KR950021184A - 웨이퍼 언로딩 방법 - Google Patents

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KR950021184A
KR950021184A KR1019930030482A KR930030482A KR950021184A KR 950021184 A KR950021184 A KR 950021184A KR 1019930030482 A KR1019930030482 A KR 1019930030482A KR 930030482 A KR930030482 A KR 930030482A KR 950021184 A KR950021184 A KR 950021184A
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박상훈
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract

소정의 공정이 끝난 웨이퍼를 반도체 장비에서 실온의 외부로 꺼낼때 예정된 가스에서 RF에너지를 웨이퍼에 인가하면서 플라즈마에 의해 열을 발생시켜 서서히 웨이퍼의 온도를 대기온도까지 낮춤으로써 공기중의 불순물이 온도차이에 의해 웨이퍼 달라붙는 현상을 방지하며 급격한 온도강하에 의해 스트레스를 억제하고, 또한 아웃개싱되는 문제도 해결하는 기술이다.

Description

웨이퍼 언로딩 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (4)

  1. 소정의 공정이 끝난 웨이퍼를 반도체 장비에서 실온의 외부로 꺼낼때 예정된 가스에서 RF에너지를 웨이퍼에 인가하면서 플라즈마에 의해 열을 발생시켜 서서히 웨이퍼의 온도를 대기온도까지 낮추는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 언로딩 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 예정된 가스는 N2, O2또는 N2+O2가스인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 언로딩 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 RF에너지는 100~1000Watt이고, 압력은 0.1~3.0torr로 인가하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 언로딩 방법.
  4. 제1항에 있어서, 웨이퍼의 온도는 1초에 1~5℃정도 하강시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 언로딩 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930030482A 1993-12-28 1993-12-28 웨이퍼 언로딩 방법 KR0118458B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100732859B1 (ko) * 2004-11-03 2007-06-27 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법

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