KR950023992A - 제2고조파 발생(shg)용 케이티피(ktp) 반사방지막 - Google Patents

제2고조파 발생(shg)용 케이티피(ktp) 반사방지막 Download PDF

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KR950023992A
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antireflection film
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harmonic generation
shg
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KR1019940001762A
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박성수
김용훈
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 KTP(KTiOPO4)결정을 공진기형 제2고조파 발생용 소자에 사용할 때 제2고조파 발생 효율을 높이기 위해 KPT소자의 레이저 입출사면에 기본광(1064nm)와 SH광(532nm)의 두 파장에 대한 반사방지막으로 고굴절율의 ZrO2와 저굴절율의 SiO2를 4층으로 교대로 반복하여 적층시켜 두 파장에 대한 반사율을 0.1%이하로 개선시킨 KTP 반사방지막에 관한 것이다.

Description

제2고조파 발생(SHG)용 케이티피(KTP) 반사방지막
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 설계 중심파장 532nm을 갖는 4층 반사방지막 결과를 나타내는 그래프이다.

Claims (5)

  1. 제2고조파 발생(SHG)용 KTP 반사방지막에 있어서, KTP결정의 입사면과 출사면에 고굴절율의 유전체와 저굴절율의 유전체를 교대로 반복하여 4층까지 적층하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP반사방지막.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고굴절율의 유전체 재료가 532nm에서 약 2.1의 굴절율을 갖는 ZrO2이고, 상기 저굴절율의 유전체가 532nm에서 약 1.46의 굴절율을 갖는 SiO2임을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP반사방지막.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반사방지막이 레이저광의 기본광과 제2고조파광(SH광) 파장에 대해 반사율이 0.1%이하임을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP반사방지막.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반사방지막이 설계중심파장 532nm에서 KTP/0.416-0.509H, 0.104-0.126L, 0.093∼0.113H, 0.324-0.396H/공기이며, 여기서 L은 SiO2층, H는 ZrO2층인 것을 의미함을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP반사방지막.
  5. 제4항에 있어서, 상기 반사방지막이 KTP/0.4625H, 0.1150L, 0.1025H, 0.3600H/공기이며, 여기서 L은 SiO2층, H는 ZrO2층인 것을 의미함을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP반사방지막.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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