KR950015370A - 고속으로 데이타를 라이트하기 위한 플래쉬 라이트 모드 동작방법 - Google Patents
고속으로 데이타를 라이트하기 위한 플래쉬 라이트 모드 동작방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리장치에서 고속으로 데이타를 라이트하기 위한 플래쉬라이트 모드 동작방법에 관한 것을 개시하고 있다. 본 발명은 시스템에서 공급되는 플래쉬 라이트 동작모드 인에이블신호를 감지하는 제1과정과, 로우 어드레스 스트로우브 신호의 입력에 동기하여 로우 어드레스를 래치하는 제2과정과, 상기 래치된 로우 어드레스에 응답하여 소정외 제1워드 라인을 인에이블시키는 제3과정과, 상기 제3과정에 의한 비트라인쌍의 센싱동작을 소정의 시간동안 계속 유지시키는 제4과정과, 상기 제4과정의 진행시 상기 래치된 로우 어드레스에 응답하여 소정의 제2워드라인을 인에이블시키는 제5과정과, 상기 제4과정에 의한 비트라인쌍의 센싱동작에 의한 데이타 유지에 의해 상기 제5과정에서 선택된 메모리 셀에 데이타의 라이트동작이 이루어지는 제6과정을 적어도 구비하는 플래쉬 라이트 모드 동작방법으로 이루어진다. 이로부터 본 발명은 1회의
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 플레쉬 라이트 동작모드를 갖는 반도체 메모리장치의 블럭도.
Claims (1)
- 반도체 메모리장치의 플래쉬 라이트 모드 동작방법에 있어서, 시스템에서 공급되는 플래쉬 라이트 동작모드 인에이블 신호를 감지하는 제1과정과, 로우 어드레스 스트로우브 신호의 입력에 동기하여 로우 어드레스를 래치하는 제2과정과, 상기 래치된 로우 어드레스에 응답하여 소정의 제1워드라인을 인에이블시키는 제3과정과, 상기 제3과정에 의한 비트라인쌍의 센싱동작을 소정의 신간동안 계속 유지시키는 제4과정과, 상기 제4과정의 진행시 상기 래치된 로우 어드레스에 응답하여 소정의 제2워드라인을 인에이블시키는 제5과정과, 상기 제4과정에 의한 비트라인쌍의 센싱동작에 의한 데이타유지에 의해 상기 제5과정에서 선택된 메모리 셀에 데이타의 라이트동작이 이루어지는 제6과정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 라이트 모드 동작방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930024492A KR950015370A (ko) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 고속으로 데이타를 라이트하기 위한 플래쉬 라이트 모드 동작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930024492A KR950015370A (ko) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 고속으로 데이타를 라이트하기 위한 플래쉬 라이트 모드 동작방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950015370A true KR950015370A (ko) | 1995-06-16 |
Family
ID=66825467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930024492A KR950015370A (ko) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 고속으로 데이타를 라이트하기 위한 플래쉬 라이트 모드 동작방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950015370A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100468634B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2005-01-27 | 샤프 가부시키가이샤 | 데이터 전송 제어장치, 반도체 메모리 장치 및 전자정보장치 |
KR100600956B1 (ko) * | 2004-07-26 | 2006-07-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고속의 쓰기시간을 갖는 에스램 및 그를 위한 구동방법 |
-
1993
- 1993-11-17 KR KR1019930024492A patent/KR950015370A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100468634B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2005-01-27 | 샤프 가부시키가이샤 | 데이터 전송 제어장치, 반도체 메모리 장치 및 전자정보장치 |
KR100600956B1 (ko) * | 2004-07-26 | 2006-07-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고속의 쓰기시간을 갖는 에스램 및 그를 위한 구동방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |