KR960002623A - 플라즈마 반응기를 위한 개선된 정치식 포커스 링 - Google Patents

플라즈마 반응기를 위한 개선된 정치식 포커스 링 Download PDF

Info

Publication number
KR960002623A
KR960002623A KR1019950014157A KR19950014157A KR960002623A KR 960002623 A KR960002623 A KR 960002623A KR 1019950014157 A KR1019950014157 A KR 1019950014157A KR 19950014157 A KR19950014157 A KR 19950014157A KR 960002623 A KR960002623 A KR 960002623A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
focus ring
wafer
focus
opening
Prior art date
Application number
KR1019950014157A
Other languages
English (en)
Inventor
수 유-지아
Original Assignee
제임스 조셉 드롱
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제임스 조셉 드롱, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 제임스 조셉 드롱
Publication of KR960002623A publication Critical patent/KR960002623A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/915—Differential etching apparatus including focus ring surrounding a wafer for plasma apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

웨이퍼를 처리하는 동안 플라즈마 반응기에서 사용하기 위한 정치식 포커스 링은 웨이퍼 전달 블래이드 및 웨이퍼를 통과시킬 수 있는 제1슬롯이 형성된 오프닝을 포함하고 제2슬롯이 형성된 오프닝을 포함하고, 여기서 상기 2개의 오프닝이 상기웨이퍼 표면을 가로질러 균형된 가스 흐름분포를 제공하도록 협력되어, 처리의 균일성이 상기 웨이퍼 표면을 가로질러 달성되도록 하고, 한편 상기 오프닝의 실제 크기를 최소화하여 고체의 운동 가능성 포커스 링과 적절한 반응의 증가된 수준을 제공한다. 선택적으로 챔버 부피를 교체하고 그리고 이에 따라 반응챔버 내에서 가스흐름을 안정화하는 두꺼운 포커스 링은 환형의 편심의 및/또는 배플 배치를 가져서, 상기 웨이퍼 표면을 가로질러 균일한 가스흐름 분포를 제공하도록 한다.

Description

플라즈마 반응기를 위한 개선된 정치식 포커스 링
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 슬롯이 형성된 정치식 포커스 링을 포함하는 반응 챔버의 부분 개략도,
제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 슬롯이 형성된 정치식 포커스 링의 사시도.

Claims (20)

  1. 반도체 웨이퍼를 처리하는 플라즈마 반응기를 위한 포커스 링으로서, 상기 포스 링은 상기 웨이퍼 원주를 둘러싸고 a) 상단 링 부분과 b) 하단 링 부분과 그리고 c) 상기 상단 및 하단 링 부분을 결합하는 적어도 하나의 링크로서, 상기 상단 및 하단 링 부분과 상기 링크가 웨이퍼 전달 블래이드 및 웨이퍼를 수용하도록 적용된 제1슬롯이 형성된 오프닝을 규정하도록 하는 적어도하나의 링크를 포함하고, 상기 제1 및 제2슬롯이 형성된 오프닝은 처리가스를 상기 웨이퍼 표면을 가로질러 배출되게 협력되도록 적용되어, 상기 웨이퍼 표면을 가로지르는 가스 흐름 분포가 균형이 잡혀서, 오염입자가 상기 웨이퍼 에지로 부터 세척되도록 하는 포커스 링.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1슬롯이 형성돈 오프닝이 반응기 슬릿 밸브와 배열되어 상기 포커스 링은 웨이퍼를 실고, 내리고 그리고 처리하는 동안 정치되도록 하는 포커스 링.
  3. 제1항에 있어서, 상기 포커스 링이 단일 구조인 포커스 링.
  4. 제1항에 있어서, 상기 포커스 링이 a) 상단 포커스 링 부분과 b) 하단 포커스 링 부분과 그리고 c) 상기 제1 및 제2링 부분에 적용된 링크로 이루어진 복합구조인 포커스 링.
  5. 제4항에 있어서, 상기 링크가 a) 하나의 링 부분으로 부터 수직으로 돌출되는 탭 그리고 b) 상기 탭을 수용하도록 적용된 상기 다른 링내에 형성된 슬롯을 더 포함하는 포커스 링.
  6. 제4항에 있어서, 상기 링크가 a) 각각의 상기 제1 및 제2링 부분내에 형성된 정렬된 저어널과 그리고 b) 상기 제1 및 제2링 부분을 결합하기 위해 상기 정렬된 저어널 내에서 셋팅되어 적용된 핀을 더 포함하는 포커스 링.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제1링 부분이 상단 링 부분으로 이루어지고, 그리고 상기 상단 링 부분은 적어도 하나의 선택된 포커스 링 배치를 규정하는 포커스 링.
  8. 제7항에 있어서, 상기 상단 링 부분이 다수의 선택된 포커스 링 배치를 규정하는 다수의 교체할 수 있는 상단 링을 더 포함하는 포커스 링.
  9. 제4항에 있어서, 상기 제1링 부분 및 상기 제2링 부분이 다른 재료로 제조되는 포커스 링.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1링 부분이 쎄라믹, 석영 및 코바르R(KovarR)를 포함하는 그룹으로 부터 선택된 재료로 제조되는 상단 링 부분으로 이루어지며 그리고 상기 제2링 부분이 처리민감 재료로 제조되는 하단 링 부분으로 이루어지는 포커스 링.
  11. 제10항에 있어서, 상기 처리민감 베스펠R(VespllR)인 포커스 링.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2슬롯이 형성된 오프닝이 크기가 동일하지 않은 포커스 링.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2슬롯이 형성된 오프닝에 처리 가스 방벽을 규정하는 상기 웨이퍼 표면위에 형성되는 하단 오프닝 에지가 갖춰지는 포커스 링.
  14. 제1항에 있어서, 상기 포커스 링이 약 2mm보다 큰 링 두께를 갖는 포커스 링.
  15. 제14항에 있어서, 상기 포커스 링이 반응기 내부 벽 표면 이하로 외부 링 표면을 연장하기에 충분한 링 두께를 갖는 포커스 링.
  16. 제15항에 있어서, 상기 포커스 링에 그것을 통해 형성되고 배기 플리넘과 소통되는 구멍이 갖춰지는 포커스 링.
  17. 제14항에 있어서, 상기 포커스 링이 편심의 외부 링 표면을 갖는 포커스 링.
  18. 반도체 웨이퍼를 처리하는 플라즈마 반응기를 위한 정치식, 복합 포커스 링으로서, 상기 포커스 링은 상기 웨이퍼 원주를 둘러싸고 a) 상단 링 부분과 b) 하단 링 부분과 그리고 c) 상기 상단 및 하단 링 부분을 결합하는 적어도 하나의 링크로서, 상단 및 하단 링 부분과 상기 링크가 반응기 슬릿 밸브가 배열되고 웨이퍼 전달 블래이드 및 웨이퍼를 수용하도록 적용된 제1슬롯이 형성된 오프닝 및 상기 웨이퍼 표면을 가로질러 처리가스를 배출하도록 적용된 제2슬롯이 형성된 오프닝을 규정하도록 하고, 상기 제1 및 제2슬롯이 형성된 오프닝은 처리가스 방벽을 규정하는 웨이퍼 표면위에 형성된 하단 오프닝 에지가 갖춰지는 적어도 하나의 링크를 포함하여, 이에 따라 균일한 가스 흐름 분포가 상기 웨이퍼 표면을 가로질러 유지되는 정치식 복합 포커스 링.
  19. 제18항에 있어서, 상기 포커스 링이 약 2mm 이상인 링 두께를 갖는 포커스 링.
  20. 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 플라즈마 반응기에서, 상기 웨이퍼 표면을 가로질러 균일한 가스 흐름의 분포를 유지하는 방법으로서, a) 반응기 슬릿 밸브가 배치된 고정된 포커스 링내에 형성된 제1슬롯이 형성된오프닝을 통해 웨이퍼 전달 블래이드 및 웨이퍼를 수용하는 단계와, b) 상기 포커스 링이 형성된 제2슬롯이 형성돈 오프닝을 통해 상기 웨이퍼 표면을 가로질러 처리가스를 배출하는 단계로 이루어지고, 상기 제1 및 제2슬롯이 형성된 포커스 링 오프닝이 상기 웨이퍼 표면을 가로질러 균일한 처리가스 흐름 분포를 제공하도록 협력하기 위한 유지방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950014157A 1994-06-22 1995-05-31 플라즈마 반응기를 위한 개선된 정치식 포커스 링 KR960002623A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/263,847 1994-06-22
US08/263,847 US5552124A (en) 1994-06-22 1994-06-22 Stationary focus ring for plasma reactor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR960002623A true KR960002623A (ko) 1996-01-26

Family

ID=23003487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950014157A KR960002623A (ko) 1994-06-22 1995-05-31 플라즈마 반응기를 위한 개선된 정치식 포커스 링

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5552124A (ko)
JP (1) JPH08102461A (ko)
KR (1) KR960002623A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100402904B1 (ko) * 2000-05-23 2003-10-30 동명화학공업 주식회사 폴리염화알루미늄의 불용성 침전물을 폴리염화알루미늄의제조에 이용하는 방법
KR100430750B1 (ko) * 2001-07-18 2004-05-10 동명화학공업 주식회사 무기응집제로부터 발생한 교질침전상태의 수산화알루미늄 재활용방법

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5891348A (en) * 1996-01-26 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Process gas focusing apparatus and method
US5788799A (en) * 1996-06-11 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces
US6013155A (en) * 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
JP2000514136A (ja) 1996-06-28 2000-10-24 ラム リサーチ コーポレイション 高密度プラズマ化学蒸着装置および方法
US6113731A (en) * 1997-01-02 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Magnetically-enhanced plasma chamber with non-uniform magnetic field
US6284093B1 (en) 1996-11-29 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US6184158B1 (en) 1996-12-23 2001-02-06 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma CVD
JP3077623B2 (ja) * 1997-04-02 2000-08-14 日本電気株式会社 プラズマ化学気相成長装置
US5900064A (en) * 1997-05-01 1999-05-04 Applied Materials, Inc. Plasma process chamber
WO1998058098A1 (en) * 1997-06-18 1998-12-23 Applied Materials, Inc. Magnetic parts and method for using same
US6042687A (en) * 1997-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing
US6074488A (en) * 1997-09-16 2000-06-13 Applied Materials, Inc Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring
US6051099A (en) * 1997-10-14 2000-04-18 International Business Machines Corporation Apparatus for achieving etch rate uniformity
US6125789A (en) * 1998-01-30 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Increasing the sensitivity of an in-situ particle monitor
KR100521290B1 (ko) * 1998-06-24 2005-10-17 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 드라이 에칭 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US6117401A (en) * 1998-08-04 2000-09-12 Juvan; Christian Physico-chemical conversion reactor system with a fluid-flow-field constrictor
US6074953A (en) * 1998-08-28 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Dual-source plasma etchers, dual-source plasma etching methods, and methods of forming planar coil dual-source plasma etchers
US6257168B1 (en) 1999-06-30 2001-07-10 Lam Research Corporation Elevated stationary uniformity ring design
US6709547B1 (en) * 1999-06-30 2004-03-23 Lam Research Corporation Moveable barrier for multiple etch processes
US6350317B1 (en) 1999-12-30 2002-02-26 Lam Research Corporation Linear drive system for use in a plasma processing system
US6494958B1 (en) 2000-06-29 2002-12-17 Applied Materials Inc. Plasma chamber support with coupled electrode
CN101038863B (zh) 2001-02-15 2011-07-06 东京毅力科创株式会社 被处理件的处理方法及处理装置
TWI246873B (en) 2001-07-10 2006-01-01 Tokyo Electron Ltd Plasma processing device
US7252738B2 (en) * 2002-09-20 2007-08-07 Lam Research Corporation Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
US20040261946A1 (en) 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
KR100672828B1 (ko) * 2005-06-29 2007-01-22 삼성전자주식회사 챔버 인서트 및 이를 포함하는 기판 가공 장치
WO2007099786A1 (ja) * 2006-02-23 2007-09-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
EP1968098A1 (en) 2007-03-08 2008-09-10 Applied Materials, Inc. Suction device for plasma coating chamber
DE102007027704A1 (de) * 2007-06-15 2008-12-18 Aixtron Ag Vorrichtung zum Beschichten von auf einem Suszeptor angeordneten Substraten
US20090107955A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Tiner Robin L Offset liner for chamber evacuation
JP5635001B2 (ja) * 2008-09-26 2014-12-03 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 結合リングをクロック回転させることによって調整可能な静電チャックとホットエッジリングとの間の熱的接触
JP2009191365A (ja) * 2009-03-19 2009-08-27 Canon Anelva Corp 金属膜作製装置及び金属膜作製方法
KR101174816B1 (ko) * 2009-12-30 2012-08-17 주식회사 탑 엔지니어링 플라즈마 처리 장치의 포커스 링 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치
WO2013133983A1 (en) * 2012-03-05 2013-09-12 Applied Materials, Inc. Substrate support with ceramic insulation
JP6226118B2 (ja) * 2013-07-25 2017-11-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN107227448B (zh) * 2017-06-30 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 基座以及物理气相沉积装置
US20220084845A1 (en) * 2020-09-17 2022-03-17 Applied Materials, Inc. High conductance process kit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4612432A (en) * 1984-09-14 1986-09-16 Monolithic Memories, Inc. Etching plasma generator diffusor and cap
JP2501948B2 (ja) * 1990-10-26 1996-05-29 三菱電機株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US5246532A (en) * 1990-10-26 1993-09-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
US5384009A (en) * 1993-06-16 1995-01-24 Applied Materials, Inc. Plasma etching using xenon
US5405491A (en) * 1994-03-04 1995-04-11 Motorola Inc. Plasma etching process

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100402904B1 (ko) * 2000-05-23 2003-10-30 동명화학공업 주식회사 폴리염화알루미늄의 불용성 침전물을 폴리염화알루미늄의제조에 이용하는 방법
KR100430750B1 (ko) * 2001-07-18 2004-05-10 동명화학공업 주식회사 무기응집제로부터 발생한 교질침전상태의 수산화알루미늄 재활용방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5552124A (en) 1996-09-03
JPH08102461A (ja) 1996-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960002623A (ko) 플라즈마 반응기를 위한 개선된 정치식 포커스 링
KR950034589A (ko) 개선된 포커스링을 구비하고 있는 플라즈마 반응기
US4750505A (en) Apparatus for processing wafers and the like
JP4803592B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
KR960015715A (ko) 반도체 기판상에서 에지 증착을 제어하는 장치 및 그 방법
JPH10209102A (ja) 基板処理装置
EP1255282A2 (en) Thin-plate supporting container
TW365550B (en) Method and apparatus for chemical processing semiconductor wafers
US5421595A (en) Vacuum chuck with venturi jet for converting positive pressure to a vacuum
KR950034653A (ko) 반도체 기판을 고정시키기 위한 내식성 정전 척
KR950001955A (ko) 열처리장치 및 열처리방법
KR920012537A (ko) 화학기상 성장장치
US5529626A (en) Spincup with a wafer backside deposition reduction apparatus
KR960705692A (ko) 식각 균일도 개선을 위한 표면 기복 유도 플라즈마 향상 기술(topology induced plasma enhancement for etched uniformity improvement)
KR0129660B1 (ko) 현상장치
JP2007335758A (ja) 液処理装置および液処理方法
KR960043011A (ko) 플라즈마 가공중에 기판의 표면상으로 플라즈마를 집중시키도록 웨이퍼를 지지하기 위한 척조립체 및 방법
JPH07211658A (ja) ウエハーキャリヤ
JPH0636409B2 (ja) 光照射型気相処理装置
KR930007610Y1 (ko) 가스 배출 장치
JPH01228123A (ja) 半導体装置用処理装置
JP3307652B2 (ja) 基板を処理するための装置
KR970007495A (ko) 반도체 소자의 제조에 사용되는 도포장치
JPH07122503A (ja) 半導体製造装置
JPH01170017A (ja) 半導体処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid