KR950014975A - 반도체 장치의 금속배선 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 금속배선 제조방법 Download PDF

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KR950014975A KR1019930024498A KR930024498A KR950014975A KR 950014975 A KR950014975 A KR 950014975A KR 1019930024498 A KR1019930024498 A KR 1019930024498A KR 930024498 A KR930024498 A KR 930024498A KR 950014975 A KR950014975 A KR 950014975A
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김상욱
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 금속배선 제조 방법에 관한 것으로서, 금속배선 형성공정에서 형성하고자 하는 배선 보다 폭이 큰 감광막 패턴을 형성한 후, 상기 금속배선을 등방성식각함과 동시에 상기 감광막 패턴을 수평식각하여 최초에 형성된 감광막 패턴보다 폭이 작은 미세 금속배선을 형성하였다. 따라서, 통상의 i라인 스테퍼로도 0.4㎛이하의 밋 패턴을 별도의 추가 공정없이 용이하게 형성할 수 있어 반도체 장치를 고집적화할 수 있다.

Description

반도체 장치의 금속배선 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술의 일실시예에 따른 반도체 장치 금속배선의 단면도,
제2도는 종래 기술의 다른 실시예에 따른 반도체 장치 금속배선의 단면도,
제3도는 (A) 및 (B)는 본 발명에 따른 반도체 장치의 금속배선 제조 공정도.

Claims (4)

  1. 감광막 패턴을 마스크로 식각 공정을 진행하여 금속 배선을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 소정의 기판상에 형성되어 있는 금속층상에 배선으로 예정된 부분 보다 넓은 폭을 갖는 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막 패턴을 마스크로하여 상기 금속층을 등방성 식각함과 동시에 상기 감광막 패턴을 수평식각되도록 건식 식각하여 금속 배선을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 금속배선 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속층이 텅스텐 또는 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 금속배선 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 건식식각 방법을 자기유도 반응성 이온 식각, 평판 플라스마 식각, 이.씨.알(electon cycrotrom resonance) 식각으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 방법으로 실시하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 금속배선 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 건식식각 방법을 SF6/Cl2프라스마로 식각하며, 금속 배선의 식각 정도에 따른 모양을 조절하기 위하여 소량의 Ar,N2또는 HBr등을 참가하여 실시하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 금속배선 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930024498A 1993-11-17 1993-11-17 반도체 장치의 금속배선 제조방법 KR970006929B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100831572B1 (ko) * 2005-12-29 2008-05-21 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 배선 형성방법

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