JPH07212207A - 方形波定電流発生回路 - Google Patents
方形波定電流発生回路Info
- Publication number
- JPH07212207A JPH07212207A JP6005502A JP550294A JPH07212207A JP H07212207 A JPH07212207 A JP H07212207A JP 6005502 A JP6005502 A JP 6005502A JP 550294 A JP550294 A JP 550294A JP H07212207 A JPH07212207 A JP H07212207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- switching circuit
- constant current
- circulation
- square wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Pivots And Pivotal Connections (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】簡単な操作で理想電流波形に近い方形波定電流
を被試験体に供給できる構成が簡素な方形波定電流発生
回路を提供する。 【構成】定電流直流電源２と、その出力電流をオンオフ
制御して方形波定電流Ｉs を発生する主スイッチング回
路１３とを備え、被試験体１０に方形波定電流を供給す
る方形波定電流発生回路２０が、主スイッチング回路１
３および被試験体１０の直列回路に並列接続された循環
用スイッチング回路１９を備える。
を被試験体に供給できる構成が簡素な方形波定電流発生
回路を提供する。 【構成】定電流直流電源２と、その出力電流をオンオフ
制御して方形波定電流Ｉs を発生する主スイッチング回
路１３とを備え、被試験体１０に方形波定電流を供給す
る方形波定電流発生回路２０が、主スイッチング回路１
３および被試験体１０の直列回路に並列接続された循環
用スイッチング回路１９を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、方形波定電流を流し
て行う被試験体，例えば半導体装置の特性評価試験に電
源装置として使用される方形波定電流発生回路に関す
る。
て行う被試験体，例えば半導体装置の特性評価試験に電
源装置として使用される方形波定電流発生回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の方形波定電流発生回路を簡
略化して示す構成図であり、方形波定電流発生回路１は
例えばリミッタにより出力電流が一定値に制限された定
電流直流電源２と、その出力電流Ｉをオンオフ制御して
方形波定電流に変換し、被試験体としての例えば半導体
装置１０に供給する主スイッチング回路３とで構成され
る。また、主スイッチング回路３はスイッチング速度が
速いＭＯＳＦＥＴ，ＩＧＢＴ，パワ−トランジスタなど
の自己消弧形半導体素子３と、そのゲ−ト制御回路５と
で構成され、図ではＭＯＳＦＥＴで示す自己消弧形半導
体素子３のドレインおよびソ−スが定電流直流電源２と
半導体装置１０との間に直列接続され、そのゲ−トにゲ
−ト制御回路５からパルス幅Ｔなるオン信号が印加され
ることにより、ＭＯＳＦＥＴ５がオン状態となり、半導
体装置１０にパルス幅Ｔなる方形波定電流が供給され
る。
略化して示す構成図であり、方形波定電流発生回路１は
例えばリミッタにより出力電流が一定値に制限された定
電流直流電源２と、その出力電流Ｉをオンオフ制御して
方形波定電流に変換し、被試験体としての例えば半導体
装置１０に供給する主スイッチング回路３とで構成され
る。また、主スイッチング回路３はスイッチング速度が
速いＭＯＳＦＥＴ，ＩＧＢＴ，パワ−トランジスタなど
の自己消弧形半導体素子３と、そのゲ−ト制御回路５と
で構成され、図ではＭＯＳＦＥＴで示す自己消弧形半導
体素子３のドレインおよびソ−スが定電流直流電源２と
半導体装置１０との間に直列接続され、そのゲ−トにゲ
−ト制御回路５からパルス幅Ｔなるオン信号が印加され
ることにより、ＭＯＳＦＥＴ５がオン状態となり、半導
体装置１０にパルス幅Ｔなる方形波定電流が供給され
る。
【０００３】図４は従来の方形波定電流発生回路の出力
方形波定電流の波形図であり、主スイッチング回路３の
ＭＯＳＦＥＴ５をオンしたとき半導体装置１０に供給さ
れる方形波定電流波形は、定電流直流電源２の内部イン
ピ−ダンスの影響をうけて図中破線で示す理想電流波形
１０１の立ち上がり速度に比べ、従来の電流波形１０２
はその立ち上がりが遅くなり、この傾向は電流値が増大
するとともに大きくなる。
方形波定電流の波形図であり、主スイッチング回路３の
ＭＯＳＦＥＴ５をオンしたとき半導体装置１０に供給さ
れる方形波定電流波形は、定電流直流電源２の内部イン
ピ−ダンスの影響をうけて図中破線で示す理想電流波形
１０１の立ち上がり速度に比べ、従来の電流波形１０２
はその立ち上がりが遅くなり、この傾向は電流値が増大
するとともに大きくなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように構成され
た従来の方形波定電流発生回路１を、例えば半導体装置
の熱抵抗試験用の電流源として使用とする場合、パルス
幅10〜100ms の方形波定電流を流すことによって半導体
装置に生ずる発熱量とオン抵抗の変化との関係を正確に
求めるためには、半導体装置に流す方形波定電流波形が
その理想電流波形としての方形波を維持して半導体装置
への注入電力を正確に把握できることが求められる。と
ころが、従来の方形波定電流発生回路１ではその電源イ
ンピ−ダンスの影響を受けて方形波の立ち上がり部分に
遅れが生じ、この波形の歪みが半導体装置への注入電力
の算定に無視できない影響を及ぼすという問題がある。
また、注入電力の算定に当たって波形の歪みの影響を補
正演算することも考えられるが、複雑な演算を必要とす
るために熱抵抗試験のデ−タ処理が複雑化するという問
題がある。
た従来の方形波定電流発生回路１を、例えば半導体装置
の熱抵抗試験用の電流源として使用とする場合、パルス
幅10〜100ms の方形波定電流を流すことによって半導体
装置に生ずる発熱量とオン抵抗の変化との関係を正確に
求めるためには、半導体装置に流す方形波定電流波形が
その理想電流波形としての方形波を維持して半導体装置
への注入電力を正確に把握できることが求められる。と
ころが、従来の方形波定電流発生回路１ではその電源イ
ンピ−ダンスの影響を受けて方形波の立ち上がり部分に
遅れが生じ、この波形の歪みが半導体装置への注入電力
の算定に無視できない影響を及ぼすという問題がある。
また、注入電力の算定に当たって波形の歪みの影響を補
正演算することも考えられるが、複雑な演算を必要とす
るために熱抵抗試験のデ−タ処理が複雑化するという問
題がある。
【０００５】この発明の目的は、簡単な操作で理想電流
波形に近い方形波定電流を被試験体に供給できる構成が
簡素な方形波定電流発生回路を提供することにある。
波形に近い方形波定電流を被試験体に供給できる構成が
簡素な方形波定電流発生回路を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明によれば、定電流直流電源と、その出力電
流をオンオフ制御して方形波定電流を発生する主スイッ
チング回路とを備え、被試験体に方形波定電流を供給す
るものにおいて、前記主スイッチング回路および被試験
体の直列回路に並列接続された循環用スイッチング回路
を備えてなるものとする。
に、この発明によれば、定電流直流電源と、その出力電
流をオンオフ制御して方形波定電流を発生する主スイッ
チング回路とを備え、被試験体に方形波定電流を供給す
るものにおいて、前記主スイッチング回路および被試験
体の直列回路に並列接続された循環用スイッチング回路
を備えてなるものとする。
【０００７】主スイッチング回路および循環用スイッチ
ング回路がそれぞれ自己消弧形半導体素子と、その制御
端子に接続されたドライブ回路とからなり、かつ一対の
ドライブ回路の動作タイミングを指令する制御回路を備
えてなるものとする。制御回路の出力する動作タイミン
グの指令信号が、主スイッチング回路および循環用スイ
ッチング回路が開路した状態で循環用スイッチング回路
の閉路を指令し、循環用スイッチング回路に流れる循環
電流が一定電流値に安定した時点で主スイッチング回路
の閉路および循環用スイッチング回路の開路を同時に指
令する被試験体への通流開始指令信号列を含むものとす
る。
ング回路がそれぞれ自己消弧形半導体素子と、その制御
端子に接続されたドライブ回路とからなり、かつ一対の
ドライブ回路の動作タイミングを指令する制御回路を備
えてなるものとする。制御回路の出力する動作タイミン
グの指令信号が、主スイッチング回路および循環用スイ
ッチング回路が開路した状態で循環用スイッチング回路
の閉路を指令し、循環用スイッチング回路に流れる循環
電流が一定電流値に安定した時点で主スイッチング回路
の閉路および循環用スイッチング回路の開路を同時に指
令する被試験体への通流開始指令信号列を含むものとす
る。
【０００８】制御回路の出力する動作タイミングの指令
信号が、主スイッチング回路が閉路，循環用スイッチン
グ回路が開路した被試験体への通流状態で、主スイッチ
ング回路の開路および循環用スイッチング回路の閉路を
同時に指令する被試験体への通流停止指令信号列を含む
ものとする。
信号が、主スイッチング回路が閉路，循環用スイッチン
グ回路が開路した被試験体への通流状態で、主スイッチ
ング回路の開路および循環用スイッチング回路の閉路を
同時に指令する被試験体への通流停止指令信号列を含む
ものとする。
【０００９】
【作用】この発明において、主スイッチング回路および
被試験体の直列回路に並列接続された循環用スイッチン
グ回路を備えるよう構成したことにより、被試験体への
方形波定電流の通流に際し、先ず循環用スイッチング回
路を閉じて定電流直流電源の出力電流を循環用スイッチ
ング回路を介して循環させ、循環用スイッチング回路に
流れる循環電流が一定電流値に安定した時点で主スイッ
チング回路の閉路と循環用スイッチング回路の開路を同
時に行うことにより、今まで循環用スイッチング回路に
流れていた定電流を主スイッチング回路を介して被試験
体側に切り換えて流すことが可能となるので、定電流直
流電源の出力電流を殆ど変化させることなく循環電流を
方形波定電流に切り換えることができることになり、定
電流直流電源の内部インピ−ダンスに流れる電流が急激
に変化することによって生ずる方形波電流の立ち上がり
の遅れを排除し、立ち上がりの速い方形波電流を被試験
体に供給する機能が得られる。
被試験体の直列回路に並列接続された循環用スイッチン
グ回路を備えるよう構成したことにより、被試験体への
方形波定電流の通流に際し、先ず循環用スイッチング回
路を閉じて定電流直流電源の出力電流を循環用スイッチ
ング回路を介して循環させ、循環用スイッチング回路に
流れる循環電流が一定電流値に安定した時点で主スイッ
チング回路の閉路と循環用スイッチング回路の開路を同
時に行うことにより、今まで循環用スイッチング回路に
流れていた定電流を主スイッチング回路を介して被試験
体側に切り換えて流すことが可能となるので、定電流直
流電源の出力電流を殆ど変化させることなく循環電流を
方形波定電流に切り換えることができることになり、定
電流直流電源の内部インピ−ダンスに流れる電流が急激
に変化することによって生ずる方形波電流の立ち上がり
の遅れを排除し、立ち上がりの速い方形波電流を被試験
体に供給する機能が得られる。
【００１０】また、主スイッチング回路および循環用ス
イッチング回路をそれぞれ自己消弧形半導体素子と、そ
の制御端子に接続されたドライブ回路とで構成すれば、
ドライブ回路によるオンオフ制御に際し、スイッチング
速度の速い自己消弧形半導体素子の特性を利用して方形
波定電流波形の立ち上がり，立ち下がりを理想的方形波
に近づける機能が得られる。
イッチング回路をそれぞれ自己消弧形半導体素子と、そ
の制御端子に接続されたドライブ回路とで構成すれば、
ドライブ回路によるオンオフ制御に際し、スイッチング
速度の速い自己消弧形半導体素子の特性を利用して方形
波定電流波形の立ち上がり，立ち下がりを理想的方形波
に近づける機能が得られる。
【００１１】さらに、制御回路が出力する動作タイミン
グの指令信号が、主スイッチング回路および循環用スイ
ッチング回路が開路した状態で循環用スイッチング回路
を指令し、循環用スイッチング回路に流れる循環電流が
一定電流値に安定した時点で主スイッチング回路の閉路
および循環用スイッチング回路の開路を同時に指令する
被試験体への通流開始指令信号列を含むよう構成すれ
ば、循環電流の通流および循環電流から被試験体への通
流経路の移行を円滑に自動制御する機能が得られる。
グの指令信号が、主スイッチング回路および循環用スイ
ッチング回路が開路した状態で循環用スイッチング回路
を指令し、循環用スイッチング回路に流れる循環電流が
一定電流値に安定した時点で主スイッチング回路の閉路
および循環用スイッチング回路の開路を同時に指令する
被試験体への通流開始指令信号列を含むよう構成すれ
ば、循環電流の通流および循環電流から被試験体への通
流経路の移行を円滑に自動制御する機能が得られる。
【００１２】さらにまた、制御回路の出力する動作タイ
ミングの指令信号が、主スイッチング回路が閉路，循環
用スイッチング回路が開路した被試験体への通流状態
で、主スイッチング回路の開路および循環用スイッチン
グ回路の閉路を同時に指令する被試験体への通流停止指
令信号列を含むよう構成すれば、定電流直流電源の出力
電流を殆ど変化させることなく被試験体への通流を停止
することができるので、定電流直流電源の出力電流を遮
断することによって生ずる過電圧サ−ジをオン状態の循
環用スイッチング回路が吸収し、過電圧サ−ジが被試験
体に印加されることによって生ずる障害を防止する保護
機能が得られる。
ミングの指令信号が、主スイッチング回路が閉路，循環
用スイッチング回路が開路した被試験体への通流状態
で、主スイッチング回路の開路および循環用スイッチン
グ回路の閉路を同時に指令する被試験体への通流停止指
令信号列を含むよう構成すれば、定電流直流電源の出力
電流を殆ど変化させることなく被試験体への通流を停止
することができるので、定電流直流電源の出力電流を遮
断することによって生ずる過電圧サ−ジをオン状態の循
環用スイッチング回路が吸収し、過電圧サ−ジが被試験
体に印加されることによって生ずる障害を防止する保護
機能が得られる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて説明す
る。図１はこの発明の実施例になる方形波定電流発生回
路を簡略化して示す構成図、図２はこの発明の実施例に
なる方形波定電流発生回路の動作を示すタイムチャ−ト
であり、従来技術と同じ構成部分には同一参照符号を付
すことにより、重複した説明を省略する。図において、
方形波定電流発生回路２０は、定電流直流電源２と、そ
の出力電流をオンオフ制御して方形波定電流Ｉs を被試
験体としての供試半導体装置１０に供給する主スイッチ
ング回路１３と、主スイッチング回路１３および被試験
体１０の直列回路に並列接続された循環用スイッチング
回路１９とで構成される。
る。図１はこの発明の実施例になる方形波定電流発生回
路を簡略化して示す構成図、図２はこの発明の実施例に
なる方形波定電流発生回路の動作を示すタイムチャ−ト
であり、従来技術と同じ構成部分には同一参照符号を付
すことにより、重複した説明を省略する。図において、
方形波定電流発生回路２０は、定電流直流電源２と、そ
の出力電流をオンオフ制御して方形波定電流Ｉs を被試
験体としての供試半導体装置１０に供給する主スイッチ
ング回路１３と、主スイッチング回路１３および被試験
体１０の直列回路に並列接続された循環用スイッチング
回路１９とで構成される。
【００１４】また、主スイッチング回路１３および循環
用スイッチング回路１９はそれぞれ自己消弧形半導体素
子としての例えばＭＯＳＦＥＴ１５および１７と、その
ドライブ回路１６および１８とからなり、かつ一対のド
ライブ回路１６および１８の動作が制御回路１２が発す
る指令信号１２s,および１２j により予め定まるタイミ
ングに基づいて図２に示すように制御される。即ち、被
試験体１０への通流開始制御は、主スイッチング回路１
３および循環用スイッチング回路１９それぞれのＭＯＳ
ＦＥＴ１５および１７が開路した状態のｔ1 時点で、制
御回路１２からＭＯＳＦＥＴ１７のタ−ンオンを指令す
る信号１２j が出力されると、ドライブ回路１８の出力
駆動電圧１８j がＨレベルに変化し、ＭＯＳＦＥＴ１７
が導通状態となって循環電流Ｉj が流れる。このとき、
循環電流Ｉj は定電流直流電源２の内部インピ−ダンス
の影響を受けて方形波電流の立ち上がりに遅れを生ずる
が、循環電流Ｉj が一定値に安定するｔ2 時点で制御回
路１２が駆動電圧１８j をＬレベルに下げる指令１２j
およびドライブ回路１６の出力駆動電圧１６s をＨレベ
ルにする指令１２s を同時に出力することにより、ＭＯ
ＳＦＥＴ１５がタ−ンオンすると同時にＭＯＳＦＥＴ１
７がタ−ンオフし、定電流直流電源２の出力電流を殆ど
変化させることなく循環電流Ｉj を主スイッチング回路
１３で方形波定電流Ｉs に切り換えて被試験体１０に流
すことができる。
用スイッチング回路１９はそれぞれ自己消弧形半導体素
子としての例えばＭＯＳＦＥＴ１５および１７と、その
ドライブ回路１６および１８とからなり、かつ一対のド
ライブ回路１６および１８の動作が制御回路１２が発す
る指令信号１２s,および１２j により予め定まるタイミ
ングに基づいて図２に示すように制御される。即ち、被
試験体１０への通流開始制御は、主スイッチング回路１
３および循環用スイッチング回路１９それぞれのＭＯＳ
ＦＥＴ１５および１７が開路した状態のｔ1 時点で、制
御回路１２からＭＯＳＦＥＴ１７のタ−ンオンを指令す
る信号１２j が出力されると、ドライブ回路１８の出力
駆動電圧１８j がＨレベルに変化し、ＭＯＳＦＥＴ１７
が導通状態となって循環電流Ｉj が流れる。このとき、
循環電流Ｉj は定電流直流電源２の内部インピ−ダンス
の影響を受けて方形波電流の立ち上がりに遅れを生ずる
が、循環電流Ｉj が一定値に安定するｔ2 時点で制御回
路１２が駆動電圧１８j をＬレベルに下げる指令１２j
およびドライブ回路１６の出力駆動電圧１６s をＨレベ
ルにする指令１２s を同時に出力することにより、ＭＯ
ＳＦＥＴ１５がタ−ンオンすると同時にＭＯＳＦＥＴ１
７がタ−ンオフし、定電流直流電源２の出力電流を殆ど
変化させることなく循環電流Ｉj を主スイッチング回路
１３で方形波定電流Ｉs に切り換えて被試験体１０に流
すことができる。
【００１５】このとき、定電流直流電源２の出力電流に
は殆ど変化を生じないので、定電流直流電源２に流れる
電流が急激に変化することによってその内部インピ−ダ
ンスに生ずる過渡的な電圧降下は殆ど零となり、立ち上
がりの遅れが排除された方形波電流Ｉs を被試験体１０
に供給することができる。従って、この発明の実施例に
なる方形波定電流発生回路２０を例えば半導体装置の熱
抵抗試験用の電流源として使用した場合、電流波形の歪
みが半導体装置への注入電力の算定に及ぼす影響を排除
できるので、複雑な演算を必要とすることなく半導体装
置への注入電力を精度よく求めることが可能となり、精
度の高い半導体装置の熱抵抗試験を行える利点が得られ
る。
は殆ど変化を生じないので、定電流直流電源２に流れる
電流が急激に変化することによってその内部インピ−ダ
ンスに生ずる過渡的な電圧降下は殆ど零となり、立ち上
がりの遅れが排除された方形波電流Ｉs を被試験体１０
に供給することができる。従って、この発明の実施例に
なる方形波定電流発生回路２０を例えば半導体装置の熱
抵抗試験用の電流源として使用した場合、電流波形の歪
みが半導体装置への注入電力の算定に及ぼす影響を排除
できるので、複雑な演算を必要とすることなく半導体装
置への注入電力を精度よく求めることが可能となり、精
度の高い半導体装置の熱抵抗試験を行える利点が得られ
る。
【００１６】一方、方形波定電流Ｉs の通流時間がその
パルス幅Ｔを経過したｔ3 時点でＭＯＳＦＥＴ１５のタ
−ンオフを指令する通流停止指令を制御回路１２が出力
するよう構成すれば、ＭＯＳＦＥＴ１５の優れたスイッ
チング速度に対応したステップ状の立ち下がりを有する
方形波定電流Ｉs を半導体装置に供給することができ
る。このとき、主スイッチング回路１５の開路および循
環用スイッチング回路１９の閉路を同時に指令する通流
停止指令信号列を制御回路１２が発するよう構成すれ
ば、定電流直流電源２の出力電流を殆ど変化させること
なく被試験体１０に流れていた方形波定電流Ｉs の流通
経路を循環電流Ｉs に切り換え、循環用スイッチング回
路１９側に流すことができるので、定電流直流電源２の
出力電流を殆ど変化させることなく方形波定電流Ｉs の
通流を停止することが可能となり、定電流直流電源の出
力電流を遮断する際生ずる過電圧サ−ジをオン状態の循
環用スイッチング回路が吸収し、過電圧サ−ジが被試験
体に印加されることによって生ずる障害を防止する過電
圧保護効果が得られる。
パルス幅Ｔを経過したｔ3 時点でＭＯＳＦＥＴ１５のタ
−ンオフを指令する通流停止指令を制御回路１２が出力
するよう構成すれば、ＭＯＳＦＥＴ１５の優れたスイッ
チング速度に対応したステップ状の立ち下がりを有する
方形波定電流Ｉs を半導体装置に供給することができ
る。このとき、主スイッチング回路１５の開路および循
環用スイッチング回路１９の閉路を同時に指令する通流
停止指令信号列を制御回路１２が発するよう構成すれ
ば、定電流直流電源２の出力電流を殆ど変化させること
なく被試験体１０に流れていた方形波定電流Ｉs の流通
経路を循環電流Ｉs に切り換え、循環用スイッチング回
路１９側に流すことができるので、定電流直流電源２の
出力電流を殆ど変化させることなく方形波定電流Ｉs の
通流を停止することが可能となり、定電流直流電源の出
力電流を遮断する際生ずる過電圧サ−ジをオン状態の循
環用スイッチング回路が吸収し、過電圧サ−ジが被試験
体に印加されることによって生ずる障害を防止する過電
圧保護効果が得られる。
【００１７】
【発明の効果】この発明は前述のように、定電流直流電
源および主スイッチング回路からなり、半導体装置等の
被試験体に方形波定電流を供給する方形波定電流発生回
路に、主スイッチング回路および被試験体の直列回路に
並列接続された循環用スイッチング回路を付加するよう
構成した。その結果、定電流直流電源の出力電流を循環
用スイッチング回路側から主スイッチング回路側に経路
変更するだけの簡単な操作で、方形波定電流の立ち上が
りの遅れを排除した方形波電流を被試験体に供給できる
回路構成が簡素な方形波定電流発生回路を提供すること
ができる。
源および主スイッチング回路からなり、半導体装置等の
被試験体に方形波定電流を供給する方形波定電流発生回
路に、主スイッチング回路および被試験体の直列回路に
並列接続された循環用スイッチング回路を付加するよう
構成した。その結果、定電流直流電源の出力電流を循環
用スイッチング回路側から主スイッチング回路側に経路
変更するだけの簡単な操作で、方形波定電流の立ち上が
りの遅れを排除した方形波電流を被試験体に供給できる
回路構成が簡素な方形波定電流発生回路を提供すること
ができる。
【００１８】また、方形波定電流の立ち上がりの遅い従
来の方形波定電流発生回路を半導体装置の熱抵抗試験に
用いた場合問題となった、電流波形の歪みが半導体装置
への注入電力の算定に及ぼす影響が排除され、複雑な補
正演算を必要とすることなく半導体装置の熱抵抗試験を
精度よく，かつ迅速に行える利点が得られる。
来の方形波定電流発生回路を半導体装置の熱抵抗試験に
用いた場合問題となった、電流波形の歪みが半導体装置
への注入電力の算定に及ぼす影響が排除され、複雑な補
正演算を必要とすることなく半導体装置の熱抵抗試験を
精度よく，かつ迅速に行える利点が得られる。
【図１】この発明の実施例になる方形波定電流発生回路
を簡略化して示す構成図
を簡略化して示す構成図
【図２】この発明の実施例になる方形波定電流発生回路
の動作を示すタイムチャ−ト
の動作を示すタイムチャ−ト
【図３】従来の方形波定電流発生回路を簡略化して示す
構成図
構成図
【図４】従来の方形波定電流発生回路における出力方形
波定電流の波形図
波定電流の波形図
１ 方形波定電流発生回路 ２ 定電流直流電源 ３ 主スイッチング回路 ５ 自己消弧形半導体素子（ＭＯＳＦＥＴ） ６ ゲ−ト制御回路 １０ 被試験体 １２ 制御回路 １２j 指令信号（循環用スイッチング回路側） １２s 指令信号（主スイッチング回路側） １３ 主スイッチング回路 １５ 自己消弧形半導体素子（ＭＯＳＦＥＴ） １６ ドライブ回路 １６s 駆動電圧 １７ 自己消弧形半導体素子（ＭＯＳＦＥＴ） １８ ドライブ回路 １８j 駆動電圧 １９ 循環用スイッチング回路 ２０ 方形波定電流発生回路 Ｉj 循環電流 Ｉs 方形波定電流
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｚ 7630−4Ｍ Ｈ０３Ｋ 3/02 Ｚ 17/687
Claims (4)
- 【請求項１】定電流直流電源と、その出力電流をオンオ
フ制御して方形波定電流を発生する主スイッチング回路
とを備え、被試験体に方形波定電流を供給するものにお
いて、前記主スイッチング回路および被試験体の直列回
路に並列接続された循環用スイッチング回路を備えてな
ることを特徴とする方形波定電流発生回路。 - 【請求項２】主スイッチング回路および循環用スイッチ
ング回路がそれぞれ自己消弧形半導体素子と、その制御
端子に接続されたドライブ回路とからなり、かつ一対の
ドライブ回路の動作タイミングを指令する制御回路を備
えてなることを特徴とする請求項１記載の方形波定電流
発生回路。 - 【請求項３】制御回路が出力する動作タイミングの指令
信号が、主スイッチング回路および循環用スイッチング
回路が開路した状態で循環用スイッチング回路の閉路を
指令し、循環用スイッチング回路に流れる循環電流が一
定電流値に安定した時点で主スイッチング回路の閉路お
よび循環用スイッチング回路の開路を同時に指令する被
試験体への通流開始指令信号列を含むことを特徴とする
請求項１または請求項２記載の方形波定電流発生回路。 - 【請求項４】制御回路が出力する動作タイミングの指令
信号が、主スイッチング回路が閉路，循環用スイッチン
グ回路が開路した被試験体への通流状態で、主スイッチ
ング回路の開路および循環用スイッチング回路の閉路を
同時に指令する被試験体への通流停止指令信号列を含む
ことを特徴とする請求項３記載の方形波定電流発生回
路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6005502A JPH07212207A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 方形波定電流発生回路 |
| CN 95101150 CN1112205A (zh) | 1994-01-24 | 1995-01-10 | 铰链结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6005502A JPH07212207A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 方形波定電流発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07212207A true JPH07212207A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11612997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6005502A Pending JPH07212207A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 方形波定電流発生回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07212207A (ja) |
| CN (1) | CN1112205A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001296327A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nec Corp | 耐電流測定方法及びその装置 |
| CN108336923A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-07-27 | 武汉华中华昌能源电气科技有限公司 | 一种脉冲电路及具有该脉冲电路的矩形波脉冲源 |
| JP2020176851A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 株式会社クオルテック | 半導体試験装置および半導体素子の試験方法。 |
| US11994551B2 (en) | 2019-06-04 | 2024-05-28 | Qualtec Co., Ltd. | Semiconductor component test device and method of testing semiconductor components |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5727158B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2015-06-03 | インディアン インスティテュート オブ テクノロジー デリー | ロック可能なヒンジ組立体 |
| DE202018102086U1 (de) * | 2018-04-17 | 2019-07-18 | Grass Gmbh | Gelenkhebel für eine Vorrichtung zur Bewegung eines an einem Möbelkorpus eines Möbels aufgenommenen Möbelteils |
-
1994
- 1994-01-24 JP JP6005502A patent/JPH07212207A/ja active Pending
-
1995
- 1995-01-10 CN CN 95101150 patent/CN1112205A/zh active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001296327A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nec Corp | 耐電流測定方法及びその装置 |
| JP4544693B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2010-09-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 耐電流測定方法 |
| CN108336923A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-07-27 | 武汉华中华昌能源电气科技有限公司 | 一种脉冲电路及具有该脉冲电路的矩形波脉冲源 |
| CN108336923B (zh) * | 2018-04-13 | 2023-10-20 | 武汉华中华昌能源电气科技有限公司 | 一种脉冲电路及具有该脉冲电路的矩形波脉冲源 |
| JP2020176851A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 株式会社クオルテック | 半導体試験装置および半導体素子の試験方法。 |
| US11994551B2 (en) | 2019-06-04 | 2024-05-28 | Qualtec Co., Ltd. | Semiconductor component test device and method of testing semiconductor components |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1112205A (zh) | 1995-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Dymond et al. | A 6.7-GHz active gate driver for GaN FETs to combat overshoot, ringing, and EMI | |
| EP2089968B2 (en) | Control method and circuit for power semiconductor devices | |
| US9209787B2 (en) | Semiconductor device controllers | |
| US20180309433A1 (en) | Soft shutdown modular circuitry for power semiconductor switches | |
| TW546901B (en) | Voltage sensing with high and low side signals for deadtime compensation and shutdown for short circuit protection | |
| JP4023336B2 (ja) | 半導体装置の駆動方法および装置 | |
| US4532443A (en) | Parallel MOSFET power switch circuit | |
| Kuring et al. | Novel monolithically integrated bidirectional GaN HEMT | |
| JPH0947015A (ja) | 自己消弧形半導体素子の駆動回路 | |
| JP2004520790A (ja) | パルス幅変調駆動システムにおける不動作時間の影響を除去するシステムと方法 | |
| US6552889B1 (en) | Current limiting technique for hybrid power MOSFET circuits | |
| JPH07212207A (ja) | 方形波定電流発生回路 | |
| Wang et al. | A smart gate driver for SiC power MOSFETS with aging compensation and ringing suppression | |
| Li et al. | How to turn off SiC MOSFET with low losses and low EMI across the full operating range | |
| CN113702797B (zh) | 一种半导体器件驱动器的测试电路及其控制方法 | |
| WO1997043832A1 (en) | Insulated gate bipolar transistor control | |
| US20110273220A1 (en) | Optimal mosfet driver circuit for reducing electromagnetic interference and noise | |
| CN114244339A (zh) | 栅极驱动电路和电子装置 | |
| Lee et al. | Active gate control for multiple series connected sic mosfets | |
| TW201233047A (en) | A driving circuit without dead time for DC motor | |
| Bratvold | Investigation of a Four Level Voltage Active Gate Driver for Loss and Slope Control of SiC MOSFETs | |
| CN115133755B (zh) | 驱动电路、电机驱动芯片、电机控制器及电气设备 | |
| WO2024089896A1 (ja) | 電力用半導体素子のゲート駆動装置及び電力変換装置 | |
| US20240079971A1 (en) | Circuit for controlling power transistors of an inverter arm | |
| US20230408571A1 (en) | Method for reduction of sic mosfet gate voltage glitches |