KR950021749A - 반도체소자 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 종래 LDD구조에 있어서 채널 저항의 감소로 인하여 저농도 불순물영역의 저항이 상대적으로 커지게 되어 게이트 전압이 높은 부분에서 상호 전도성이 떨어지는 문제를 해결하기 위해 반도체기판(1)상에 게이트절연막(6)과 게이트 전극 형성을 위한 도전층(3)을 차례로 형성하는 공정과, 상기 도전층(3)과 게이트절연막(6)을 패터닝하여 케이트전극(3)을 형성하는 공정, 상기 결과물에 경사이온주입 공정에 의해 불순물을 저농도로 이온주입하는 공정, 수직이온주입공정에 의해 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정, 열처리를 행하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한는 반도체소자 제조방법을 제공한다.

본 발명에 의하면, 소오스와 드레인간의 내압을 높여 핫케리어에 의한 열화를 방지할 수 있게 핌과 동시에 상호 전도성을 일반적인 소오드/드레인구조일 때와 동일한 수준으로 유지할 수 있게 되므로 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 통통한 디자인룰(Design rule)을 가지는 소자에 비하여 소자동작속도를 개선시킬 수 있게 된다.

Description

반도체소자 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 종래의 DDD구조 트랜지스터를 도시한 단면구조도

제3도는 본 발명의 일실시예에 의한 트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도

제4도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도

Claims (3)

1. 반도체기판(1)상에 게이트절연막(6)과 게이트전극 형성을 위한 도전층(3)을 차례로 형성하는 공정과, 상기 도전층(3)과 게이트절연막(6)을 패터닝하여 게이트전극(3)을 형성하는 공정, 상기 결과물에 경사이온주입공정에 의해 불순물을 저농도로 이온주입하는 공정, 수직이온주입공정에 의해 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정, 열처리를 행하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
2. 반도체기판(1)상에 게이트절연막(6)과 게이트전극 형성을 위한 도전층(3)을 차례로 형성하는 공정과, 상기 도전층(3)과 게이트절연막(6)을 패터닝하여 게이트전극(3)을 형성하는 공정, 상기 결과물에 경사이온주입공정에 의해 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정, 수직이온주입공정에 의해 불순물을 저농도로 이온주입하는 공정, 및 열처리를 행하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 게이트전극(3)을 형성하는 공정후에 결과물 전면에 절연박막을 증착하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.