KR960001882A - 산화막 식각방법 - Google Patents

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KR960001882A
KR960001882A KR1019940013739A KR19940013739A KR960001882A KR 960001882 A KR960001882 A KR 960001882A KR 1019940013739 A KR1019940013739 A KR 1019940013739A KR 19940013739 A KR19940013739 A KR 19940013739A KR 960001882 A KR960001882 A KR 960001882A
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KR
South Korea
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etching
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etching method
gas
polysilicon
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KR1019940013739A
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Inventor
오한주
Original Assignee
문경환
금성일렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명은 산화막 식각방법에 관한 것으로, 폴리실리콘과의 높은 식각선택비를 얻기 위한 것이다. 본 발명느 플라즈마를 이용한 산화막의 식각방법에 있어서, 안정화가스로 He과 Ar을 함께 사용하여 산화막을 식각하는 것을 특징으로 하는 산화막 식각방법을 제공한다. 본 발명에 의하면 산화막 식각공정시 플라즈마 안정화가스로 He과 Ar을 함께 사용함으로써 Ar가스의 단점인 폴리실리콘과의 낮은 식각선택비 문제를 해결하여 폴리실리콘과의 식각선택비를 높일 수 있으며, 로딩효과를 완화시킬 수 있다. 또한, He가스를 단독으로 사용할 경우 스퍼터링 식각효과를 얻을 수 없어 식각속도가 낮아지는 문제를 해결할 수 있다.

Description

산화막 식각방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 산화막 식각방법의 응용예를 나타낸 도면.
제2도는 본 발명의 산화막 식각방법의 일실시예를 나타낸 도면.

Claims (3)

  1. 풀러즈마를 이용한 산화막의 식각방법에 있어서, 안정화가스로 He과 Ar을 함께 사용하여 산화막을 식각하는 것을 특징으로 하는 산화막 식각방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Ar가스는 300-900sccm 범위내에서 사용하는 것을 특징으로 하는 산화막 식각방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 He가스는 300-1500sccm 범위내에서 사용하는 것을 특징으로 하는 산화막 식각방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940013739A 1994-06-17 1994-06-17 산화막 식각방법 KR960001882A (ko)

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