KR950034409A - 반도체 소자의 접속장치 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 접속장치 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체 소자의 접속장치 형성방법에 관한 것으로,소오스/드레인 전극에 콘택을 형성하되, 중간층의 게이트전극과는 절연시킬때, 공정을 단순화하고, 전체구조상의 단차를 최소화하며, 또한 게이트산화막 및 소오스/드레인전극의 손상을 억제하는 반도체 접속장치 형성방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도부터 제3C도까지는 본 발명의 제1실시예에 따라 접속장치의 제조과정을 나타내는 단면도, 제4A도부터 제4B도까지의 본 발명의 제2실시예에 따라 접속장치의 제조과정을 나타내는 단면도.
Claims (12)
- 고집적 반도체 소자의 접속장치 형성방법에 있어서, 반도체기판(1)의 일정부분에 게이트산화막(3),게이트전극(4), 그리고 소오스/드레인전극(5)으로 구비되는 모스펫을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 식각장벽막(10)을 형성하고, 그 상부에 충간절연막(6)을 형성하는 단계와, 콘택마스크를 이용하고 상기 식각장벽막(10)을 식각정지층으로 사용하여 상기 층간절연막(6)의 일정부분을 식각하여 상기 소오스/드레인 전극(5)상부에 요홈(35)을 형성하는 단계와, 상기 요홈(35)측벽에 절연막 스페이서(60)를 형성하는 단계와, 상기 소오스/드레인전극(5) 상부에 노출된 식각장벽막(10)을 식각하여 콘택홀(40)을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각장벽막(10)을 질화막 또는 얇은 산화막과 질화막의 2중층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간절연막(6)을 BPSG(BORO-PHOSPHO-SILICATE-GLASS)막으로 형성하고 평탄화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택마스크의 창을 게이트 전극(4) 상부와 일정부분에 겹치도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막 스페이서(60)를 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택홀(40)측벽에 형성되는 절연막 스페이서(60)의 폭을 콘택마스크의 창이 게이트전극(4) 상부와 겹치는 간격보다 크게하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.
- 고집적 반도체 소자의 접속장치 형성방법에 있어서, 반도체기판(1)의 일정부분에 게이트산화막(3),게이트전극(4), 그리고 소오스/드레인전극(5)으로 구비되는 모스펫을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 식각장벽막(10)을 형성하고, 그 상부에 층간절연막(6)을 형성하는 단계와, 콘택마스크를 이용하고 상기 식각장벽막(10)을 식각정지층으로 사용하여 상기 층간절연막(6)을 식각한 다음, 노출된 식각장벽막(10)의 일정두께를 식각하여 소오스/드레인 전극(5)이 노출되는 콘택홀(45)를 형성하는 단게와, 상기 콘택홀(45) 측벽에 절연막 스페이서(60)를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 식각장벽막(10)을 질화막 또는 얇은 산화막과 질화막의 2중층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 층간절연막(6)을 BPSG(BORO-PHOSPHO-SILICATE-GLASS)막으로 형성하고 평탄화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 콘택마스크의 창을 게이트 전극 상부와 일정부분에 겹치도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 절연막 스페이서(60)를 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 콘택홀 측벽에 형성되는 절연막 스페이서의 폭을 콘택마스크의 창이 게이트전극 상부와 겹치는 간격보다 크게하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940011005A KR100281268B1 (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 반도체 소자의 접속장치 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940011005A KR100281268B1 (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 반도체 소자의 접속장치 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950034409A true KR950034409A (ko) | 1995-12-28 |
| KR100281268B1 KR100281268B1 (ko) | 2001-03-02 |
Family
ID=66682582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940011005A KR100281268B1 (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 반도체 소자의 접속장치 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100281268B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990025132A (ko) * | 1997-09-10 | 1999-04-06 | 윤종용 | 반도체장치의 콘택 형성방법 |
| KR100422819B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-05-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치 제조 방법 |
-
1994
- 1994-05-20 KR KR1019940011005A patent/KR100281268B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422819B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-05-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치 제조 방법 |
| KR19990025132A (ko) * | 1997-09-10 | 1999-04-06 | 윤종용 | 반도체장치의 콘택 형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100281268B1 (ko) | 2001-03-02 |
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