KR950009935A - 반도체 장치의 실리콘 배선 제조방법 - Google Patents
반도체 장치의 실리콘 배선 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 실리콘 배선 제조방법에 관한 것으로서, 단차가 진 하부 절연막 상에 실리콘층을 형성한 후, 배선이 아닌 부분 여기서는 단차가 진 부분의 실리콘층에 산소 이온을 주입하고 열처리하여 산화막을 형성하므로, 하부 절연막의 단차 측벽에 형성되는 폴리 스페이서에 의한 배선간의 단락을 방지하여 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (5)
- 반도체 기판상에 형성되어 있는 단차를 갖는 하부 절연막 표면에 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘층을 분리시켜 배선을 형성하기 위한 감광막 패턴을 상기 단차 부분의 실리콘층이 노출되도록 형성하는 공정과, 상기 감광막 패턴에 의해 노출되어있는 실리콘층에 산소이온을 주입하는 공정과, 상기 감광막 패턴을 제거한 후, 상기 산소 이온이 주입된 실리콘층을 열산화 시켜 산화막을 형성하여 실리콘으로된 배선을 분리시키는 공정을 포함하는 반도체 장치의 폴리실리콘 배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘층을 폴리 실리콘이나 마이크로 크리스탈 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 실리콘 배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열산화 공정이 불활성 분위기에서 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 실리콘 배선 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열산화 공정이 열확산으로나 고속 열처리 장치를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 실리콘 배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열산화 공정에 의해 생성된 산화막을 제거하는 공정을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 실리콘 배선 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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