KR950025959A - 반도체 메모리 소자의 리페어 방법 - Google Patents

반도체 메모리 소자의 리페어 방법 Download PDF

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KR950025959A
KR950025959A KR1019940002284A KR19940002284A KR950025959A KR 950025959 A KR950025959 A KR 950025959A KR 1019940002284 A KR1019940002284 A KR 1019940002284A KR 19940002284 A KR19940002284 A KR 19940002284A KR 950025959 A KR950025959 A KR 950025959A
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repair
fuse
semiconductor memory
memory device
polysilicon layers
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KR1019940002284A
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신용욱
최종운
백동원
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 메모리 소자에서 정보를 보관하고 있는 셀 어레이(Cell Array)의 소정 부위에 에러(Error)가 발생하였을시 이 에러 부위를 리페어 회로(Repair Circuit)의 셀 어레이 부위와 대체하는 리페어를 수행하기 위하여 리페어 부분의 퓨즈(Fuge)를 전기적으로 차단하는 반도체 메모리 소자의 리페어 방법에 있어서, 상기 리페어 회로의 퓨즈는 절연막(24)을 사이에 두고 두 개의 폴리실리콘층(23,25)이 오버랩(Overlap)되는 구조를 갖도록 형성하고, 상기 리페어 회로의 퓨즈를 형성하고 있는 두 개의 폴리실리콘층(23, 25)중 어느 한쪽 폴리실리콘층에 직류 전류 바이어스를 인가하여 상기 두 개의 폴리실리콘층(23, 25)을 단락(Short)시키는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 리페어 방법에 관한 것으로, 레이저 빔을 이용하지 않고 리페어를 손쉽게 수행함으로써 소자의 원가 절감, 공정시간 및 장비 그리고 인원등 모든면에서 효과를 갖는다.

Description

반도체 메모리 소자의 리페어 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 본 발명에 따른 리페어 방법을 위해 형성된 리페어 회로의 퓨즈 부분 단면도,
제2B도는 제2A도의 퓨즈를 구성하고 있는 얇은 절연막이 파괴된 상태의 단면도.

Claims (1)

  1. 메모리 소자에서 정보를 보관하고 있는 셀어레이의 소정 부위에 에러(Error)가 발생하였을시 이 에러 부위를 리페어 회로(Repair Circuit)의 셀 어레이 부위와 대체하는 리페어를 수행하기 위하여 리페어 회로의 퓨즈(Fuge)를 전기적으로 차단하는 반도체 메모리 소자의 리페어 방법에 있어서, 상기 리페어회로의 퓨즈는 절연막(24)을 사이에 두고 두 개의 폴리실리콘층(23, 25)이 오버랩(Overlap)되는 구조를 갖도록 형성하고, 상기 리페어 회로의 퓨즈를 형성하고 있는 두 개의 폴리실리콘층(23, 25)중 어느 한쪽 폴리실리콘층에 직류 전류 바이어스를 인가하여 상기 두 개의 폴리실리콘층(23, 25)을 단락(Short)시키는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 리페어 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940002284A 1994-02-07 1994-02-07 반도체 메모리 소자의 리페어 방법 KR950025959A (ko)

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