KR950026957A - 저점착성 자기융착절연 바니쉬조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폴리아미드 수지를 기본으로 하는 바니쉬조성물에 있어서, 상기 폴리아미드 수지에 대하여 물성개선수지인 페놀계 경화성수지, 첨가제인 지방산 왁스류, 실리콘 화합물 또는 폴리에스테르수지 및 촉매를 첨가함을 특징으로 하는 저점착성 자기융착절연 바니쉬조성물에 관한 것으로, 자기융착성, 자기 절연 전선의 2차 절연 피막으로 사용된다.

Description

저점착성 자기융착절연 바니쉬조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. 폴리아미드계 수지를 기본으로 하는 자기융착절연 바니쉬 조성물에 있어서, 상기 폴리아미드계 수지에 폴리아미드계 수지에 대하여 물성개선 수지 0.001∼10 중량%, 첨가제 1∼20 중량% 및 촉매 0.1∼5중량%를 첨가함을 특징으로 하는 저접착성 자기융착 절연 바니쉬 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 물성개선 수지로는 페놀수지를 사용함을 특징으로 하는 저점칙성 자기융착 절연 바니쉬 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 첨가제로는 실리콘 화합물, 지방산 왁스 또는 폴리에스테르 수지를 사용함을 특징으로 하는 저점착성 자기융착 절연 바니쉬 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 페놀수지로는 다음 구조식(I)로 나타내어지는 화합물을 사용함을 특징으로 하는 저점착성 자기융착 절연 바니쉬 조성물.
    (상기 식에서 R은 메틸, 에틸, 탄소수가 2∼8인 이차 또는 삼차 알킬그룹이며, n은 100∼30,000이다.)
  5. 제3항에 있어서, 실리콘 화합물로는 다음 구조식(II)로 나타내어지는 화합물을 사용함을 특징으로 하는 저점착성 자기융착 절연 바니쉬 조성물.
    (상기 식에서 R은 탄소수 1∼20의 포화 및 불포화 탄화수소 화합물, 질소화합물, 에폭시화합물 또는 방향족화합물 중에서 선택된 기이며, R은 같거나 다를 수 있고, n은 5∼10만이다.)
  6. 제3항에 있어서, 지방산 왁스로는 탄소수 5∼30인 불포화 및 방향족 지방산을 사용함을 특징으로 하는 저점착성 자기융착 절연 바니쉬 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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