KR950035085A - 직렬회로 반도체 스위치의 구동 방법 및 회로장치 - Google Patents

직렬회로 반도체 스위치의 구동 방법 및 회로장치 Download PDF

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Abstract

직렬회로 반도체 스위치의 구동방법 및 회로장치에서, 전압제한 디바이스가 각 반도체 스위치에 할당되고, 이 전압제한 디바이스의 전력손은 반도체 스위치에 걸리는 전압분포를 동등화하기 위한 제어장치에 의해 탐지된다. 제어장치는 전압제한 디바이스의 탐지된 전력손은 근거로 하여 공통제어펄스로부터 각 반도에 스위치용 수정제어펄스를 발생시킨다.

Description

직렬회로 반도체 스위치의 구동 방법 및 회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도에서 제5도는 직렬회로의 반도체 스위치를 구동하기 위한 본 발명에 따른 방법을 수행하기 위한 회로장치의 실시도.

Claims (18)

  1. 반도체 스위치(10,11,12)에 걸리는 전압분포를 동등화 하기 위하여, 각 반도체 스위치(10,11,12)용 수정제어펄스(P20, P21, P22)가 공통 제어펄스(P1)로부터 제어장치(110)에 의해 발생되고, 각 반도체 스위치에 할당된 전압 제한 다바이스로부터 전력손 측정이 탐지되고 최소로 제어되는 직렬회로 반도체 스위치(10,11,12)의 구동방법에 있어서, 반도체 스위치(10,11,12)로서 비래칭 반도체 스위치가 이용되고 전압제한 디바이스(30,31,32)가 각 반도체 스위치(10,11,12)의 컬렉터와 제어전극 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  2. 제1항에 있어서, 제어장치(110)가 각 경우에 있어서, 반도체 스위치(10,11,12)당 하나의 제어디바이스(100,101,102)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전압제한 디바이스(30,31,32)의 전력손이 영으로 제어되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각 전압 제한 디바이스(30,31,32)를 통과하는 전류의 시각적분이 상기 전압 제한 디아이스 전력손의 측정기준으로서 이용되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각 전압 제한 디바이스(30,31,32)를 통과하는 전류의 진폭이 상기 전압 제한 디바이스(30,31,32)의 전력손의 측정기준으로서 이용되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각 전압 제한 디바이스(03,31,32)를 통과하는 전류의 지연이 상기 전압 제한 디바이스(03,31,32)의 전력손의 측정기준으로서 이용되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각 전압 제한 디바이스(30,31,32)의 온도가 상기 전압 제한 디바이스(30,31,32)의 전력손의 측정기준으로서 이용되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수정제어펄스(P20, P21, P22)가 제어펄스(P1)의 스위칭 에지에 대한 시간변위에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제어장치(110) 또는 제어디바이스(100,101,102) 각각은 디지탈이며, 각 전압 제한 디바이스가 반응시 및 전력손의 발생시 하나의 펄스가 발생하고, 각 수정 제어펄스(P20, P21, P22)의 스위칭 에지가 하나의 시간양자에 의해 변위되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 하나의 반도체 스위치(10)가 기준스위치(마스터)로서 사용되고, 상기 기준 스위치를 구동하는 스위칭 에지가 일정시간만큼 지연되며, 모든 반도체 스위치의 전압제한디바이스(30,31,32)의 측정 전력손을 근거로 하여, 모든 반도체 스위치(10,11,12)의 전력손의 최소화되게 제어되도록 남은 반도체 스위치(슬레이브,11,12)의 스위칭에지가 변화되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 단락-회로 요소(90,91,92)가 각 경우마다 반도체 스위치(10,11,12)와 병렬 접속되어, 각 전압제한 디바이스(30,31,32)의 반응문턱값보다 큰 단락-회로요소의 반응문턱값을 초과하는 경우에는, 단락-회로요소는 각 반도체 스위치로부터 전류흐름을 받는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 반도체 스위치를 통하여 흐르는 전류를 스위치오프하는 단 하나의 프로세스 동안에 모든 전압제한 디바이스(30,31,32)의 동시 반응이 생기는 경우에는, 반도체 스위치 과전류를 지시하는 신호(Imax)가 발생되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 반도체 스위치의 무전류 상태에서 모든 전압제한 디바이스(30,31,32)의 반응이 생기는 경우에는 반도체 스위치 과전압을 지시하는 신호(Umax)가 발생되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 다이오드(D10, D11, D12)가 각 경우에서 각 반도체 스위치와 비병렬로 접속되고, 직렬회로의 비병렬 다이오드로부터 전류공급시 모든 전압제한 디바이스(30,31,32)의 반응이 생기는 경우에 비병렬 다이오드이 비대칭을 지시하는 신호(Dmax)가 발생되는 것을 특징으로 하는 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법.
  15. 공통제어펄스(P1)를 수정하기 위하여 각 반도체 스위치(10,11,12)에 배정된 제어디바이스(100,101,102)는 전력손탐지 장치(40)와 펄스지연유닛(60)을 갖는 제어기를 (50)구비하고, 상기 탐지장치(40)는 스위칭 프로세스시 관련전압제한 디바이스(30,31,32) 각각의 전력손을 측정하며, 상기 제어기(50)는 실제전력손값에 근거한 지연을 형성하고, 상기 펄스 지연유닛은 상기 지연과 일치하여 제어펄스를 지연시킴으로써 제어디바이스에 할당되는 수정제어펄스(P20, P21, P22)를 형성하는 것을 특징으로 하는 제2항에 의한 직렬회로 반도체 스위치의 구동방법을 실행하기 위한 회로장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 탐지장치(40)는 스위치 오프시 전압제한 디바이스(30,31,32) 각각을 통하여 흐르는 전류가 발생하는 경우 스위치-오프 프로세싱당 펄스(I-펄스)를 발생시키는 이진실제값 탐지장치이며, 상기 펄스는 각 경우에 전기절연요소(80)를 경유하여 디지탈 스위치-오프제어기(501)에 전송되고, 상기 제어기는 디지탈 스위치-오프 펄스 지연유닛(601)상에서 작용하며, 상기 지연유닛은 각I-펄스 후에 하나의 시간양자만큼 스위치-오프 제어펄스에지의 지연을 증가 시켜서 수정제어펄스(P20, P21, P22)를 형성하고, 상기 수정제어펄스는 전기 절연요소(81)를 경유하여 각 반도체 스위치(10,11,12)의 제어입력에 도달하는 것을 특징으로 하는 회로장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 탐지장치(40)는 스위칭시 전압제한 디바이스(30,31,32) 각각을 통하여 흐르는 전류가 발생하는 경우 스위칭 프로세스당 펄스(I-펄스)를 발생시키는 이진실제값 탐지상치이며, 상기 펄스는 각 경우에 전기절연요소(80)를 경유하여 스위치(41)에 전송되고, 상기 스위치는 스위치-온으로부터의 I-펄스는 디지탈 스위치-온 제어기(502)로 도달하고 스위치-오프로부터의 I-펄스는 디지탈 스위치-오프 제어기(501)로 도달하는 식으로 제어펄스(P1)에 의해 제어되며, 스위치-온 제어기(502) 또는 스위치오프 제어기(501)의 출력은 각각 디지탈 스위치-온 펄스 지연유닛(602)과 디지탈 스위치-오프 펄스지연유닛(601)에 작용하고, 이것에 의해 지연제어펄스(P20, P21, P22)가 형성되며, 상기 지연제어펄스는 각 경우에 전기절연요소(81)를 경유하여 대응반도체스위치(10,11,12)의 제어입력에 도달되는 것을 특징으로 하는 회로장치.
  18. 제17항에 있어서, 프로비젼은 이전 전압측정요소로 만들어지고, 상기 측정요소는 펄스(U-펄스)에 의해 각 스위치-오프후의 소정반도체 스위치 전압의 언더슈팅을 지시하며, 상기 펄스는 디지탈 스위치-오프제어기(501)상에 작용하여 스위치-오프에지의 추가지연을 가져오는 것을 특징으로 하는 회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE9500761D0 (sv) * 1995-03-02 1995-03-02 Abb Research Ltd Skyddskrets för seriekopplade krafthalvledare
US5828112A (en) * 1995-09-18 1998-10-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device incorporating an output element having a current-detecting section
DE19539554C1 (de) * 1995-10-13 1997-01-23 Daimler Benz Ag Schaltungsanordnung zur Symmetrierung der Spannungsaufteilung einer Reihenschaltung gate-gesteuerter Leistungshalbleiterschalter im Spannungszwischenkreis-Stromrichter
US6489990B1 (en) * 1995-11-30 2002-12-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Highlight compensation apparatus for monochrome cameras
GB2309343B (en) * 1996-01-16 2000-05-03 Cegelec Controls Ltd Protection arrangement for a switching device
US5712587A (en) * 1996-04-08 1998-01-27 Electric Power Research Institute, Inc. Apparatus and method for simultaneously deactivating series-connected switching devices
EP0927463A4 (en) * 1996-09-23 2005-10-19 Eldec Corp SEMICONDUCTOR HIGH VOLTAGE SWITCH AND DECOUPAGE POWER SUPPLY
CA2232199C (en) * 1997-04-22 2000-02-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Power converter with voltage drive switching element
JP3447949B2 (ja) 1998-03-31 2003-09-16 株式会社東芝 絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路、電力変換装置
DE19838389C1 (de) * 1998-08-24 2000-03-09 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung eines abschaltbaren Stromrichterventils mit der Reihenschaltzahl Zwei oder größer
US6424035B1 (en) * 1998-11-05 2002-07-23 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor bilateral switch
EP1069684A1 (fr) * 1999-07-15 2001-01-17 Alstom Belgium S.A. Procédé et dispositif d'écrêtage actif commande pour convertisseurs de puissance
US7132868B2 (en) 2001-06-27 2006-11-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
DE10146900A1 (de) * 2001-09-24 2003-04-10 Abb Research Ltd Schaltungsanordnung und Verfahren zur potentialgetrennten Ansteuerung in Serie geschalteter, abschaltbarer Halbleiterschaltelemente
JP3791400B2 (ja) * 2001-11-22 2006-06-28 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4094984B2 (ja) * 2003-04-24 2008-06-04 三菱電機株式会社 半導体装置
FR2857176B1 (fr) * 2003-07-02 2005-09-02 Inst Nat Polytech Grenoble Dispositif de protection pour composant electronique et circuit integre
DE10351873B4 (de) * 2003-11-06 2012-07-26 Pilz Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum fehlersicheren Abschalten eines induktiven Verbrauchers
JP4823024B2 (ja) * 2006-11-09 2011-11-24 株式会社東芝 レベル変換回路
US7508096B1 (en) * 2007-09-20 2009-03-24 General Electric Company Switching circuit apparatus having a series conduction path for servicing a load and switching method
US8869962B2 (en) 2010-09-20 2014-10-28 Schaeffler Technologies AG & Co. KG Wheel spindle drive element
EP2445110B1 (en) 2010-10-22 2014-05-14 ABB Research Ltd Gate driver unit for electrical switching device
US9071169B2 (en) * 2011-02-18 2015-06-30 Ge Hybrid Technologies, Llc Programmable gate controller system and method
DE102011079545A1 (de) * 2011-07-21 2013-01-24 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung mit einem Halbleiterschalter und einer zugehörigen Ansteuerschaltung
GB201311997D0 (en) * 2013-07-04 2013-08-21 Amantys Ltd Synchronising parallel power switches
JP6066867B2 (ja) * 2013-08-27 2017-01-25 三菱電機株式会社 駆動回路および半導体装置
US9515651B2 (en) 2014-06-19 2016-12-06 Triune Ip Llc Galvanically isolated switch system
EP3081948A1 (fr) * 2015-04-15 2016-10-19 General Electric Technology GmbH Mesure et equilibrage de courant
GB2542805A (en) * 2015-09-30 2017-04-05 General Electric Technology Gmbh Semiconductor switching string
EP3692635A4 (en) * 2017-09-07 2021-08-04 Visic Technologies Ltd. FAST HIGH VOLTAGE SWITCHING DEVICES
CN109525229A (zh) * 2017-09-18 2019-03-26 通用电气公司 用于控制串联功率开关器件之电压平衡的方法和系统
CN108092493B (zh) * 2017-12-26 2020-12-25 南京工程学院 一种SiC MOSFET串联电路
EP3512083B1 (en) * 2018-01-12 2023-08-23 ABB Schweiz AG Determining and compensating power transistor switching delay
SE544134C2 (en) * 2019-09-05 2022-01-11 Scania Cv Ab An electronic circuit breaker with self-triggering protection for a vehicle, and a method therefor

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2430823A1 (de) * 1974-06-27 1976-01-15 Braun Ag Gasfeuerzeug mit einem flammoeffnungsverschluss
IT1016268B (it) * 1974-07-02 1977-05-30 Gni Energet In Apparecchio per proteggere dalla sovratensione i tiristori di un con vertitore controllato ad alta tensione
JPS546758A (en) * 1977-06-17 1979-01-19 Fuji Electric Co Ltd Serial connection circuit for transistor
JPS5533313A (en) * 1978-08-30 1980-03-08 Toshiba Corp Serial connection circuit for self-arc-extinguishing semiconductor element
DE2852943C3 (de) * 1978-12-07 1981-09-10 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Anordnung mit einem verzögerungsbehafteten Halbleiterschalter
US4356416A (en) * 1980-07-17 1982-10-26 General Electric Company Voltage controlled non-saturating semiconductor switch and voltage converter circuit employing same
DE3104015C2 (de) * 1981-02-05 1984-10-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Überstromschutzanordnung für einen Halbleiterschalter
JPS5843175A (ja) * 1981-09-04 1983-03-12 Hitachi Ltd サイリスタの故障検出装置
US4540933A (en) * 1982-11-10 1985-09-10 U.S. Philips Corporation Circuit for simultaneous cut-off of two series connected high voltage power switches
FR2580878B1 (fr) * 1985-04-17 1987-11-27 Jeumont Schneider Procede de commande de l'instant d'ouverture d'un interrupteur, et circuit logique correspondant
DE3714174A1 (de) * 1987-04-24 1988-11-10 Licentia Gmbh Symmetrierung der abzuschaltenden stroeme parallelgeschalteter, gategesteuerter halbleiter
DE3714173A1 (de) * 1987-04-24 1988-11-10 Licentia Gmbh Vergleichmaessigung der spannungsaufteilung beim abschalten einer reihenschaltung gategesteuerter halbleiter
SE460818B (sv) * 1988-03-28 1989-11-20 Asea Brown Boveri Halvledarkoppling innefattande att flertal seriekopplade slaeckbara tyristorer
DE3931729C1 (ko) * 1989-09-22 1990-07-12 Transtechnik Gmbh, 8150 Holzkirchen, De
DE4122653C2 (de) * 1991-07-09 1996-04-11 Daimler Benz Ag Steuerbare Halbleiterschalteinrichtung mit integrierter Strombegrenzung und Übertemperaturabschaltung
JPH05344707A (ja) * 1992-06-15 1993-12-24 Toshiba Corp サイリスタ変換器の制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE4403941C2 (de) 2000-05-18
CN1127213C (zh) 2003-11-05
EP0666647B1 (de) 2001-09-19
CN1117670A (zh) 1996-02-28
CA2140575A1 (en) 1995-08-09
US5616970A (en) 1997-04-01
KR100353293B1 (ko) 2002-12-26
JPH07264028A (ja) 1995-10-13
ATE205978T1 (de) 2001-10-15
DE59509596D1 (de) 2001-10-25
ES2164749T3 (es) 2002-03-01
CA2140575C (en) 2004-09-28
JP3565933B2 (ja) 2004-09-15
DE4403941A1 (de) 1995-08-10
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