KR950023991A - 제2고조파 발생(shg)용 케이티피(ktp) 코팅막 - Google Patents

제2고조파 발생(shg)용 케이티피(ktp) 코팅막 Download PDF

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KR950023991A
KR950023991A KR1019940001761A KR19940001761A KR950023991A KR 950023991 A KR950023991 A KR 950023991A KR 1019940001761 A KR1019940001761 A KR 1019940001761A KR 19940001761 A KR19940001761 A KR 19940001761A KR 950023991 A KR950023991 A KR 950023991A
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김용훈
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 공진기형 제2고조파 발생(Second Harmonic Generation, 이하 SHG라함)용 KTP(KTiOPO4)코팅막에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 제2고조파 발생용 KTP결정에 있어서, 상기 KTP결정의 레이저 입사면에 기본광과 SH광에 대해 반사방지막과 출사면에는 기본광에 대해 고반사 및 SH광에 대해 고투과 코팅막을 형성시켜 SHG모듈의 내부 공간 축소가 가능하고 효율을 높일수 있으며, 기존의 미러를 없애 제조단가를 낮출 수 있는 공진기형 제2고조파 발생용 KTP 코팅막에 관한 것이다.

Description

제2고조파 발생(SHG)용 케이티피(KTP) 코팅막
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 공진기형 SHG의 개략적인 구조도이다.

Claims (9)

  1. 제2고조파 발생용 KTP 결정에 있어서, 상기 KTP결정의 레이저 입사면에 기본광과 SH광에 대해 반사방지막과 출사면에는 기본광에 대해 고반사 및 SH광에 대해 고투과 코팅막이 형성됨을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP코팅막.
  2. 제1항에 있어서, 상기 KTP결정의 레이저 입사면이 고굴절율의 유전체 재료와 저굴절율의 유전체 재료를 교대로 4층 적층되어 반사율을 감소시킴을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP코팅막.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반사율이 0.1%이하임을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP코팅막.
  4. 제2항에 있어서, 상기 고굴절율의 유전체 재료가 532nm에서 약 2.1의 굴절율을 갖는 ZrO2이고, 저굴절율의 유전체 재료가 약 1.46의 굴절율을 갖는 SiO2임을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP코팅막.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반사방지막의 각층의 광학적 두께가 설계 중심파장 532nm에서 KTP/0.416∼0.509H, 0.104∼0.126L, 0.093∼0.113H, 0.324∼0.396L/AIR이고, 여기서 L은 SiO2층, H는 ZrO2층임을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP코팅막.
  6. 제1항에 있어서, 상기 KTP단결정의 레이저 출사면이 고굴절율의 유전체 재료와 저굴절율의 유전체 재료를 27층 적층하여 기본광에 대해서 고반사율을 갖고 SH광에 대해서는 고투과성을 갖는 것을 특징으로 하는 제2고주파 발생용 KTP코팅막.
  7. 제6항에 있어서, 상기 고굴절율의 유전체 재료가 약 2.1의 굴절율을 갖는 ZrO2이고, 저굴절율의 유전체 재료가 약 1.46의 굴절율을 갖는 SiO2임을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP코팅막.
  8. 제6항에 있어서, 상기 KTP단결정의 출사면은 기본광에 대한 반사율이 99.9% 이상이고, SH광에 대한 투과율이 90% 이상임을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP코팅막.
  9. 제6항에 있어서, 상기 코팅막의 각층의 광학적 두께가 설계 중심파장 1064nm에서 KTP/13(0.25L 0.25H), 0.125L/AIR이고, 여기서 L은 SiO2층, H는 ZrO2층임을 특징으로 하는 제2고조파 발생용 KTP코팅막.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940001761A 1994-01-31 1994-01-31 제2고조파 발생(shg)용 케이티피(ktp) 코팅막 KR950023991A (ko)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03138991A (ja) * 1989-10-24 1991-06-13 Brother Ind Ltd 複数波長発生固体レーザ
JPH04276726A (ja) * 1991-03-05 1992-10-01 Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency 温度安定形波長変換素子
JPH0621555A (ja) * 1992-07-02 1994-01-28 Nec Corp 半導体レーザ励起固体レーザ
KR950012949A (ko) * 1993-10-28 1995-05-17 김광호 제2고조파 발생(shg)용 케이티피(ktp) 반사방지막

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