KR950009966A - 반도체소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 소자분리막 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950009966A
KR950009966A KR1019930018816A KR930018816A KR950009966A KR 950009966 A KR950009966 A KR 950009966A KR 1019930018816 A KR1019930018816 A KR 1019930018816A KR 930018816 A KR930018816 A KR 930018816A KR 950009966 A KR950009966 A KR 950009966A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
oxide film
nitride film
channel stop
device isolation
Prior art date
Application number
KR1019930018816A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960013502B1 (ko
Inventor
장세억
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930018816A priority Critical patent/KR960013502B1/ko
Publication of KR950009966A publication Critical patent/KR950009966A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960013502B1 publication Critical patent/KR960013502B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H01L21/76213—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose
    • H01L21/76216—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose introducing electrical active impurities in the local oxidation region for the sole purpose of creating channel stoppers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 특히 채널스토퍼 형성공정에서, 소자분리 산화막 밑에 있는 채널스토퍼가 열공정에 의해 활성영역으로 측면확산해 들어가서 소자의 전기적특성을 열화시키는 현상을 억제하기 위한 방법에 관한 것이다.

Description

반도체소자의 소자분리막 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 소자분리기술을 도시한 단면도,
제2a도 내지 제2f도는 본 발명의 제1실시예에 의해 소자분리막 제조공정을 도시한 단면도,
제2a도는 필드영역을 형성한 것을 도시한 단면도,
제2b도는 소자분리 산화막을 형성한 것을 도시한 단면도,
제2c도는 이온주입이 되지않는 부위를 형성키 위한 제2질화막을 형성한 것을 도시한 단면도,
제2d도는 이온을 주입시키는 것을 도시한 단면도,
제2e도는 패드산화막 상부의 모든 적층구조를 제거한 것을 도시한 단면도,
제2f도는 열처리공정후에 채널스톱불순물의 분포상황을 도시한 것을 도시한 단면도.

Claims (9)

  1. 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 있어서, 반도체 기판을 산화시켜 소정두께로 패드산화막을 형성한 후, 다결정실리콘막과 질화막을 증착하고 제1질화막과 다결정실리콘막의 일부를 식각해 내어 필드영역을 형성하는 공정과, 소자분리산화막을 형성하고 제2질화막을 소정두께로 증착한 후에 채널스톱 임플란트 마스크를 이용하여 채널스톱불순물을 소자분리산화막의 하부에 주입하는 공정과, 감광막을 제거한 후, 습식방법으로 제2, 제1질화막을 식각하고 건식방법으로 다결정실리콘막을 식각한 다음, 습식방법으로 패드산화막을 제거하여 하부에 채널스톱영역이 구비된 소자분리산화막을 제조하는 공정을 포함하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 제2질화막을 300-1,000Å으로 증착하고, 채널스톱불순물을 이온주입하는 에너지는 50-180KeV로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 방법.
  3. 제1항에 있어서, 필드영역을 형성하고 제2질화막을 증착하는 대신에 다결정실리콘막을 증착하는 것을 포함하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  4. 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 있어서, 반도체 기판을 산화시켜 소정두께로 패드산화막을 형성하고, 그 상부에 다결정 실리콘막, 제1질화막, 및 화학증착법에 의한 산화막을 차례로 증착하는 공정과, 산화막, 제1질화막 및 다결정실리콘막의 일부를 식각하여 필드영역을 형성하는 공정과, 제2질화막을 증착하고 채널스톱 임플란트 마스크를 이용하여 채널스톱불순물을 필드영역의 반도체기판에 주입하는 공정과, 제2질화막과 화학증착법에 의한 산화막을 제거하는 공정과, 열산화공정으로 필드영역의 반도체기판을 산화시켜 하부에 채널스톱영역이 구비된 소자분리산화막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 채널스톱 임플란트 마스크는 필드영역 상부에 있는 제2질화막이 노출되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 제2질화막의 두께를 300-1,500Å으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 제2질화막의 두께에 따라 이온주입에너지를 조절하여 필드영역의 반도체기판에만 채널스톱 임플란트 불순물이 주입되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  8. 제4항에 있어서, 화학증착법에 의한 산화막의 두께는 500-3,000Å으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
  9. 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 있어서, 반도체기판을 산화시켜 소정두께로 패드산화막을 형성하고, 그 상부에 다결정 실리콘막, 질화막, 화학증착법에 의한 산화막을 차례로 증착하는 공정과, 산화막, 제1질화막 및 다결정실리콘막의 일부를 식각하여 필드영역을 형성하는 공정과, 제2질화막을 증착하고 채널스톱 임플란트 마스크를 이용하여 채널스톱불순물을 필드영역의 반도체기판에 주입하는 공정과, 제2질화막을 이방성 식각하여 질화막 스페이서를 형성하고 화학증착법에 의한 산화막을 제거하는 공정과, 열산화공정으로 필드영역의 반도체 기판을 산화시켜 채널임플란트 영역이 구비된 소자분리산화막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930018816A 1993-09-17 1993-09-17 반도체소자의 소자분리막 제조방법 KR960013502B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930018816A KR960013502B1 (ko) 1993-09-17 1993-09-17 반도체소자의 소자분리막 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930018816A KR960013502B1 (ko) 1993-09-17 1993-09-17 반도체소자의 소자분리막 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950009966A true KR950009966A (ko) 1995-04-26
KR960013502B1 KR960013502B1 (ko) 1996-10-05

Family

ID=19363820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930018816A KR960013502B1 (ko) 1993-09-17 1993-09-17 반도체소자의 소자분리막 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960013502B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR960013502B1 (ko) 1996-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5196367A (en) Modified field isolation process with no channel-stop implant encroachment
EP0276292B1 (en) Process for fabricating stacked mos structures
JPH04346229A (ja) 半導体装置の素子分離方法
US5731240A (en) Manufacturing method for semiconductor depositing device
KR920004366B1 (ko) 반도체 장치의 자기 정렬 콘택 제조방법
US5994190A (en) Semiconductor device with impurity layer as channel stopper immediately under silicon oxide film
US5474944A (en) Process for manufacturing integrated circuit with power field effect transistors
JPH1041476A (ja) 半導体装置の製造方法
KR950009966A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR0179823B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
JP3113011B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR940001813B1 (ko) 반도체장치 소자 분리방법 및 그 소자 분리영역을 갖는 반도체장치
JPS6384162A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04137730A (ja) 半導体装置の製造方法
KR0144026B1 (ko) 소자분리막 형성방법
KR100214847B1 (ko) 반도체 디바이스의 소자 분리방법
KR930008887B1 (ko) 반도체 장치의 소자 분리방법
JPH0778979A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0358430A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR0139376B1 (ko) 반도체장치의 소자분리방법
KR100253344B1 (ko) 반도체 메모리의 콘택홀 형성방법
KR930011159A (ko) 반도체장치의 소자분리구조 및 그 제조방법
JPS60245250A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0536676A (ja) 半導体装置の製造方法
KR950021133A (ko) 반도체 소자 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050922

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee