KR950012834A - 고출력 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents
고출력 레이저 다이오드 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로, 일반적인 레이저 다이오드는 광출력면인 미러(Mirror) 영역과 씨오디(COD) 바디를 위해 설정한 메사사이의 간격이 크기 때문에 소오스 전류에 대한 광출력값의 증대 특성곡선을 비선형성으로 변화하는 킹크레벨(Kink LEVEL)이 발생하고, 이에따라 소자의 효율이 저하되는 단점이 있었다.
본 발명은 이러한 단점을 보안하여 기판상에 메사를 형성할 시 이중사진식각공정을 이용하여 미러영역과 일차 메사사이의 간격을 짧게 조정하여 전류값에 대한 광출력의 비, 즉 양자효율( @ )을 높일 수 있도록 한 고출력 레이저 다이오드를 창안한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도의 (가) 내지 (라)는 본 발명에 있어서, 일차 메사형성공정도.
Claims (2)
- 기판을 메사형태로 형성하는 제1단계와, 상기 기판 위에 전류제한층을 형성하는 제2단계와, 상기 전류제한층에 스트라이프를 형성한 다음 그 전류제한층을 헥사고날 형태로 형성하는 제3단계와, 메사형태의 전류제한층 위에 이중이종구조의 에피층을 형성하는 제4단계로 제조하는 레이저 다이오드 제조공정에 있어서, 상기 제1단계는 기판 위에 절연막을 증착하는 단계와, 상기 절연막위에 1차 감광막을 코팅하는 단계와, 상기 감광막을 메사형태로 패터닝하는 단계와, 상기 감광막에 의해 노출된 상기 절연막을 식각한 후 감광막을 제거하는 단계와, 상기 절연막위에 2차 감광막을 코팅하는 단계와, 상기 감광막을 메사형태로 패터닝하는 단계와, 감광막과 절연막에 의해 노출된 기판을 식각하는 단계와, 상기 기판위의 절연막과 감광막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고출력 레이저 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 2차 감광막을 패터닝하는 단계는 기판상의 메사간격이 10㎛가 되도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 고출력 레이저 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930020661A KR100279588B1 (ko) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | 고출력 레이저 다이오드 제조방법 |
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KR1019930020661A KR100279588B1 (ko) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | 고출력 레이저 다이오드 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR950012834A true KR950012834A (ko) | 1995-05-17 |
KR100279588B1 KR100279588B1 (ko) | 2001-03-02 |
Family
ID=66823871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019930020661A KR100279588B1 (ko) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | 고출력 레이저 다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR100279588B1 (ko) |
-
1993
- 1993-10-06 KR KR1019930020661A patent/KR100279588B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100279588B1 (ko) | 2001-03-02 |
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