KR950033680A - 감광 물질을 포함하는 물체 제조 방법 - Google Patents

감광 물질을 포함하는 물체 제조 방법 Download PDF

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윌리엄 와이드맨 티모시
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비. 에스. 슈나이더
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Abstract

실리콘 함유 물질류는 유리질 화합물로의 방사선 유도 변환에 의한 패턴 형성을 위해 자외선 및 강한 자외선에서 뛰어난 감도를 나타낸다. 물질은 중기 상태로부터 침착 가능하고 전자 소자 및 광학 소자의 제조시 레지스트로서 사용하기에 뛰어난 가능성을 나타낸다.

Description

감광 물질을 포함하는 물체 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실용화에 유용한 장치를 도시한 도면.

Claims (24)

  1. 기판상에 방사선 감광물질층을 형성하는 단계와, 패턴 형성을 위해 상기 물질을 상기 방사선에 노출하는 단계 및, 상기 패턴을 현상하는 단계를 포함하는 물체(body) 제조 방법에 있어서, 상기 물질이 일반식〔RxSiHy〕n으로 표현되는 성분을 포함하며, 0.2<x<1.5이고, 0.2<y1.5이고, R은 유기치환분으로, 상기 물질은 불용성이고, 상기 현상된 영상은 포지티브인 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노출 단계는 산소 상태하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 포지티브 영상은 플라즈마계 에칭제를 이용하여 달성되는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 포지티브 영상은 습식 에칭제를 이용하여 달성되는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 방사선은 자외선 또는 강한 자외선 방사선인 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유기 치환분은 알킬 또는 아릴 치환분을 포함하는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 현상 단계는 수성 현상액을 이용하여 달성되는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  8. 기판 위에 방사선 감광 물질층을 형성하는 단계와, 패턴 형성을 위해 상기 물질을 상기 방사선에 노출하는 단계 및, 상기 패턴을 현상하는 단계를 포함하는 물체 제조 방법에 있어서, 상기 물질은 이 물질이 일반식〔RxSiHy〕로 표현되는 성분을 포함하도록 선구물질내에서 방전에 의해 형성되고, 여기서 0.2<x<1.5이고, 0.2<y<1.5이고, R은 유기치환분으로, 상기 패턴은 포지티브인 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 노출 단계는 산소 상태하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 현상 단계는 플라즈마에 대한 노출을 포함하는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 플라즈마는 플루오르 함유 플라즈마인 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 방사선은 자외선 또는 강한 자외선 방사선인 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 유기 치환분은 알킬 또는 아릴 치환분을 포함하는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 패턴을 에칭에 의해 상기 기판에 전사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  15. 제8항에 있어서, 상기 층 형성 단계는 수소 상태하에서 행하여지는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  16. 제8항에 있어서, 상기 현상 단계는 습식 에칭제에 대한 노출을 포함하는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  17. 기판상에 방사선 감광물질층을 형성하는 단계와, 패턴 형성을 위해 상기 물질을 상기 방사선에 노출하는 단계 및, 상기 패턴을 현상하는 단계를 포함하는 물체 제조 방법에 있어서, 상기 물질은 일반식 RSiH3로 표현되는 성분을 포함하는 선구물질 내에서 방전에 의해 형성되고, 이때 R은 유기치환분이며 상기 패턴은 포지티브인 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 유기 치환분은 알킬 또는 아릴 치환분을 포함하는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 형성 단계 및 상기 현상 단계는 상기 기판이 주변 환경에 지배됨이 없이 수행되는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  20. 제1항에 있어서, 상기 패턴은 추가로 산화되는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  21. 제8항에 있어서, 상기 패턴은 추가로 산화되는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  22. 제20항에 있어서, 상기 패턴은 SiO2로 산화되는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  23. 제17항에 있어서, 상기 패턴은 추가로 산화되는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
  24. 제22항에 있어서, 상기 패턴은 SiO2로 산화되는 것을 특징으로 하는 물체 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950003406A 1994-02-25 1995-02-22 감광 물질을 포함하는 물체 제조 방법 KR950033680A (ko)

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