JPH08102461A - プラズマリアクター用の改良型固定フォーカスリング - Google Patents

プラズマリアクター用の改良型固定フォーカスリング

Info

Publication number
JPH08102461A
JPH08102461A JP7156140A JP15614095A JPH08102461A JP H08102461 A JPH08102461 A JP H08102461A JP 7156140 A JP7156140 A JP 7156140A JP 15614095 A JP15614095 A JP 15614095A JP H08102461 A JPH08102461 A JP H08102461A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
focus ring
ring
ring portion
slot opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP7156140A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuh-Jia Su
スー ユー−ジア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH08102461A publication Critical patent/JPH08102461A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591Fixed means, e.g. wings, baffles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642Focus rings
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/915Differential etching apparatus including focus ring surrounding a wafer for plasma apparatus

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハー汚染をさらに低減するフォーカスリ
ングを提供すること。 【構成】 プラズマリアクター内で用いる固定フォーカ
スリング25は、第1のスロット開口部22と第2のス
ロット開口部23とを含んでおり、この2つの開口部が
協働してウエハー全面にバランスのとれたガスフロー分
布を提供する。その結果、処理の均一性がウエハー全面
にわたって達成され、その一方で、ソリッドな可動フォ
ーカスリングの反応レベルと等しい、高反応レベルを提
供するよう開口部の実際寸法を最小にしている。また、
チャンバー容積を減じ、チャンバー内のガスフローを安
定化させる厚いフォーカスリング90は、均一なガスフ
ロー分布を提供する円形、偏心形状、もしくはバッフル
形状又はこれらの組合せを有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマリアクター、
例えば、ウエハーエッチング中に半導体ウエハーを処理
するのに用いられるようなプラズマリアクターに関する
ものである。より詳細には、本発明は、プラズマリアク
ター用の改良型固定フォーカスリング(improved stati
onary focus ring)に関する。
【0002】
【従来の技術】エッチングあるいは化学気相堆積のよう
な半導体ウエハー処理ステップは、ウエハー表面全体に
わたる不均一なプラズマ分布から生じるウエハーエッチ
ングの不均一性を低減するためにウエハーの周囲にフォ
ーカスリングを配置したプラズマリアクターを用いるこ
とによって、しばしば行われている。このようなプラズ
マの不均一性は、ウエハー表面全体にわたる不均一な処
理ガス分布によって、あるいはウエハー表面全体にわた
る不均一な電磁場分布や不均一なカソード温度分布のよ
うな他の要因によって引き起こされる。
【0003】通常、処理ガスはチャンバー頂部にてチャ
ンバーに導入されており、所望のチャンバー圧を維持す
るために、この処理ガスが、チャンバーの底部に吸気口
を配置した真空排気システムによりチャンバーから吸引
されている。ウエハーは、一般的にはチャンバーの中央
部に配置されたペディスタル上で支持される。ウエハー
表面全体にわたる処理ガス分布は、真空排気システムの
吸気口の位置によって影響を受け、ウエハーの縁部にお
けるガスの流速がウエハーの中央部での流速よりも大き
くなる。このように、ウエハーエッチング中において、
ウエハー縁部近傍での一層高いプラズマ密度は、ウエハ
ー縁部において、ウエハー中央部でのエッチング速度よ
りも顕著に大きいエッチング速度を生じさせ、それによ
って処理の均一性を低下させる。同様な均一性の欠如は
化学気相堆積(「CVD」)リアクター内でも観察され
る。
【0004】図1は従来の反応チャンバー2の部分断面
概略図であり、この反応チャンバー2は、チャンバー壁
4とチャンバー2に対するウエハーの出入れを可能にす
るスリットバルブ6とを有している。ウエハー10は、
カソードベース13上に配置されたウエハーペディスタ
ル12によって支持されている。ウエハー10は、ペデ
ィスタル12上に載置され且つウエハーを囲んでいるフ
ォーカスリング14によってシールドされている。
【0005】真空ポンプ8により発生する下方への処理
ガスフロー(ガス流)は、参照符号(numeric designat
or)11で示される矢印によって表されている。ウエハ
ー処理中、フォーカスリングは部分的に処理ガスフロー
に対する障壁となっており、このため、ウエハー表面全
体にわたって僅かな背圧がかかり、より多くの処理ガス
をウエハー中央部全体に流れさせる。結果として、さら
に均一なガスフローがウエハー表面全体にわたって提供
され、それによって処理の均一性と処理の効率を向上さ
せている。
【0006】フォーカスリング14は、ウエハー表面の
上方に数cmほど延びており、リフト機構15によって
支持されている。このリフト機構15は、フォーカスリ
ングを充分に持ち上げ、ウエハー10のロードロック室
とチャンバーとの間での移送を可能にしている。リフト
機構15は、カソードベース13を囲むリフトシリンダ
ー15aやカソードベース13内に配置されたリフトス
パイダー15b、リフトスパイダー15b上で支持され
且つペディスタル12における垂直穴17を通って延び
るリフトピン15cなどのようないくつかの可動部分を
有している。
【0007】カソードベース13は、その中にリフトス
パイダー15bの垂直動作を可能にする空所18を含ん
でいる。リフトシリンダー15aを貫通して形成された
窓15dは、リフトシリンダー15aが窓15dをスリ
ットバルブ6と整列させるよう充分に高く上げられるた
びに、ウエハー10はスリットバルブ6を通してウエハ
ーペディスタルにあるいはウエハーペディスタルから移
送させることができる。リフトシリンダー15aが非常
に高く上げられるときは、リフトピン15cは穴を通っ
て延び、ウエハーをペディスタル上方に持ち上げ、ウエ
ハー移送ブレード(図示せず)をウエハーの下に滑り込
ませることを可能にする。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】フォーカスリングは、
ウエハー表面のガスフロー分布を改善することにより、
ウエハー全体におけるウエハー処理速度の均一性を効果
的に改善しているが、フォーカスリングはウエハー縁部
近傍に粒子汚染物16を捕促する傾向がある。このよう
な汚染物はウエハー縁部近傍のウエハーのその部分での
型収率(die yield )を低下させる。粒子汚染物は、チ
ャンバー内の部品、例えばリフト機構15を構成するよ
うな部品を動かすことによっても捕促されるおそれがあ
る。リフト機構15を操作すると、その結果として生じ
る振動が汚染粒子を遊離させ循環させる傾向があり、そ
れによってこのような汚染粒子がウエハー表面上に堆積
する可能性を増大させる。従って、フォーカスリングに
関係する部品の数を減らすことによって、例えば固定フ
ォーカスリングを設けることによって、フォーカスリン
グの複雑性を低減することが望ましい。
【0009】また、フォーカスリングに起因すると考え
られるようなウエハー縁部近傍での粒子汚染の蓄積を、
フォーカスリングの利点を全く損なうことなく除去する
ことも望ましい。ウエハー縁部での粒子の蓄積を低減す
るための手段の一つは、少なくとも1つの開口部をフォ
ーカスリング内に形成することである。なお、この開口
部は、処理ガスがウエハー表面からの汚染粒子をこの開
口部を通して下方にある真空ポンプ排気口の中に掃出す
ることを可能にするものである。このような手段は、ジ
ー・ヒルズ(G.Hills)、ワイ・ジェイ・スー
(Y.J.Su)、ワイ・タナセ(Y.Tanas
e)、アール・ライアン(R.Ryan)により199
4年4月5日に出願されアプライドマテリアルズ・イン
コーポレイティッドに譲渡された米国特許願第08/2
23,335号明細書(プラズマリアクター内の半導体
ウエハー処理用改善フォーカスリング)に開示されてい
る。
【0010】ヒルズらによって開示された固定フォーカ
スリングは価値のあるものであるが、ウエハー汚染の効
果をさらに低減させる必要があると同時にウエハー表面
全体における高度な処理均一性を維持しあるいは向上さ
せる必要がある。
【0011】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、プラ
ズマリアクター用の改良型フォーカスリングを提供して
いる。本発明の好適な実施態様では、スロット付きフォ
ーカスリングは、ウエハー移送ブレードとウエハーとが
通ることのできる第1の開口部と、第2の開口部とを含
んでいる。この2つの開口部は協働してウエハー表面全
体にわたってバランスのとれたガスフロー分布を提供
し、そのため、処理の均一性がウエハー表面全体にわた
って達成されるようにしており、一方ソリッドな可動フ
ォーカスリングの反応レベルと等しい、高反応レベルを
提供する開口部の実際寸法を最小にし、また、汚染粒子
がウエハー縁部から掃出されるのを可能とする。
【0012】フォーカスリングは単体構造又は複合構造
とすることができ、この構造ではフォーカスリングは、
異なった処理にそれぞれ適合する異なる開口部寸法を有
している。そのため、リングのさまざまな部分は、その
特定の機能に対してリングの各部分を最適化するよう異
なった材料で形成されていてもよく、例えばウエハーに
近接したフォーカスリングのその部分に対しては処理耐
性のある材料(process tolerant material )を、ウエ
ハーから離れたところにあるフォーカスリングのその部
分に対しては耐久力のある(durable )安価な材料を用
いることによって形成されてもよい。
【0013】本発明はまた、チャンバー容積(chamber
volume)と入れ代り(displace)チャンバー内のガスフ
ローを安定化させる厚いフォーカスリングを提供してい
る。厚いフォーカスリングは、チャンバー内にウエハー
表面全体にわたって均一なガスフロー分布を提供すべく
ガスフローパターンを形成するための偏心形状を有して
いてもよい。
【0014】さらに、フォーカスリングはチャンバー壁
に延びていてもよく、その場合、フォーカスリングは、
当該フォーカスリングを貫通して形成された様々なスロ
ット及び/又はアパチャーと関連して、チャンバーを流
通するガスフローを安定化させてウエハー表面全体にわ
たって均一なガスフローを提供するためのバッフル(ba
ffle)として作用する。
【0015】
【実施例】本発明は、プラズマリアクター内でのウエハ
ー処理の間、ウエハーをシールドするのに使用するため
の改良型フォーカスリングを提供するものである。本発
明の1つの好適な実施例では、スロット付きフォーカス
リングはウエハー移送ブレードとウエハーとが通ること
のできる第1の開口部を含んでおり、また、第1の開口
部を通るガスフローと相応する速度でガスフローを流通
させることができるよう適合された第2の開口部を含ん
でおり、これによりウエハー表面全体のガスフロー分布
が均一となる。このように、この2つの開口部は協働し
てウエハー表面全体にわたってバランスのとれたガスフ
ロー分布を提供し、その結果、処理の均一性がウエハー
表面全体にわたって達成される一方で、ソリッド(スリ
ットのない:solid )で可動のフォーカスリングの反応
レベルと等しい、高反応レベルを与えるよう当該開口部
の実際の大きさを最小にする。本発明は、単一のスロッ
ト開口部を有しているフォーカスリング、あるいはその
フォーカスリングにさらに2つ以上の開口部を提供して
もよい。このような開口部はスロットである必要はな
く、アパチャー(aperture)やジャーナル(journal )
などであってもよい。さらに、開口部(ウエハー移送ブ
レード・ウエハー用開口部以外)は、フォーカスリング
の後部部分と共にあるいは後部部分には形成せずにフォ
ーカスリングの上面を貫通して形成されてもよい。
【0016】図2は反応チャンバーの部分断面概略図で
あり、この反応チャンバーは本発明によるスロット付き
固定フォーカスリングを含んでいる。図1に示されてい
る従来の反応チャンバーと共通した反応チャンバーの要
素は同一符号で示されている。この図には反応チャンバ
ー2が示されており、この反応チャンバー2はチャンバ
ー壁4と、当該反応チャンバー2に対するウエハーの出
入れを可能にするスリットバルブ6とを有している。ウ
エハー10は、カソードベース13上に配置されたペデ
ィスタル12によって支持されている。ウエハー10は
フォーカスリング25によってシールドされており、こ
のフォーカスリング25はペディスタル12上に載置さ
れ且つウエハー10を囲むものである。
【0017】ウエハーリフト機構は、カソードベース1
3を囲むリフトシリンダー15aと、カソードベース1
3内に配置したリフトスパイダー15bと、リフトスパ
イダー15b上に支持されているリフトピン15cとを
含んでおり、このリフトピン15cはペディスタル12
に形成された垂直穴17を通って延びている。カソード
ベース13は、リフトスパイダー15bのカソードベー
ス内での垂直動作を許容する空所18を含んでいる。リ
フトシリンダー15aが上昇するたびに、リフトピン1
5cは、垂直穴17を貫通しウエハー10をペディスタ
ル12の上方に持ち上げ、ウエハー移送ブレード(図示
せず)がウエハー10の下側に滑り込むことを可能とし
ている。
【0018】ウエハー処理中、フォーカスリングは処理
ガスフローに対する部分的な障壁となっており、この結
果、僅かな背圧がウエハー表面全面にかかり、さらに多
くの処理ガスをウエハー中央部全域に流れさせる。結果
として、さらに均一なプラズマがウエハー表面全体にわ
たって提供され、それによって処理の均一性を向上させ
ている。特に、フォーカスリングは、ウエハーの取入れ
・取出しとウエハー表面全体にわたる対称的なガスフロ
ー分布とを矛盾なく可能にする、できる限り小さいスロ
ット開口部を有するよう形成されている。
【0019】フォーカスリングそれ自体は固定されてい
る。すなわち、フォーカスリングは、ウエハーの積載中
や取出し中、シリンダーあるいはフォーカスリングに形
成された窓15dとスリットバルブ6とが整列する位置
まで持ち上げられることはない。この場合、フォーカス
リングは、スリットバルブ6と整列されたスロット23
を含んでいる。結果として、フォーカスリングは複雑な
リフト機構が必要ではなくなる。この配列はチャンバー
の製造及び維持にかかる費用を低減する。さらに重要な
ことに、可動部分を不要とすることによって、本明細書
で開示したフォーカスリングは、ウエハー表面上に堆積
するおそれのある汚染粒子をフォーカスリングから分離
させ循環させ得る過度の振動を低減する。可動部分を不
要としたことは、汚染粒子を堆積し得る面の数も減らす
こととなる。
【0020】フォーカスリングは、ウエハー処理中に処
理ガスが流れる開口部を提供する2つのスロット22,
23を含んでいる。一方のスロット23は、ウエハーの
積載及び取出し中にウエハー移送ブレードとウエハーと
を受け入れるよう形成されている。他方のスロット22
は、ウエハー積載・取出し用スロット23を通る処理ガ
スフローを補う処理ガスをウエハー全体にわたって流す
ことができるように形成されている。重要なことは、本
明細書で開示したフォーカスリングが1つ以上のスロッ
トの形態の開口部を含むことであり、その結果、ウエハ
ー表面から離れる過剰なプラズマの流れを妨げるフォー
カスリングにより、背圧がウエハー表面全体にわたって
維持されている。このように、本発明は、ウエハーの縁
部を囲む領域にただ1つの最小の開口部が設けられた固
定リングを提供している。スロットは、ウエハーの表面
の上方から始まる開口部を有していることが好ましく、
その場合、フォーカスリングに形成されたスロットは、
ウエハーの縁部の周囲に処理ガス障壁を提供する下縁部
を画成することとなる。このようにして、ウエハー汚染
は低減され、処理の均一性は維持され、そして処理効率
は高められる。
【0021】図3は本発明の好適な実施例によるスロッ
ト付き固定フォーカスリングの斜視図である。この図に
おいて、単体のフォーカスリング25は上部リング部分
20と下部リング部分21とを含んでいる。各リング部
分は1対のリンク24により結合されており、これらの
リンク24はまた、スロット21,22を画成するよう
にも働いている。以下に述べるように、リングは単体構
造である必要はなく、そしてまた、各スロットが同じ形
状を有している必要もない。図3に示されるリングで
は、スロットはそれぞれフォーカスリング内に開口部を
画成しており、スロットのうち少なくとも1つは、ウエ
ハー移送ブレードとウエハーとを受け入れるのに充分な
高さと幅とを有していなければならない。本発明の一側
面においては、最大量のプラズマがウエハー表面全体に
わたって分配されることを保証し、その結果、処理が可
能な限り最も効率の良い態様で進行するようにフォーカ
スリングの開口部の大きさを小さくすることを含んでい
るということを理解するべきである。本発明の別の側面
では、処理ガスをウエハー表面全体にむらなく分配し
て、前記処理が可能な限り最も均一な形で進行するよう
な対称的な態様の開口部を提供することとしている。
【0022】図4は改良型固定フォーカスリング25の
側面図であり、本発明の好適な実施例によるウエハーと
ウエハー移送ブレード(図示せず)とを受け入れるよう
適合された前部スロット(front slot)23を示してい
る。この図において、前部スロット23は、参照符号2
6と29によって示される矢印により表される高さと幅
とを有する上部部分を含んでおり、この高さと幅はウエ
ハーを受け入れるのに充分なものである。例えば、1
5.24cm(6in.)ウエハーに対しては、スロッ
トの上部部分は約15.7cm〜約16.0cm(6‐
1/8in.〜6‐1/3in.)とすべきである。こ
のスロットは、参照符号27と28とによって示される
矢印によりそれぞれ表される高さと幅とを有する下部部
分も含んでいる。また、スロット下部部分は傾斜部分3
0を有しているように図示されているが、この傾斜部分
30はスロット上部部分の底部からスロット下部部分の
底部までの遷移部分を提供している。スロット下部部分
は、チャンバーとともに用いられるウエハー移送ブレー
ドを受け入れるのに充分な高さと幅とを有するようにす
べきであり、もし可能であれば、例えばスロープその他
でスロット開口部の大きさを最小にするような輪郭とす
るべきである。スロットの上部部分の下縁部はウエハー
表面の上方に配置されることが好ましく、その場合、連
続的な処理ガス障壁がウエハー縁部の周囲に設けられる
こととなる。本発明における実施例では、スロットの下
縁部は約0.2cmである。
【0023】図5はスロット付き固定フォーカスリング
の側面図であり、本発明の好適な実施例による後部スロ
ット(rear slot )22を示している。後部スロット2
2の高さと幅は、ウエハー表面全体にわたるガス分布の
バランスをとるよう選択される。例えば、15.24c
m(6in.)ウエハーに対しては、スロットの上部部
分は約15.7cm〜約16.0cm(6‐1/8i
n.〜6‐1/3in.)とすべきであるが、このよう
な寸法は例示の目的でのみ与えられるものであり、本発
明が適用される用途に応じて、他の寸法が選択されても
よい。
【0024】後部スロットは主として前部スロットより
も真空ポンプよりに配置されている。それゆえ、後部ス
ロットは前部スロットほど大きい必要はなく、従って、
前部スロットと同じような輪郭にする必要はない。むし
ろ、両スロットは、ウエハー移送ブレードとウエハーと
を受け入れる(前部スロットの場合)のに必要な、ま
た、ウエハー表面全体にわたって均一な処理ガス分布を
提供する(後部スロットの場合)のに必要な最小限の開
口部を提供するべきである。さらに、後部スロットは1
つのスロットである必要はなく、フォーカスリングの周
縁に離隔配置された一連のスロットであってもよく、あ
るいは真空ポンプと関連された排気プリナムと連通(co
mmunicate )し、フォーカスリングの側面又は上面及び
下面を貫通して形成された一連のアパチャーであっても
よい。
【0025】図6は本発明の好適な一実施例による2つ
の部材からなる固定フォーカスリング25の側面図であ
る。この図において、下部フォーカスリング部分21
は、相補的なタブ31a・31b及びスロット32a・
32bからなるリンク24によって、上部フォーカスリ
ング部分20とリンクされている。スロット22,23
がフォーカスリングに形成される開口部を画成するよう
に、これらのタブとスロットは、処理ガスの流出を防ぐ
閉塞したリンクを提供するよう形成されている。しか
し、上部リング部分は、スロット22,23及びリンク
領域において、さらに大きいあるいはさらに小さい開口
部を画成するよう異なる大きさのタブを有して形成され
てもよい。このように、一揃い(inventory )の上部フ
ォーカスリング部分(各リング部分は、特定の処理工程
に対して特定の形状を有している)を、必要であれば保
管してもよく、その場合には、ウエハー表面全体にわた
るガスフロー分布は、上部フォーカスリング部分を別の
上部フォーカスリング部分と交換することによって、各
処理あるいは各処理工程に対して容易に最適化すること
ができる。
【0026】さらに、複合フォーカスリングの各部分を
別々の材料で作ってもよい。例えば、フォーカスリング
の頂部部分は、石英、コバール(商標、Kovar)あ
るいはセラミックスのような安価で耐久性のある材料で
作ることができる。そして、フォーカスリングの底部部
分は、よりウエハーに近いところにあるためウエハー表
面での処理条件によって一層影響を受けかねないので、
あるいは処理条件に一層影響を与えかねないので、ベス
ペル(商標、Vespell、デュポン社製)のよう
な、処理による影響を受けにくく、さらに良い処理結果
を与えるであろう材料から作られてもよい。
【0027】複合フォーカスリングは多数ある手段のう
ちいずれでリンクされてもよいということは理解できる
であろう。例えば、図7は本発明の別の好適な実施例に
よる2部材からなる固定フォーカスリングの側面図であ
る。この図において、リンク24は、単一の細長いタブ
33と相補的なスロット34からなっている。
【0028】図8は本発明のさらに別の好適な実施例に
よる2部材からなる固定フォーカスリングの側面図であ
る。この図において、上部と下部のフォーカスリング部
分20・21は、それぞれ、ピン35を受け入れるジャ
ーナル37a・37b及びジャーナル36a・36bを
有している。ピンは、上下のリング部分によって画成さ
れた開口部を調整するよう異なった長さで設けられてい
てもよい。さらにリングは、スロット22・23を画成
する領域ではより大きな開口部を設け、リンク24を画
成する領域ではほとんど開口部を設けないかあるいは全
く設けないように形作られてもよい。
【0029】図9は反応チャンバーの部分断面概略図で
あり、本発明による厚いスロット付き固定フォーカスリ
ング90を含んでいる。この図において、フォーカスリ
ングは、スロットの大きさと位置に関しては上述した本
発明の教示に従って製造されている。従って、フォーカ
スリングは、ウエハー移送ブレードとウエハーとを受け
入れるよう適合された第1のスロット91と、ウエハー
表面全体にわたってガスフローを均一にし、それによっ
て処理均一性を最適化するよう適合された第2のスロッ
ト92とを含んでいる。しかし、図9に従ったフォーカ
スリングは、厚いリングである。すなわち、参照符号9
3によって示される矢印によって表されているように、
リングの厚さは2ミリメートルより大きい。厚いフォー
カスリングは、チャンバー内のポンピング容積(pumpin
g volume)を低減させることにより、排気プリナムの大
部分あるいは全てに対する必要性を除去するように働
き、それによってより正確な処理制御を得ることのでき
るさらに小さいチャンバーの製造を可能にする、という
ことが考えられる。このように、プラズマの大部分ある
いは全てをウエハー表面全体に導くによって、さらに多
くの分子衝突が起こり、その結果、処理の効率はさらに
良くなり、処理の均一性が改善されるということを本発
明は保証している。
【0030】図10は反応チャンバーの部分断面概略図
であり、本発明による偏心した厚いスロット付き固定フ
ォーカスリング100を含んでいる。この図において、
フォーカスリングにはスロットが設けられており、従っ
て上述のフォーカスリングと同じように開口部103,
104を備えている。しかし、真空ポンプ8に最も近接
したフォーカスリングの縁部(参照符号102の矢印に
よって示される縁部)は、スリットバルブ6に最も近接
したフォーカスリングの縁部(参照符号101の矢印に
よって示される縁部)ほどはチャンバー壁4の方に向か
って延びていない。
【0031】この側面による本発明では、上記教示に従
って、最小であるが対称的なスロット開口部を有し、こ
の結果、ウエハー表面全体にわたって最大且つ均一な処
理ガスフローを維持するフォーカスリングを提供してい
る。偏心形状のフォーカスリングにより、このフォーカ
スリングは、処理ガスをスリットバルブ及びそれに関連
するフォーカスリングスロット103の領域から離れて
いくところに移動させるバッフルとして作用することが
でき、ウエハー積載・取出し用スロット103を通る不
均一な処理ガスフローが、真空ポンプ8に最も近接した
もう1つのフォーカスリングスロット104の領域での
さらに高い排気圧によってバランスがとられるようにし
ている。
【0032】図11は部分的に断面を示して概略的に示
された反応チャンバーの部分斜視図であり、本発明によ
る一体型スロット付き固定フォーカスリングとガス分配
バッフル110とを含んでいる。この図において、フォ
ーカスリングはチャンバー壁4の内面に延びており、そ
れによって全ての処理ガスが、フォーカスリング表面を
横方向に貫通して形成されたアパチャー112を通り、
ウエハー表面を横切り、スロット111,114を通り
及びそれに関連するアパチャー116,115を通るよ
うそれぞれ導かれている。スロット111は、スリット
バルブ6と整列されており、ウエハー移送ブレードとウ
エハーとに対して取入れと取出しを可能にするように形
成されている。スロット114は、処理ガスが各スロッ
トを通ってむらなく排気されるように、ウエハー全面に
わたって充分な処理ガス排気圧を与えるよう形成されて
いる。アパチャー112はフォーカスリングの周囲付近
に必要に応じて設けられており、その結果、処理ガス
は、チャンバー内、特にウエハー表面近傍での特定の処
理操作圧と処理ガス濃度とを維持するよう、排気プリナ
ム117の中に対称的に排気される。本発明のこの実施
例ではいくつのスロットが設けられてもよく、かかる場
合、アパチャーはなくてもよい、すなわち処理ガスは、
すべてウエハー表面全体にわたるように導かれても、フ
ォーカスリングに形成されたスロットを通してのみ排気
されてもよい、ということを理解すべきである。このよ
うな実施例では、フォーカスリングは排気ガスマニホル
ドとして作用する。このように、本発明のこの実施例
は、反応チャンバーバッフルとして作用するスロット付
きフォーカスリングを提供しており、それによってチャ
ンバー容積を低減することができ、ウエハー表面全体に
わたってさらに良好な処理ガス濃度制御をすることがで
きる。
【0033】
【発明の効果】以上述べたように、固定フォーカスリン
グは、ウエハー表面全体にわたって均一なガスフローを
提供するとともに、最適な割合で均一な処理を保証する
よう最大量の処理ガスをウエハーの全領域に導くことが
できる。以上、本発明について、好適な実施例を参照し
て説明したが、当業者であれば、本発明の精神と範囲か
ら逸脱することなくここに述べた応用例を他のものに置
換えてもよいことが容易に分かるであろう。従って、本
発明は上記特許請求の範囲によってのみ制限されるべき
ものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の反応チャンバーの部分断面概略図であ
る。
【図2】本発明によるスロット付き固定フォーカスリン
グを含む反応チャンバーの部分断面概略図である。
【図3】本発明の好適な実施例によるスロット付き固定
フォーカスリングの斜視図である。
【図4】ウエハーとウエハー移送ブレードとを受け入れ
るよう適合されている、本発明による前部スロットを示
す改良型固定フォーカスリングの側面図である。
【図5】本発明による後部スロットを示すスロット付き
固定フォーカスリングの側面図である。
【図6】本発明の好適な実施例による2部材からなる固
定フォーカスリングの側面図である。
【図7】本発明の別の好適な実施例による2部材からな
る固定フォーカスリングの側面図である。
【図8】本発明のさらに別の好適な実施例による2部材
からなる固定フォーカスリングの側面図である。
【図9】本発明による厚いスロット付き固定フォーカス
リングを含んでいる反応チャンバーの部分断面概略図で
ある。
【図10】本発明による偏心した厚いスロット付き固定
フォーカスリングを含んでいる反応チャンバーの部分断
面概略図である。
【図11】本発明による一体型スロット付き固定フォー
カスリングと処理ガス分配バッフルとを含んでいる、部
分的に断面を示して概略的に示された反応チャンバーの
部分斜視図である。
【符号の説明】
2…反応チャンバー、4…チャンバー壁、6…スリット
バルブ、8…真空ポンプ、10…ウエハー、13…カソ
ードベース、14…フォーカスリング、15…リフト機
構、16…汚染物、17…垂直穴、18…空所、21…
下部リング部分、22…上部リング部分、23…スロッ
ト、24…リンク、25…フォーカスリング、31…タ
ブ、32…スリット、33…タブ、34…スロット、3
5…ピン、36…ジャーナル、37…ジャーナル、90
…フォーカスリング、91…第1のスロット、92…第
2のスロット、100…フォーカスリング、103…開
口部、104…開口部、110…ガス分配バッフル、1
11…スロット、112…アパチャー、114…スロッ
ト、115…アパチャー、116…アパチャー、117
…排気プリナム。

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハーの周縁を囲む、半導体ウエハー
    を処理するためのプラズマリアクター用フォーカスリン
    グであって、 上部リング部分と、 下部リング部分と、 少なくとも1つのリンクとを備え、 前記上部リング部分、下部リング部分及び前記リンク
    が、ウエハー移送ブレード及びウエハーを受け入れるよ
    う適合されている第1のスロット開口部と、第2のスロ
    ット開口部とを画成するように前記リンクは前記上部リ
    ング部分及び前記下部リング部分を結合させており、 前記第1のスロット開口部及び前記第2のスロット開口
    部が、協働してウエハー表面を横切って処理ガスを排気
    するよう適合されており、もって汚染粒子がウエハー縁
    部から掃出されると共にウエハー表面全体にわたってガ
    スフロー分布のバランスを保つようにしているフォーカ
    スリング。
  2. 【請求項2】 前記第1のスロット開口部がリアクター
    スリットバルブと整列されており、ウエハーの積載、取
    出し及び処理の間、固定された(stationary)状態にな
    っている請求項1記載のフォーカスリング。
  3. 【請求項3】 単体構造となっている請求項1記載のフ
    ォーカスリング。
  4. 【請求項4】 上部フォーカスリング部分と、 下部フォーカスリング部分と、 前記第1のリング部分及び前記第2のリング部分を結合
    させるよう適合されたリンクとを備える複合構造となっ
    ている請求項1記載のフォーカスリング。
  5. 【請求項5】 前記リンクがさらに、 1つのリング部分から垂直方向に突出しているタブと、 もう1つのリング部分内に形成され前記タブを受け入れ
    るように適合されているスロットとを備える請求項4記
    載のフォーカスリング。
  6. 【請求項6】前記リンクがさらに、 前記第1のリング部分及び前記第2のリング部分の各々
    の内部に形成された整列ジャーナル(aligned journal
    )と、 前記第1のリング部分及び前記第2のリング部分を結合
    させるために前記整列ジャーナル内にセットされるよう
    適合されているピンとを備える請求項4記載のフォーカ
    スリング。
  7. 【請求項7】 前記第1のリング部分が上部リング部分
    を含んでおり、前記上部リング部分が少なくとも1つの
    選定されたフォーカスリング形状(configuration )を
    画成している請求項4記載のフォーカスリング。
  8. 【請求項8】 前記上部リング部分がさらに、複数の選
    定されたフォーカスリング形状を画成する複数の交換可
    能な上部リングを含んでいる請求項7記載のフォーカス
    リング。
  9. 【請求項9】 前記第1のリング部分と前記第2のリン
    グ部分とが互いに異なる材料で作られている請求項4記
    載のフォーカスリング。
  10. 【請求項10】 前記第1のリング部分が、セラミック
    ス、石英及びコバール(商標、Kovar)を含む群か
    ら選定された材料で作られている上部リング部分を含ん
    でおり、 前記第2のリング部分が、処理による影響を受けにくい
    材料(processinsensitive mat
    erial)で作られている下部リング部分を含んでい
    る請求項9記載のフォーカスリング。
  11. 【請求項11】 前記処理による影響を受けにくい材料
    が、ベスペル(商標、Vespell)である請求項1
    0記載のフォーカスリング。
  12. 【請求項12】 前記第1のスロット開口部と前記第2
    のスロット開口部とが同じ大きさではない請求項1記載
    のフォーカスリング。
  13. 【請求項13】 前記第1のスロット開口部と前記第2
    のスロット開口部とが、処理ガス障壁を画成するようウ
    エハー表面の上方に形成された下部開口縁部を有してい
    る請求項1記載のフォーカスリング。
  14. 【請求項14】 約2mmより大きいリング厚を有して
    いる請求項1記載のフォーカスリング。
  15. 【請求項15】 外側リング面をリアクター内壁面まで
    延ばすのに充分なリング厚を有している請求項14記載
    のフォーカスリング。
  16. 【請求項16】 前記フォーカスリングを貫通して形成
    され排気プリナム(plenum)と連通したアパチャーを有
    している請求項15記載のフォーカスリング。
  17. 【請求項17】 偏心した(eccentric )外側リング面
    を有している請求項14記載のフォーカスリング。
  18. 【請求項18】 ウエハーの周縁を囲む、半導体ウエハ
    ーを処理するためのプラズマリアクター用固定複合フォ
    ーカスリングであって、 上部リング部分と、 下部リング部分と、 少なくとも1つのリンクとを備え、 前記上部リング部分、下部リング部分及び前記リンク
    が、リアクタースリットバルブと整列された第1のスロ
    ット開口部であって、ウエハー移送ブレード及びウエハ
    ーを受け入れるよう適合されているものと、ウエハー表
    面を横切って処理ガスを排気するよう適合されている第
    2のスロット開口部とを画成するように前記リンクは前
    記上部リング部分及び前記下部リング部分を結合させて
    おり、 前記第1のスロット開口部及び前記第2のスロット開口
    部は、処理ガス障壁を画成するようウエハー表面の上方
    に形成された下部開口縁部を有しており、 もって、均一なガスフロー分布がウエハー表面全体にわ
    たって維持されるフォーカスリング。
  19. 【請求項19】 約2mmより大きいリング厚を有して
    いる請求項18記載のフォーカスリング。
  20. 【請求項20】 半導体ウエハーを処理するためのプラ
    ズマリアクターでウエハー表面全体にわたって均一なガ
    スフロー分布を維持するための処理方法において、 リアクタースリットバルブと整列され固定フォーカスリ
    ング内に形成された第1のスロット開口部を通してウエ
    ハー移送ブレード及びウエハーを受け入れるステップ
    と、 前記フォーカスリング内に形成された第2のスロット開
    口部を通してウエハー表面を横切って処理ガスを排気す
    るステップと、 前記第1のスロット開口部及び前記第2のスロット開口
    部が、協働してウエハー表面全体にわたって均一な処理
    ガスフロー分布を提供するステップとを含む処理方法。
JP7156140A 1994-06-22 1995-06-22 プラズマリアクター用の改良型固定フォーカスリング Withdrawn JPH08102461A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/263847 1994-06-22
US08/263,847 US5552124A (en) 1994-06-22 1994-06-22 Stationary focus ring for plasma reactor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08102461A true JPH08102461A (ja) 1996-04-16

Family

ID=23003487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7156140A Withdrawn JPH08102461A (ja) 1994-06-22 1995-06-22 プラズマリアクター用の改良型固定フォーカスリング

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5552124A (ja)
JP (1) JPH08102461A (ja)
KR (1) KR960002623A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003503840A (ja) * 1999-06-30 2003-01-28 ラム リサーチ コーポレーション 高位置固定均一化リング
JP2009191365A (ja) * 2009-03-19 2009-08-27 Canon Anelva Corp 金属膜作製装置及び金属膜作製方法
US7615259B2 (en) 2001-02-15 2009-11-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for processing workpiece
US8124539B2 (en) 2003-04-24 2012-02-28 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
JP2015026687A (ja) * 2013-07-25 2015-02-05 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5891348A (en) * 1996-01-26 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Process gas focusing apparatus and method
US5788799A (en) * 1996-06-11 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces
US6013155A (en) * 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
EP0958401B1 (en) 1996-06-28 2004-09-08 Lam Research Corporation Apparatus and method for high density plasma chemical vapor deposition or etching
US6284093B1 (en) 1996-11-29 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US6113731A (en) * 1997-01-02 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Magnetically-enhanced plasma chamber with non-uniform magnetic field
US6184158B1 (en) 1996-12-23 2001-02-06 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma CVD
JP3077623B2 (ja) 1997-04-02 2000-08-14 日本電気株式会社 プラズマ化学気相成長装置
US5900064A (en) * 1997-05-01 1999-05-04 Applied Materials, Inc. Plasma process chamber
WO1998058098A1 (en) * 1997-06-18 1998-12-23 Applied Materials, Inc. Magnetic parts and method for using same
US6042687A (en) * 1997-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing
US6074488A (en) * 1997-09-16 2000-06-13 Applied Materials, Inc Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring
US6051099A (en) * 1997-10-14 2000-04-18 International Business Machines Corporation Apparatus for achieving etch rate uniformity
US6125789A (en) * 1998-01-30 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Increasing the sensitivity of an in-situ particle monitor
KR100521290B1 (ko) * 1998-06-24 2005-10-17 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 드라이 에칭 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US6117401A (en) * 1998-08-04 2000-09-12 Juvan; Christian Physico-chemical conversion reactor system with a fluid-flow-field constrictor
US6074953A (en) * 1998-08-28 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Dual-source plasma etchers, dual-source plasma etching methods, and methods of forming planar coil dual-source plasma etchers
US6709547B1 (en) * 1999-06-30 2004-03-23 Lam Research Corporation Moveable barrier for multiple etch processes
US6350317B1 (en) 1999-12-30 2002-02-26 Lam Research Corporation Linear drive system for use in a plasma processing system
KR100402904B1 (ko) * 2000-05-23 2003-10-30 동명화학공업 주식회사 폴리염화알루미늄의 불용성 침전물을 폴리염화알루미늄의제조에 이용하는 방법
US6494958B1 (en) 2000-06-29 2002-12-17 Applied Materials Inc. Plasma chamber support with coupled electrode
TWI234417B (en) 2001-07-10 2005-06-11 Tokyo Electron Ltd Plasma procesor and plasma processing method
KR100430750B1 (ko) * 2001-07-18 2004-05-10 동명화학공업 주식회사 무기응집제로부터 발생한 교질침전상태의 수산화알루미늄 재활용방법
US7252738B2 (en) * 2002-09-20 2007-08-07 Lam Research Corporation Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
KR100672828B1 (ko) * 2005-06-29 2007-01-22 삼성전자주식회사 챔버 인서트 및 이를 포함하는 기판 가공 장치
WO2007099786A1 (ja) * 2006-02-23 2007-09-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
EP1968098A1 (en) 2007-03-08 2008-09-10 Applied Materials, Inc. Suction device for plasma coating chamber
DE102007027704A1 (de) 2007-06-15 2008-12-18 Aixtron Ag Vorrichtung zum Beschichten von auf einem Suszeptor angeordneten Substraten
US20090107955A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Tiner Robin L Offset liner for chamber evacuation
US8454027B2 (en) * 2008-09-26 2013-06-04 Lam Research Corporation Adjustable thermal contact between an electrostatic chuck and a hot edge ring by clocking a coupling ring
KR101174816B1 (ko) * 2009-12-30 2012-08-17 주식회사 탑 엔지니어링 플라즈마 처리 장치의 포커스 링 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치
CN204375716U (zh) * 2012-03-05 2015-06-03 应用材料公司 遮蔽框、基板支撑件以及等离子体增强型化学气相沉积设备
CN107227448B (zh) * 2017-06-30 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 基座以及物理气相沉积装置
US20220084845A1 (en) * 2020-09-17 2022-03-17 Applied Materials, Inc. High conductance process kit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4612432A (en) * 1984-09-14 1986-09-16 Monolithic Memories, Inc. Etching plasma generator diffusor and cap
JP2501948B2 (ja) * 1990-10-26 1996-05-29 三菱電機株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US5246532A (en) * 1990-10-26 1993-09-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
US5384009A (en) * 1993-06-16 1995-01-24 Applied Materials, Inc. Plasma etching using xenon
US5405491A (en) * 1994-03-04 1995-04-11 Motorola Inc. Plasma etching process

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003503840A (ja) * 1999-06-30 2003-01-28 ラム リサーチ コーポレーション 高位置固定均一化リング
US7615259B2 (en) 2001-02-15 2009-11-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for processing workpiece
US8287967B2 (en) 2001-02-15 2012-10-16 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for processing workpiece
US8124539B2 (en) 2003-04-24 2012-02-28 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
JP2009191365A (ja) * 2009-03-19 2009-08-27 Canon Anelva Corp 金属膜作製装置及び金属膜作製方法
JP2015026687A (ja) * 2013-07-25 2015-02-05 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5552124A (en) 1996-09-03
KR960002623A (ko) 1996-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08102461A (ja) プラズマリアクター用の改良型固定フォーカスリング
US5685914A (en) Focus ring for semiconductor wafer processing in a plasma reactor
US7311784B2 (en) Plasma processing device
US5653808A (en) Gas injection system for CVD reactors
US5891251A (en) CVD reactor having heated process chamber within isolation chamber
KR20020047143A (ko) 이중 가스제거/냉각 로드락 클러스터 툴
US20070281085A1 (en) Multi-Workpiece Processing Chamber
CN112885692A (zh) 基板处理设备
US5709543A (en) Vertical heat treatment apparatus
KR100253134B1 (ko) 기판처리장치
CN112885693A (zh) 基板处理设备
KR100315088B1 (ko) 포커스 링을 갖는 반도체 웨이퍼 제조 장치
US20070022959A1 (en) Deposition apparatus for semiconductor processing
JP2001223169A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20020061714A (ko) 샤워 헤드 및 이를 포함하는 박막 형성 장비
KR20090005979A (ko) 수직 반응기 내에서의 뱃치 처리를 위한 방법 및 장치
US6228208B1 (en) Plasma density and etch rate enhancing semiconductor processing chamber
JPH10107126A (ja) 冷却チャンバ及び冷却チャンバの作動方法
EP0823491B1 (en) Gas injection system for CVD reactors
US6123864A (en) Etch chamber
US6163015A (en) Substrate support element
KR100588041B1 (ko) 진공 처리 장치 및 이것을 이용한 진공 처리 방법
US6139682A (en) Processing apparatus for manufacturing semiconductors
JP3915314B2 (ja) 枚葉式の処理装置
CN114807900A (zh) 衬底处理设备

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20020903