP3432425B2 (ja) 1998-08-05 2003-08-04 株式会社東芝 ゲート回路
JP3666843B2 (ja) 1999-02-26 2005-06-29 株式会社東芝 絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路
US6377088B1 (en) * 2000-07-21 2002-04-23 Semiconductor Components Industries Llc Sharp transition push-pull drive circuit with switching signal input circuit
JP2004215458A (ja) 2003-01-08 2004-07-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体スイッチング素子の駆動回路
JP3799341B2 (ja) * 2003-07-25 2006-07-19 株式会社東芝 ゲート駆動回路及び半導体装置
US7061301B2 (en) 2003-12-19 2006-06-13 Power Integrations, Inc. Method and apparatus switching a semiconductor switch with a multi-state drive circuit
US7330017B2 (en) * 2004-01-29 2008-02-12 Enpirion, Inc. Driver for a power converter and a method of driving a switch thereof
JP2005218068A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Nippon Precision Circuits Inc 半導体スイッチング回路
JP4144541B2 (ja) * 2004-03-19 2008-09-03 日産自動車株式会社 電圧駆動型半導体素子用駆動回路
JP2006141078A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Mitsubishi Electric Corp 駆動回路と電力用半導体装置
US7746155B2 (en) * 2005-03-30 2010-06-29 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for transistor turn-off with strong pulldown
JP2006296119A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Nichicon Corp 半導体スイッチング素子の駆動回路
JP2007028278A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Denso Corp 駆動回路
US7521907B2 (en) 2006-03-06 2009-04-21 Enpirion, Inc. Controller for a power converter and method of operating the same
ATE413729T1 (de) * 2006-07-05 2008-11-15 Infineon Technologies Ag Mos-transistorschaltung mit gesteuerter anstiegszeit
US7893676B2 (en) * 2006-07-20 2011-02-22 Enpirion, Inc. Driver for switch and a method of driving the same
US7948280B2 (en) * 2006-10-20 2011-05-24 Enpirion, Inc. Controller including a sawtooth generator and method of operating the same
JP2007166655A (ja) * 2007-02-05 2007-06-28 Hitachi Ltd 電力用半導体素子の駆動装置
US7570098B2 (en) * 2007-09-27 2009-08-04 Niko Semiconductor Co., Ltd. Active voltage-clamping gate driving circuit
US7876080B2 (en) * 2007-12-27 2011-01-25 Enpirion, Inc. Power converter with monotonic turn-on for pre-charged output capacitor
US8410769B2 (en) * 2008-04-16 2013-04-02 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US9246390B2 (en) 2008-04-16 2016-01-26 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US7679342B2 (en) * 2008-04-16 2010-03-16 Enpirion, Inc. Power converter with power switch operable in controlled current mode
US8692532B2 (en) * 2008-04-16 2014-04-08 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US8541991B2 (en) * 2008-04-16 2013-09-24 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US8686698B2 (en) 2008-04-16 2014-04-01 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
JP5195220B2 (ja) * 2008-09-22 2013-05-08 株式会社デンソー 電力変換回路の駆動回路
US9548714B2 (en) * 2008-12-29 2017-01-17 Altera Corporation Power converter with a dynamically configurable controller and output filter
US8698463B2 (en) * 2008-12-29 2014-04-15 Enpirion, Inc. Power converter with a dynamically configurable controller based on a power conversion mode
CA2759210A1 (en) 2009-05-11 2010-11-18 Ss Sc Ip, Llc Gate driver for enhancement-mode and depletion-mode wide bandgap semiconductor jfets
JP5282782B2 (ja) * 2010-12-14 2013-09-04 株式会社デンソー スイッチング素子の駆動回路
US8867295B2 (en) 2010-12-17 2014-10-21 Enpirion, Inc. Power converter for a memory module
KR101297460B1 (ko) * 2012-04-24 2013-08-16 엘에스산전 주식회사 게이트 구동 장치
JP5673634B2 (ja) 2012-09-24 2015-02-18 株式会社デンソー 駆動対象スイッチング素子の駆動回路
DE102014108576B4 (de) * 2014-06-18 2024-01-18 Sma Solar Technology Ag Treiberschaltung mit Miller-Clamping-Funktionalität für Leistungshalbleiterschalter, Leistungshalbleiterschalter und Wechselrichterbrücke
US9509217B2 (en) 2015-04-20 2016-11-29 Altera Corporation Asymmetric power flow controller for a power converter and method of operating the same
CN105048790B (zh) * 2015-07-22 2017-12-05 深圳市稳先微电子有限公司 功率管控制系统和用于驱动外置功率管的驱动电路
CN109605481B (zh) * 2018-12-10 2021-02-02 无锡百得包装材料有限公司 高速模切机电磁线圈控制电路
US10790818B1 (en) * 2019-09-27 2020-09-29 Infineon Technologies Austria Ag Slew rate control by adaptation of the gate drive voltage of a power transistor
US11038502B1 (en) * 2020-03-23 2021-06-15 Texas Instruments Incorporated Methods, apparatus, and systems to drive a transistor
CN114323089A (zh) * 2020-10-12 2022-04-12 群创光电股份有限公司 光检测元件

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3509367A (en) * 1966-12-27 1970-04-28 American Standard Inc Ultralinear sweep generator
EP0101751B1 (de) * 1982-08-25 1991-08-21 Ibm Deutschland Gmbh Transistor-Leistungsverstärker mit verringerten Schaltzeiten
US4488068A (en) * 1982-09-28 1984-12-11 Eaton Corporation Bidirectional drain to drain stacked FET gating circuit
JPS61184402A (ja) * 1985-01-04 1986-08-18 ハリ−・レスリ−・ア−ナル キヤリパ
US4859927A (en) * 1988-10-28 1989-08-22 Fisher Scientific Company Power supply with improved switching regulator
US5027016A (en) * 1988-12-29 1991-06-25 Motorola, Inc. Low power transient suppressor circuit
EP0487964A3 (en) * 1990-11-29 1993-08-18 Siemens Aktiengesellschaft Circuit arrangement for protecting a field-effect-controlled semiconductor against overload

Also Published As

Publication number Publication date
US5625312A (en) 1997-04-29
DE69529494T2 (de) 2003-06-05
JPH0818423A (ja) 1996-01-19
EP0690572A2 (en) 1996-01-03
JP3123349B2 (ja) 2001-01-09
DE69529494D1 (de) 2003-03-06
EP0690572B1 (en) 2003-01-29
EP0690572A3 (en) 1997-02-26
TW267274B (ko) 1996-01-01
KR100320398B1 (ko) 2002-04-22

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