KR950020979A - 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클 - Google Patents

복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레티클 패턴(reticle pattern);과, 베이스층을 일련의 비인접 서브필드(non-contiguous subfield)로 분리된 베이스층에 연결된 일련의 강화 스트러트(reinforcign struts)를 포함하고, 패턴은 상기 베이스층내 일련의 개구 영역(apertures areas)에 의해 수행되고, 일련의 비인접 서브필드는 라인에 대응하는 상기 오버랩 부분이 서브필드가 정확히 정렬될 때 정확한 노출(correct exposure)을 발생하는 패턴을 포함하고 서브필드가 오정렬될 때 패턴 모양 불연속(pattern feature discontinuities)을 최소화시키는 중복림 부분(overlapping rim portions)을 갖는 베이스층을 포함하는 직접기록 용도(direct writing applications);의 전자 빔 시스템(elelctron beam system)을 위한 레티클에 관한 것이다. 대응 방법(corresponding method)은 필드 또는 서브필드 경계에서 레트클을 중복시키거나 공간 분리(sparial breakup) 또는 중복 영역에 포함된 패턴 요소(pattern elements)의 부분 전송 영역을 형성하고, 라인 또는 패턴 요소의 단락이나 개발 고장(shorts and open failures)을 방지하고 인접 필드 또는 서브필드의 정렬을 위한 추가 공차(additional tolerance)를 제공하므로써 이루어진다.

Description

복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 부분 및 개략적으로 나타낸 도면,
제2도는 웨이퍼상의 왜곡된 인접 서브필드의 확대도.

Claims (20)

  1. 베이스 두께(base thickness) 및 레티클 패턴(reticle parrtern)을 포함하는 베이스층(base layer)과; 상기 베이스층을 일련의 비인접 서브필드(non-contiguous subfield)의 분리하기 위해 상기 제1 사이드상의 상기 바이어스층에 연결되는 일련의 강화 스트러트를 포함하는 복사의 입사빔(incident beam)을 패턴화하기 위한 레티클(reticle)로서, 상기 패턴은 상기 베이스층내 일련의 요소에 의해 수행되고; 서브필드 경계의 오버랩 거리내에서 일어나는 일련의 상기 요소는 상기 요소가 정확히 정렬될 때 정확한 노출을 제공하는 복사 변조 패턴(rediation modulation pattern)에 의해 패턴화되는 것을 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  2. 제1항에 있어서, 상기 요소는 복사-장해 영역(radiation-hindering areas) 및 복사의 비장해 통과를 허용하기 위한 개구를 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  3. 제1항에 있어서, 상기 요소는 복사에 대한 1급의 저항을 갖는 복사-장해 영역 및 작은 장해를 갖고 복사의 통과를 허용하기 위한 일련의 통과 영역을 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  4. 제1항에 있어서, 상기 요소는 복사에 대한 1급의 저항을 갖는 복사-장해 영역 및 작은 장해를 갖고 복사의 통과를 허용하기 위한 일련의 개구를 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  5. 제2항에 있어서, 상기 복사 변조 패턴은 일련의 대체 복사-장해 영역 및 실질적으로 동일한 영역을 갖는 일련의 개구를 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  6. 제2항에 있어서, 상기 복사 변조 패턴은 일련의 대체 복사-장해 영역 및 실질적으로 동일한 영역을 갖는 일련의 개구를 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  7. 제6항에 있어서, 인접 서브필드가 보조 요소(complementary element)는 일련의 대체 복사-장해 영역을 포함하는 보조 복사 변조 패턴(complementary radiation modulation pattern)과 상기 복사-장해 영역이 일련의 개구보다 실질적으로 넓은 영역을 갖는 상기 일련의 개구 및 보조 패턴 상기 복사-장해 영역이 배치된 상기 일련의 개구를 포함하여 상기 복사 변조 패턴으로부터 상기 일련의 개구의 영상이 상기 보조 복사 변조 패턴으로부터 상기 복사-장해 영역의 영상과 정렬되는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  8. 제3항에 있어서, 상기 복사 변조 패턴은 일련의 대체 복사-장해 영역 및 실질적으로 동일한 영역을 갖는 일련의 통과 영역을 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  9. 제3항에 있어서, 상기 복사 변조 패턴은 일련의 대체 복사-장해 영역 및 상기 복사-장해 영역이 상기 일련의 통과 영역 보다 실질적으로 넓은 영역을 갖는 일련의 통과 영역을 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  10. 제9항에 있어서, 인접 서브필드가 보조 요소(complementary element)는 일련의 대체 복사-장해 영역을 포함하는 보조 복사 변조 패턴(complementary radiation modulation pattern)과 상기 복사-장해 영역이 일련의 통과 영역보다 실질적으로 넓은 영역을 갖는 상기 일련의 통과 영역 및 보조 패턴 상기 복사-장해 영역이 배치된 상기 일련의 통과 영역을 포함하여 상기 복사 변조 패턴으로부터 상기 일련의 통과 영역의 영상이 상기 보조 복사 변조 패턴으로부터 상기 복사-장해 영역의 영상과 정렬되는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  11. 베이스 두께(base thickness) 및 일련의 서브필드를 포함하는 레티클 패턴(reticle pattern)을 포함하는 베이스층(base layer)을 포함하는 복사의 입사빔을 패턴화하기 위한 레니클로서, 상기 패턴은 상기 베이스층내 일련의 요소에 의해 수행되고; 서브필드 경계의 오버랩 거리내에서 일어나는 일련의 상기 요소는 상기 요소가 정확히 정렬될 때 정확한 노출을 제공하는 복사 변조 패턴(fradiation modulation pattern)에 의해 패턴화되는 것을 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  12. 제11항에 있어서, 상기 요소는 복사-장해 영역(radiation-hindering areas) 및 복사의 비장해 통과를 허용하기 위한 개구를 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  13. 제11항에 있어서, 상기 요소는 복사에 대한 1급의 저항을 갖는 복사-장해 영역 및 작은 장해를 갖고 복사의 통과를 허용하기 위한 일련의 통과 영역을 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  14. 제11항에 있어서, 상기 요소는 복사에 대한 1급의 저항을 갖는 복사-장해 영역 및 작은 장해를 갖고 복사의 통과를 허용하기 위한 일련의 개구를 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  15. 제12항에 있어서, 상기 복사 변조 패턴은 일련의 대체 복사-장해 영역 및 실질적으로 동일한 영역을 갖는 일련의 개구를 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  16. 제12항에 있어서, 상기 복사 변조 패턴은 일련의 대체 복사-장해 영역 및 실질적으로 동일한 영역을 갖는 일련의 개구를 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  17. 제16항에 있어서, 인접 서브필드가 보조 요소(complementary element)는 일련의 대체 복사-장해 영역을 포함하는 보조 복사 변조 패턴(complementary radiation modulation pattern)과 상기 복사-장해 영역이 일련의 개구보다 실질적으로 넓은 영역을 갖는 상기 일련의 개구 및 보조 패턴 상기 복사-장해 영역이 배치된 상기 일련의 개구를 포함하여 상기 복사 변조 패턴으로부터 상기 일련의 개구의 영상이 상기 보조 복사 변조 패턴으로부터 상기 복사-장해 영역의 영상과 정렬되는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  18. 제13항에 있어서, 상기 복사 변조 패턴은 일련의 대체 복사-장해 영역 및 실질적으로 동일한 영역을 갖는 일련의 통과 영역을 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  19. 제13항에 있어서, 상기 복사 변조 패턴은 일련의 대체 복사-장해 영역 및 상기 복사-장해 영역이 상기 일련의 통과 영역 보다 실질적으로 넓은 영역을 갖는 일련의 통과 영역을 포함하는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
  20. 제19항에 있어서, 인접 서브필드가 보조 요소(complementary element)는 일련의 대체 복사-장해 영역을 포함하는 보조 복사 변조 패턴(complementary radiation modulation pattern)과 상기 복사-장해 영역이 일련의 통과 영역보다 실질적으로 넓은 영역을 갖는 상기 일련의 통과 영역 및 보조 패턴 상기 복사-장해 영역이 배치된 상기 일련의 통과 영역을 포함하여 상기 복사 변조 패턴으로부터 상기 일련의 통과 영역의 영상이 상기 보조 복사 변조 패턴으로부터 상기 복사-장해 영역의 영상과 정렬되는 것을 더 특징으로 하는 복사 입사빔의 패턴화를 위한 레티클.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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