KR950028020A - 포토레지스트 현상방법 - Google Patents

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KR950028020A
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전준성
함영목
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김주용
현대전자산업주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

본 발명은 포토리소그라피 공증 중 포토레지스트 현상방법에 관한 것으로, 순수(DI Water)에 TMAH(Tetra Methal Ammonium Chioride), 비이온성 계면활성제(Non-ionic surfaetant)인 크라운에테르(Crownether)가 포함된 용액에서 현상하는 것을 특징으로 함으로써 본 발명은 포토리소그라피 공증중 미세 패턴 형성시 발생하는 스컴이나 브릿지 등을 줄이고, 해상도나 초점심도를 증가시키면서 노광에너지로 낮출 수 있다.

Description

포토레지스트 현상방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (3)

  1. 포토레지스트 현상방법에 있어서, 순수(DI Water)에 TMAH((Tetra Methal Ammonium Chioride), 비이온성 계면활성제(Non-ionic surfaetant)인 크라운에테르(Crownether)가 포함된 용액에서현상하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 크라운에테르 clibenzo-18-crown 6인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 첨가되는 크라운에테르의 양은 100내지 300PPM인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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