KR950014347A - 고 파쇄저항성 스텐레스강판 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

파쇄저항성 스텐레스 강판은; 스텐레스 강에 불가피하게 잔존하는 “Al2O3-MnO-SiO2”의 비금속 개재물로 구성되며; 비금속 개재물은 “Al2O3-MnO-SiO2”의 3-성분계의 상평형도에서 9개점으로 규정된 영역에 위치하는 조성을 가지며; 스텐레스 강판은 최소한 1520N/mm2(155 kgf/mm2)의 1.0%온세트응력을 가지며; 스텐레스 강판은 196 N/mm2(20kef/mm2)이하의 1.0%온세트 응력의 이방성 차를 가지며; 스텐레스 강판은 적어도 4.6mm의 에릭센 수를 갖는다. 고 파쇄저항성 스텐레스 강판의 제조방법은; 스텐레스 강 스트립을 준비하며; 스텐레스 강 스트립에 어닐링-키플링-제1냉간압연(CR1)-제1중간 어닐링-제2냉간압연(CR2)-제2중간 어닐링-제3냉간압연(CR3)-최종 어닐링-제4냉간압연(CR4)-저온 열처리로 구성되는 일련의 공정을 실시하는 단계로 구성된다.

Description

고 파쇄저항성 스텐레스강판 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 “Al2O3-MnO-SiO2”의 3-성분계의 상평형도에 본 발명의 개재물 조성의 영역을 도시하는 다이어그램.
제5도는 본 발명의 파쇄 저항성에 대한 1.0% 온세트 응력 및 마르텐 사이트의 효과를 도시하는 도면.

Claims (18)

  1. 스텐레스 강에 불가피하게 잔존하는 Al2O3, MnO, SiO2의 비금속 개재물로 구성되며; 비금속 개재물은 “Al2O3-MnO-SiO2”의 3-성분계의 상평형도에서 중량%로 나타낸 하기의 9개 점으로 한정된 영역에 위치하는 조성을 가지며 점1(Al2O3:21wt./%, MnO:12wt./%, SiO2:67wt./%), 점2(Al2O3:19wt./%, MnO:21wt./%, SiO2:60wt./%),점3(Al2O3:15wt./%, MnO:30wt./%, SiO2:55wt./%), 점4(Al2O3:5wt./%, MnO:46wt./%, SiO2:49wt./%), 점5(Al2O3:5wt./%, MnO:68wt./%, SiO2:27wt./%), 점6(Al2O3:20wt./%, MnO:61wt./%, SiO2:19wt./%), 점7(Al2O3:27.5wt./%, MnO:50wt./%, SiO2:22.5wt./%), 점8(Al2O3:30wt./%, MnO:38wt./%, SiO2:32wt./%), 점9(Al2O3:33wt./%, MnO:27wt./%, SiO2:40wt./%), 상기 스텐레스 강판은 1520N/mm2(155 kgf/mm2)의 1.0%온세트 응력을 가지며, 1.0% 온세트 응력은 강판이 1.0% 변형될 때의 변형응력이며; 상기 스텐레스 강판은 196 N/mm2(20kef/mm2)이하의 1.0%온세트 응력의 이방성 차를 가지며 이방성 차는 압연방향 및 압연방향과 교차하는 방향에서의 1.0% 온세트 응력차의 절대치이며; 상기 스텐레스 강판은 최소한 4.6mm의 에릭센 수를 갖는 고 파쇄저항성 스펜레스 강판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스텐레스 강판은:0.01-0.2wt.%, C, 0.1-2wt.% Si, 0.1-2wt.%, Mn, 4-11wt.% Ni 13-2-wt.% Cr, 0.01`0.2wt.% N, 0.0005-0.0025wt.% Sol.Al, 0.002-0.013wt.% 0, 0.008-0.9wt.% Cu 0.009wt.% 이하의 S, 및 Fe 잔여부로 구성되는 고 파쇄저항성 스펜레스 강판.
  3. 제2항에 있어서, 상기 C함량은 0.032-0.178wt.%인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  4. 제2항에 있어서, 상기 Si함량은 0.21-1.85wt.%인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  5. 제2항에 있어서, 상기 Mn함량은 0.49-1.80wt.%인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  6. 제2항에 있어서, 상기 Ni함량은 5.12-8.80wt.%인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  7. 제2항에 있어서, 상기 Cr함량은 13.9-16.8wt.%인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  8. 제2항에 있어서, 상기 N함량은 0.012-0.190wt.%인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  9. 제2항에 있어서, 상기 So1.A1함량은 0.0006-0.0023wt.%인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  10. 제2항에 있어서, 상기 O함량은 0.0032-0.0120wt.%인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  11. 제2항에 있어서, 상기 Cu함량은 0.12-0.35wt.%인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  12. 제1항에 있어서, 상기 비금속 개재물은 13-24wt.% Al2O327-49wt%, MnO 및 34-55wt%, SiO2를 함유하는 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  13. 제1항에 있어서, 상기 스텐레스 강판은 스텐레스 강판의 두께방향으로 40-90% 마르텐사이트를 포함하는 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  14. 제1항에 있어서, 상기 1.0%온세트 응력은 1520-1960N/mm2(155-200kgf/mm2)인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  15. 제1항에 있어서, 상기 1.0%온세트 응력의 이방성차는 49-147N/mm2인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  16. 제1항에 있어서, 상기 에릭센 수는 4.7-6.5mm인 고 파쇄저항성 스텐레스 강판.
  17. 0.01-0.2wt.%, C, 0.1-2wt.% Si, 0.1-2wt.%, Mn, 4-11wt.% Ni 13-20-wt.% Cr, 0.01-0.2wt.% N, 0.0005-0.9925wt.% Sol.Al, 0.002-0.013wt.% 0, 0.08-0.9wt.% Cu 0.009wt.% 이하의 S, 및 Fe 및 불가피한 불순물의 잔여부로 구성되는 스텐레스 강 스트립을 준비하며; 상기 불가피한 불순물을 “Al2O3-MnO-SiO2”의 3-성분계의 상평형도에서 중량%로 나타낸 하기의 9개 점으로 한정된 영역에 위치하는 조성을 갖는 비금속 개재물로서 잔존하며, 점1(Al2O3:21wt./%, MnO:12wt./%, SiO2:67wt./%), 점2(Al2O3:19wt./%, MnO:21wt./%, SiO2:60wt./%),점3(Al2O3:15wt./%, MnO:30wt./%, SiO2:55wt./%), 점4(Al2O3:5wt./%, MnO:46wt./%, SiO2:49wt./%), 점5(Al2O3:5wt./%, MnO:68wt./%, SiO2:27wt./%), 점6(Al2O3:20wt./%, MnO:61wt./%, SiO2:19wt./%), 점7(Al2O3:27.5wt./%, MnO:50wt./%, SiO2:22.5wt./%), 점8(Al2O3:30wt./%, MnO:38wt./%, SiO2:32wt./%), 점9(Al2O3:33wt./%, MnO:27wt./%, SiO2:40wt./%);스텐레스 강 스트립에, 어닐링-피클링-제1냉간압연(CR1)-제1중간 어닐링-제2냉간압연(CR2)-제2중간 어닐링-제3냉간압연(CR3)-최종 어닐링-제4냉간압연(CR4)-저온 열처리 공정을 실시하며;상기 제1냉간압연, 상기 제2냉간압연, 및 상기 제3냉간압연의 압하율을 각각 30-60%로 하며; 상기 제4냉간압연의 압하율은 60-76%, 제4냉간압연의 패스당압하율은 3-15%로 하며 상기 제1어닐링, 제2어닐링 및 최종 어닐링의 어닐링 온도를 각각 950-1150℃로 하며;상기 저온열처리는 0.1-300초 동안 300-600℃의 온도에서 실시되며;상기 최종 어닐링 및 저온 열처리는 H270vol.%이상을 함유하는 비산화성 대기에서 실시되는 단계로 구성되는 고 파쇄저항성 스텐레스 강판 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 저온 열처리는 400-500℃온도에서 2-15초동안 실시되는 고 파쇄저항성 스텐레스 강판 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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