KR960002593A - 화학 증폭형 레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents
화학 증폭형 레지스트 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 화학증폭형 레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로, PEB공정과 현상공정간의 지연시간에 따른 열에너지를 일정하게 제어하도록 하기 위하여 PEB공정과 현상공정사이에 쿨링공정을 추가한다. 그로 이하여 웨이퍼간에 CD 균일도 향상 및 공정안정화를 유지할 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의해 화학증폭형 레지스트 패턴 형성 단계를 도시한 블럭도.
Claims (3)
- 화학증폭형 레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 화학증폭형 레지스트 도포하는 공정단계와, 노광 고정단계와, PEB공정단계와, 쿨링 공정단계와, 현상 공정단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 쿨링 공정단계는 PEB공정 직후 15°~25°의 온도를 갖는 쿨플레이트에서 약 10~20초간 웨이퍼의 열을 강제로 식히는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, PEB공정 및 쿨링 공정 시간에 비하여 현상 공정시간이 길게 되는 경우 웨이퍼는 현상공정 바로 직전에 버퍼 카셋트에 보관하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014583A KR960002593A (ko) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 화학 증폭형 레지스트 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014583A KR960002593A (ko) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 화학 증폭형 레지스트 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002593A true KR960002593A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940014583A KR960002593A (ko) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 화학 증폭형 레지스트 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002593A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100376321B1 (ko) * | 1996-09-02 | 2003-06-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 냉각처리시스템및처리장치 |
-
1994
- 1994-06-24 KR KR1019940014583A patent/KR960002593A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100376321B1 (ko) * | 1996-09-02 | 2003-06-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 냉각처리시스템및처리장치 |
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