KR950025959A - 반도체 메모리 소자의 리페어 방법 - Google Patents
반도체 메모리 소자의 리페어 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 메모리 소자에서 정보를 보관하고 있는 셀 어레이(Cell Array)의 소정 부위에 에러(Error)가 발생하였을시 이 에러 부위를 리페어 회로(Repair Circuit)의 셀 어레이 부위와 대체하는 리페어를 수행하기 위하여 리페어 부분의 퓨즈(Fuge)를 전기적으로 차단하는 반도체 메모리 소자의 리페어 방법에 있어서, 상기 리페어 회로의 퓨즈는 절연막(24)을 사이에 두고 두 개의 폴리실리콘층(23,25)이 오버랩(Overlap)되는 구조를 갖도록 형성하고, 상기 리페어 회로의 퓨즈를 형성하고 있는 두 개의 폴리실리콘층(23, 25)중 어느 한쪽 폴리실리콘층에 직류 전류 바이어스를 인가하여 상기 두 개의 폴리실리콘층(23, 25)을 단락(Short)시키는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 리페어 방법에 관한 것으로, 레이저 빔을 이용하지 않고 리페어를 손쉽게 수행함으로써 소자의 원가 절감, 공정시간 및 장비 그리고 인원등 모든면에서 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 본 발명에 따른 리페어 방법을 위해 형성된 리페어 회로의 퓨즈 부분 단면도,
제2B도는 제2A도의 퓨즈를 구성하고 있는 얇은 절연막이 파괴된 상태의 단면도.
Claims (1)
- 메모리 소자에서 정보를 보관하고 있는 셀어레이의 소정 부위에 에러(Error)가 발생하였을시 이 에러 부위를 리페어 회로(Repair Circuit)의 셀 어레이 부위와 대체하는 리페어를 수행하기 위하여 리페어 회로의 퓨즈(Fuge)를 전기적으로 차단하는 반도체 메모리 소자의 리페어 방법에 있어서, 상기 리페어회로의 퓨즈는 절연막(24)을 사이에 두고 두 개의 폴리실리콘층(23, 25)이 오버랩(Overlap)되는 구조를 갖도록 형성하고, 상기 리페어 회로의 퓨즈를 형성하고 있는 두 개의 폴리실리콘층(23, 25)중 어느 한쪽 폴리실리콘층에 직류 전류 바이어스를 인가하여 상기 두 개의 폴리실리콘층(23, 25)을 단락(Short)시키는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 리페어 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940002284A KR950025959A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 반도체 메모리 소자의 리페어 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019940002284A KR950025959A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 반도체 메모리 소자의 리페어 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR950025959A true KR950025959A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=66663572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019940002284A KR950025959A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 반도체 메모리 소자의 리페어 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950025959A (ko) |
-
1994
- 1994-02-07 KR KR1019940002284A patent/KR950025959A/ko not_active Application Discontinuation
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