KR950012135A - 투영노광장치 및 이를 이용한 디바이스제조방법 - Google Patents
투영노광장치 및 이를 이용한 디바이스제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950012135A KR950012135A KR1019940027359A KR19940027359A KR950012135A KR 950012135 A KR950012135 A KR 950012135A KR 1019940027359 A KR1019940027359 A KR 1019940027359A KR 19940027359 A KR19940027359 A KR 19940027359A KR 950012135 A KR950012135 A KR 950012135A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light source
- light
- exposure apparatus
- projection exposure
- illuminance
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
Abstract
본 발명의 투영노광장치는, 광입사면과 광출사면을 지니고, 상기 광입사면에서 광원으로부터의 광을 수광하여 상기 광출사면쪽에 2차광원을 형성하는 2차광원형성수단과, 상기 2차광원으로부터의 광을 물체평면에 투사하는 광투사수단과, 광이 조사된 상기 물체평면상의 패턴을 상평면상에 투영하는 패턴투영수단과, 상기 2차광원의 광강도분포를 변경시키는 2차광원조정수단과, 상기 광강도분포의 변경에 따라 상기 상편면상에 형성된 또는 형성될, 광축에 대해 미대칭인 조도불균일을 실질적으로 보정하는 조도보정 수단을 구비하고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 제 1실시예에 의한 투영노광장치의 주요부의 개략도,
제 2 도(A)~제 2 도(D)는 각각 제 1도의 장치의 가변개구조리개를 설명하기 위한 개략도,
제 3 도는 본 발명의 제 1실시예에 있어서의 조도 조정의 순서를 도시한 순서도,
제 4 도는 제1도의 실시예의 광원(1)의 Z축 방향위치와 조도와의 관세를 설명하는 그래프,
제 5 도는 상기 제 1실시예에 있어서의 조도불균일을 보정하기 위하여 상평면상의 조도 측정점을 설명하는 그래프,
제 6 도는 상기 제 l 실시예에 있어서의 조도불균일의 조정순서의 순서도,
제 7 도는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 투영노광장치의 주요부의 개략도.
Claims (47)
- 광입사면과 광출사면을 지니고, 상기 광입사면에서 광원으로부터의 광을 수광하여 상기 광출사면쪽에 2차공원을 형성하는 2차광원형성수단과, 상기 2차공원으로부터의 광을 물체평면에 투사하는 광투사수단과, 광이 조사된 상기 물체평면상의 패턴을 상평면상에 투영하는 패턴투영수단과, 상기 2차광원의 광강도분포를 변경시키는 2차광원조정수단과, 상기 광강도분포의 변경에 따라 상기 상편면상에 형성된 또는 형성될, 광축에 대해 비대칭인 조도불균일을 실질적으로 보정하는 조도보정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 조도보정수단이 상기 2차광원형성수단의 광입사면에서의 상기 광원으로부터의 광의 강도분포를 조정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 광원의 상을 상기 2차광원형성수단의 광입사면상에 투영하는 광원상투영수단을 또 구비하고, 상기 조도보정수단이 상기 광입사면상에서의 상기 광원상의 위치를 변화시키는 광원상이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제3항에 있어서, 상기 광원상이동수단이 광축과 직교하는 평면상에서의 상기 광원의 위치를 변화시키는 광원위치조정수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제4항에 있어서, 상기 광원상이동수단이 광축과 직교하는 방향으로 상기 광원으로부터의 광을 편향시키는 광편향수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제5항에 있어서, 상기 광편향수단은, 상기 광원으로부터의 광을 반사하는 타원형 미러, 각각 상기 광원으로부터의 광을 굴절시키는 가동 렌즈 및 투명판중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제6항에 있어서, 상기 투명판은 복수개의 쐐기형상의 판부재를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 광원이 램프 및 레이저중 어느 하나를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제1항에 있어서, 상기 2차광원형성수단이 파리의 눈렌즈를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 2차광원조정수단이 가변가능한 개구형상을 지닌 개구조리개를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제 3항에 있어서, 상기 2차광원조정수단이 상기 광원상의 크기를 변화시키는 변배광학계를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제 l 항에 있어서, 상기 2차광원조정수단이 상기 광원으로부터의 광의 상기 2차광원변형수단이 광입사면상에서의 입사위치를 변화시키는 광편향부재를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 패턴투영수단이 투영렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 패턴투영수단이 투영미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 조도보정수단이 상기 광강도분포의 변경의 결과로서 저하하는 상기 물체평면에 투사되는 광량을 실질적으로 증가시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 조도보정수단이 상기 상평면 및 물체평면중 적어도 한쪽에 있어서의 조도분포를 검출하는 조도검출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 조도보정수단이 상기 광강도분포의 변경에 따라 상기 상평면에 생기는, 광축에 대해서 대칭인 조도불균일을 실질적으로 보정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 광입사면과 광출사면을 지내고, 상기 광입사면에 광원으로부터의 광을 수광하여 상기 광출사면쪽에 2차광원을 형성하는 2차광원형성수단과, 상기 2차광원으로부터의 광을 물체평면에 투사하는 광투사수단과, 광이 조사된 상기 물체평면상의 패턴을 상평면상에 투영하는 패턴투영수단과, 상기 2차광원의 광강도분포를 변경시키는 2차광원조정수단과, 상기 광강도분포의 변경에 따라 저하된 또는 저하될, 상기 물체평면에 투사된 또는 투사될 광량을 실질적으로 증가시키는 조도조정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제18항에 있어서, 상기 조도조정수단이 상기 2차광원형성수단의 광입사면에서의 상기 광원으부터의 광의 강도분포를 조정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투여노광장치.
- 제19항에 있어서, 상기 광원의 상을 상기 2차광원형성수단의 광입사면상에 투영하는 광원상투영수단을 또 구비하고, 상기 조도조정수단이 상기 광입사면상에서의 상기 광원상의 위치를 변화시키는 광원상이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제2O항에 있어서, 상기 광원상이동수단이 광축과 직교하는 평면상에서의 상기 광원의 위치를 변화시키는 광원위치조정수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제2O항에 있어서, 상기 광원상이동수단이 광축방향으로 상기 광원상을 이동시키는 광편향수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제22항에 있어서, 상기 광편향수단은, 상기 광원으로부터의 광을 반사하는 타원형 미러, 각각 상기 광원으로부터의 광을 굴절시키는 가동렌즈 및 투명판중 어느 하냐를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제23항에 있어서, 상기 투명판은 복수개의 쐐기형상의 판부재를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제18항에 있어서, 상기 광원의 램프 및 레이저중 어느 하나를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제18항에 있어서, 상기 2차광윈형성수단이 파리의 눈렌즈를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제18항에 있어서, 상기 2차광원조정수단이 가변가능한 개구형상을 지닌 개구조리개를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제2O항에 있어서, 상기 2차광원조정수단이 상기 광원상의 크기를 변화시키는 변배광학계를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제18항에 있어서, 상기 패턴투영수단이 투영렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제18항에 있어서, 상기 패턴투영수단이 투영미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제18항에 있어서, 상기 조도조정수단이 상기 상평면 및 물체평면중 적어도 한쪽에 있어서의 조도분포를 검출하는 조도검출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제18항에 있어서, 상기 조도조정수단이, 상기 광강도분포의 변경에 따라 상기 상평면에 생기는, 광축에 대해서 대칭인 조도불균일을 실질적으로 보정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 광입사면과 광출사연을 지니고, 상기 광입사면에서 광원으로부터의 광을 수광하여 상기 광출사면에 2차광원을 형성하는 2차광원형성수단과, 상기 2차광원으로부터의 광을 물체평면에 투사하는 광투사수단과, 광이 조사된 상기 물체평면상의 패턴을 상평면상에 투영하는 패턴투영수단과, 상기 2차광원의 광강도분포를 변경시키는 2차광원조정수단과, 상기 광강도분포의 변경에 따라 상기 상평면상에 형성된 또는 형성될, 광축에 대해 비대칭인 조도불균일을 실질적으로 보정하고, 또 상기 광강도분포의 변경에 따라 저하된 또는 저하될, 상기 물체평면에 투사된 또는 투사될 광량을 실질적으로 증가시키는 조도조정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제33항에 있어서, 상기 광원의 상을 상기 2차광원형성수단의 광입사면상에 광원상투영수단을 또 구비하고, 상기 조도조정수단이 상기 광원상의 위치를 광축을 따른 방향 및 광축과 직교하는 방향으로 변화시키는 광원상이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제34항에 있어서, 상기 광원상이동수단이 상기 광원을 광축을 따른 방향 및 광축과 직교하는 방향으로 이동시키는 광편향수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제34항에 있어서, 상기 광원상이동수단이 상기 광원상을 광축을 따른 방향 및 광축과 직교하는 방향으로 이동시키는 광편향수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제36향에 있어서, 상기 광편향수단은, 상기 광원으로부터의 광을 반사하는 타원형 미러, 각각 상기 광원으로부터의 광을 굴절시키는 가동렌즈 및 투명판중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제37항에 있어서, 상기 투명판은 복수개의 쐐기형상의 판부재를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제33항에 있어서, 상기 광원이 램프 및 레이저중 어느 하나를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제33항에 있어서, 상기 2차광원형성수단이 파리의 눈렌즈를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제33항에 있어서, 상기 2차광원조정수단이 가변가능한 개구형상을 지닌 개구조리개를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제33항에 있어서, 상기 2차광원조정수단이 상기 광원상의 크기를 변화시키는 변배광학계를 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제33항에 있어서, 상기 패턴투영수단이 투영렌지를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제33항에 있어서, 상기 패턴투영수단이 투영미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제33항에 있어서, 상기 조도조정수단이 상기 상평면 및 물체평면중 적어도 한쪽에 있어서의 조도분포를 검출하는 조도검출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제33항에 있어서, 상기 조도조정수단이, 상기 광강도분포의 변경에 따라 상기 상편면에 생기는, 광축에 대해서 대칭인 조도불균일을 실질적으로 보정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 상기 청구항 제 1항 내지 제46항중 어느 한함에 기체된 투영노광장치를 이용하여 레티클의 디바이스 패턴을 기판상에 투영해서 전사하는 단계를 포함하는 디바이스제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP93-291419 | 1993-10-27 | ||
JP29141993 | 1993-10-27 | ||
JP24721394A JP3275575B2 (ja) | 1993-10-27 | 1994-09-13 | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
JP94-247213 | 1994-09-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950012135A true KR950012135A (ko) | 1995-05-16 |
KR0171439B1 KR0171439B1 (ko) | 1999-03-30 |
Family
ID=26538143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940027359A KR0171439B1 (ko) | 1993-10-27 | 1994-10-26 | 투영노광장치 및 이를 이용한 디바이스제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5726739A (ko) |
JP (1) | JP3275575B2 (ko) |
KR (1) | KR0171439B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100495297B1 (ko) * | 2001-04-27 | 2005-06-16 | 가부시끼가이샤 도시바 | 노광 장치의 조도 불균일의 측정 방법, 조도 불균일의보정 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 노광 장치 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998019214A2 (en) * | 1996-10-15 | 1998-05-07 | Megapanel Corporation | Method and apparatus for transfer of a reticle pattern onto a substrate by scanning |
JP3610175B2 (ja) * | 1996-10-29 | 2005-01-12 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
JP3645389B2 (ja) * | 1997-01-13 | 2005-05-11 | 富士写真フイルム株式会社 | 光源位置調整方法および光源装置 |
JP4036507B2 (ja) * | 1997-02-12 | 2008-01-23 | 大日本印刷株式会社 | プラズマディスプレイパネルの蛍光面形成方法 |
JP3259657B2 (ja) | 1997-04-30 | 2002-02-25 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US6141081A (en) * | 1997-08-08 | 2000-10-31 | Cymer, Inc. | Stepper or scanner having two energy monitors for a laser |
US6534242B2 (en) | 1997-11-06 | 2003-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Multiple exposure device formation |
JP3937580B2 (ja) | 1998-04-30 | 2007-06-27 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US6211945B1 (en) * | 1998-05-19 | 2001-04-03 | Orc Technologies, Inc. | Apparatus and method for exposing substrates |
US6212292B1 (en) * | 1998-07-08 | 2001-04-03 | California Institute Of Technology | Creating an image of an object with an optical microscope |
JP3352405B2 (ja) | 1998-09-10 | 2002-12-03 | キヤノン株式会社 | 露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法並びに半導体デバイス |
DE19856575A1 (de) * | 1998-12-08 | 2000-09-14 | Zeiss Carl Fa | Projektions-Mikrolithographiegerät |
US6687028B1 (en) * | 1999-04-28 | 2004-02-03 | Konica Corporation | Image exposure apparatus |
US6724354B1 (en) * | 1999-06-21 | 2004-04-20 | The Microoptical Corporation | Illumination systems for eyeglass and facemask display systems |
CA2377742A1 (en) | 1999-06-21 | 2000-12-28 | The Microoptical Corporation | Compact, head-mountable display device with suspended eyepiece assembly |
US6268908B1 (en) | 1999-08-30 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Micro adjustable illumination aperture |
DE19944761A1 (de) * | 1999-09-17 | 2001-03-22 | Basys Print Gmbh Systeme Fuer | Vorrichtung und Verfahren zur wellenlängenabhängigen Lichtauskupplung |
JP4541571B2 (ja) * | 2001-01-23 | 2010-09-08 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置 |
JP4585697B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び光源の位置調整方法 |
US6621553B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-09-16 | Perkinelmer, Inc. | Apparatus and method for exposing substrates |
JP3673731B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2005-07-20 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び方法 |
WO2003023756A1 (en) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | The Microoptical Corporation | Light weight, compact, remountable face-supported electronic display |
JP3826047B2 (ja) | 2002-02-13 | 2006-09-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法 |
DE10251087A1 (de) * | 2002-10-29 | 2004-05-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
JP4497949B2 (ja) * | 2004-02-12 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US8009271B2 (en) * | 2004-12-16 | 2011-08-30 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, exposure system, and exposure method |
US8587764B2 (en) * | 2007-03-13 | 2013-11-19 | Nikon Corporation | Optical integrator system, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5312058B2 (ja) * | 2009-01-19 | 2013-10-09 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010262141A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置及び露光装置のランプ位置調整方法 |
WO2012067246A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Nskテクノロジー株式会社 | 近接露光装置及び近接露光方法 |
WO2013018799A1 (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-07 | 株式会社ニコン | 照明装置 |
JP6468765B2 (ja) * | 2014-09-11 | 2019-02-13 | キヤノン株式会社 | 光源装置、照明装置、露光装置、および物品の製造方法 |
TWI598633B (zh) | 2014-08-05 | 2017-09-11 | 佳能股份有限公司 | 光源設備,照明裝置,曝光設備,及裝置製造方法 |
CN106292189A (zh) * | 2015-05-24 | 2017-01-04 | 上海微电子装备有限公司 | 一种照明系统 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6045252A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Canon Inc | 投影露光装置の照明系 |
US4947030A (en) * | 1985-05-22 | 1990-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Illuminating optical device |
US5153773A (en) * | 1989-06-08 | 1992-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination device including amplitude-division and beam movements |
US5305054A (en) * | 1991-02-22 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging method for manufacture of microdevices |
JP3165711B2 (ja) * | 1991-08-02 | 2001-05-14 | キヤノン株式会社 | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
JP3278896B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
-
1994
- 1994-09-13 JP JP24721394A patent/JP3275575B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-25 US US08/329,072 patent/US5726739A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-26 KR KR1019940027359A patent/KR0171439B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100495297B1 (ko) * | 2001-04-27 | 2005-06-16 | 가부시끼가이샤 도시바 | 노광 장치의 조도 불균일의 측정 방법, 조도 불균일의보정 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 노광 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0171439B1 (ko) | 1999-03-30 |
US5726739A (en) | 1998-03-10 |
JPH07176475A (ja) | 1995-07-14 |
JP3275575B2 (ja) | 2002-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950012135A (ko) | 투영노광장치 및 이를 이용한 디바이스제조방법 | |
US5615047A (en) | Illumination apparatus and exposure apparatus using it | |
US5552892A (en) | Illumination optical system, alignment apparatus, and projection exposure apparatus using the same | |
KR101391384B1 (ko) | 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법 | |
KR950019953A (ko) | 투영노광장치 | |
JPH03211813A (ja) | 露光装置 | |
JPH06214318A (ja) | 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置 | |
KR950033695A (ko) | 광학 인테그레이터 및 이를 사용한 투영 노광 장치 | |
KR960002904A (ko) | 투영노광장치 및 이것을 사용한 디바이스제조방법 | |
TWI489219B (zh) | 照明光學系統、曝光裝置以及元件製造方法 | |
US7672054B2 (en) | Illumination homogenizing optical element | |
US8947635B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5700272B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP3208863B2 (ja) | 照明方法及び装置、露光方法、並びに半導体素子の製造方法 | |
US3922085A (en) | Illuminator for microphotography | |
KR970007500A (ko) | 노광장치 | |
JPH06349710A (ja) | 照明光学装置 | |
JPH06235863A (ja) | 反射屈折光学系 | |
KR102654989B1 (ko) | 노광장치 및 물품의 제조방법 | |
JP3209220B2 (ja) | 露光方法及び半導体素子の製造方法 | |
JPH0645953Y2 (ja) | 画像露光装置 | |
TWI805936B (zh) | 曝光裝置及物品之製造方法 | |
SU1689914A1 (ru) | Цветосмесительное устройство дл аддитивной фотопечати | |
JPH07128739A (ja) | 光源位置合わせ装置及び光源位置合わせ方法 | |
JPH0743496B2 (ja) | 画像露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110923 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120924 Year of fee payment: 15 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |