KR950010001A - 반도체소자의 확산 프로파일 측정방법 - Google Patents
반도체소자의 확산 프로파일 측정방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 확산 프로파일 측정방법에 관한 것으로서, 불순물의 농도에 따라 스테인되는 정도를 비교하여 접합의 깊이를 정확히 관찰하기 위해 부피비가 1 :3 : 10인 40% 불산 : 69% 질산 : 초산의 혼합용액에 불순물영역이 형성된 실리콘웨이퍼를 침지하기 전이나 또는 침지후에 할로겐램프 등의 광원으로부터 조사된 광을 쪼여 웨이퍼의 표면의 감도를 증대시키고 표면에 묻어있는 혼합 용액의 작용을 활발하게 한다. 따라서, 혼합용액과 웨이퍼 표면의 친밀성을 향상시켜 접합깊이 및 확산정도를 재현성있게 정확히 측정할 수있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 및 제4도는 본 발명에 따른 반도체소자의 확산 프로파일을 측정한 것을 나타내는 사진이다.
Claims (3)
- 불순물영역이 형성된 실리콘웨이퍼를 49%의 불산, 69%의 질산 및 초산을 혼합한 용액에 침지 전 또는 후에 조사하여 스테인하는 반도체소자의 확산 프로파일 측정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합용액은 불산, 질산 및 초산의 부피비가 1:3:10인 반도체소자의 확산 프로파일 측정방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 광을 할로겐 램프로부터 조사하는 반도체소자의 확산 프로파일 측정방법.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930018373A KR970007969B1 (ko) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 반도체소자의 확산 프로파일 측정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019930018373A KR970007969B1 (ko) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 반도체소자의 확산 프로파일 측정방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950010001A true KR950010001A (ko) | 1995-04-26 |
| KR970007969B1 KR970007969B1 (ko) | 1997-05-19 |
Family
ID=19363440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930018373A KR970007969B1 (ko) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 반도체소자의 확산 프로파일 측정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970007969B1 (ko) |
-
1993
- 1993-09-13 KR KR1019930018373A patent/KR970007969B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970007969B1 (ko) | 1997-05-19 |
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