KR930022508A - 반도체 소자의 전기적 성질 측정 방법 - Google Patents
반도체 소자의 전기적 성질 측정 방법 Download PDFInfo
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Abstract
실리콘 기판에서 얕은 깊이의 불순물의 농도를 정확히 측정하기 위하여 베벨을 사용하여 작은 각으로 비스듬히 갈아내는 대신 측정할 부위를 식각하여 1회당 일정한 깊이로 파내고 탐침으로 양단의 저항을 측정함으로써 전체깊이에 대한 농도 분포를 얻을 수 있는 장치를 마련하였다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 시료 제작용 장치의 사시도.
제4도는 본 발명에 따른 홀(Hall) 측정 시스템의 식각장치를 나타내는 개략적인 사시도.
Claims (4)
- 실리콘 시편을 일정한 깊이로 식각하고 세정, 건조시킨 다음 탐침을 사용하여 식각된 면에서의 전기적 성질을 측정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전기적 성질 측정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 식각 용액으로 BOE(Buffer Oxide Etchant) 용액 혹은 불산이나 황산 용액 등의 혼합물 또는 개별 용액을 이용하여 식각할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전기적 성질 측정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 탐침으로 2점 탐침이나 4점 탐침으로 면저항 값을 재는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전기적 성질 측정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 식각, 세정, 건조 및 탐침에 의한 측정을 연속적으로 자동적으로 실시할 수 있게 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전기적 성질 측정 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920006235A KR950006315B1 (ko) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 반도체 소자의 전기적 성질 측정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019920006235A KR950006315B1 (ko) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 반도체 소자의 전기적 성질 측정 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930022508A true KR930022508A (ko) | 1993-11-24 |
| KR950006315B1 KR950006315B1 (ko) | 1995-06-13 |
Family
ID=19331780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920006235A KR950006315B1 (ko) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 반도체 소자의 전기적 성질 측정 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950006315B1 (ko) |
-
1992
- 1992-04-14 KR KR1019920006235A patent/KR950006315B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950006315B1 (ko) | 1995-06-13 |
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