KR950004609A - Lc소자, 반도체장치 및 lc소자의 제조방법 - Google Patents

Lc소자, 반도체장치 및 lc소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

반도체장치등에 조립되거나 또는 단독으로 소정의 주파수대역을 감쇠시킬 수 있는 LC소자, 반도체장치 및 LC소자의 제조방법에 관한 것으로써, 반도체 제조기술을 사용하는 것에 의해 간단히 제조할 수 있어 후 공정에 있어서의 부품의 조립작업을 생략할 수 있으며, 또 IC나 LSI의 일부로써 형성할 수 있게 하기 위해, 절연층을 거쳐서 p-Si기판상에 형성된 소정의 형상의 게이트전극에 대한 전압의 인가에 의해 형성되는 채널에 의해 p-Si기판의 표면 부근의 떨어진 위치에 형성된 제 1 의 확산영역과 제 2 의 확산영역사이를 접속하는 것에 의해 형성되고, 채널과 게이트전극의 양쪽이 인덕터도체로써 기능함과 동시에 이들 사이에 캐패시터가 분포정수적으로 형성되고, 광대역에 걸쳐서 양호한 감쇠특성을 갖는다.
이러한 LC소자 및 반도체장치은 MOS제조기술을 사용하는 것에 의해 간단히 제조할 수 있어 반도체기판의 일부로써 제조된 경우에는 후공정에 있어서의 부품의 조립작업을 생략할 수 있으며, 또 IC나 LSI의 일부로써 형성할 수도 있다.

Description

LC소자, 반도체장치 및 LC소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명을 적용한 제 1 실시예의 LC소자의 평면도, 제 2 도는 제 1 도의 A-A선에 있어서의 확대 단면도, 제 3 도는 제 1 도의 B-B선에 있어서의 확대단면도, 제 4 도는 제 1 도의 C-C선에 있어서의 확대단면도.

Claims (44)

  1. 반도체기판상에 형성된 소정의 인덕턴스를 갖는 게이트전극, 상기 게이트전극과 상기 반도체기판사이에 형성된 절연층, 상기 반도체기판내에 있어서 상기 게이트전극에 대응해서 형성되는 채널의 한쪽끝 부근에 형성된 제 1 의 확산영역 및 상기 반도체기판내에 있어서 상기 채널의 다른쪽끝 부근에 형성된 제 2 의 확산영역을 구비하고, 상기 게이트전극 및 상기 채널이 인덕터도체로써 가능하고, 상기 게이트전극의 인덕턴스 및 상기 채널의 인덕턴스와 그들 사이에 형성되는 캐패시턴스가 분포정수적으로 존재하고, 적어도 상기 채널을 신호전달로로써 사용하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  2. 반도체기판상에 형성된 소정의 인덕턴스를 갖는 게이트전극, 상기 게이트전극과 상기 반도체기판 사이에 형성된 절연층, 상기 반도체기판내에 있어서 상기 게이트전극에 대응해서 형성되는 채널의 한쪽끝 부근에 형성된 제 1 의 확산영역을 구비하고, 상기 게이트전극 및 상기 채널이 인덕터도체로써 기능하고, 상기 게이트전극의 인덕턴스 및 상기 채널의 인덕턴스와 그들 사이에 형성되는 캐패시턴스가 분포정수적으로 존재하고, 상기 게이트전극을 신호전달로로써 사용하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극이 나선형상을 갖는 특징으로 하는 LC소자.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 게이트전극이 나선형상을 갖는 특징으로 하는 LC소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극이 지그재그형상을 갖는 특징으로 하는 LC소자.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 게이트전극이 지그재그형상을 갖는 특징으로 하는 LC소자.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극이 직선형상 또는 곡선형상을 갖는 특징으로 하는 LC소자.
  8. 제 2 항에 있어서, 상기 게이트전극이 직선형상 또는 곡선형상을 갖는 특징으로 하는 LC소자.
  9. 제1,3,5,7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 의 확산영역에 전기적으로 접속된 제1의 입력출전극, 상기 제 2 의 확산영역에 전기적으로 접속된 제 2 의 입출력전극, 상기 게이트전극의 한쪽끝 부근에 전기적으로 접속된 접지전극을 갖고, 상기 제1 및 제 2 의 입출력전극중 어느 한쪽에서 신호를 입력하고, 다른쪽에서 신호를 출력함과 동시에 상기 접지전극을 고정전위의 전원에 접속 또는 접지하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  10. 제2,4,6,8항중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트전극의 한쪽끝부 부근에 전기적으로 접속된 제 1 의 입출력전극, 상기 게이트전극의 다른쪽끝부 부근에 전기적으로 접속된 제 2 의 입출력전극, 상기 채널의 한쪽끝부 부근에 형성된 상기 확산영역에 전기적으로 접속된 접지전극을 갖고, 상기 제1 및 제2의 입출력전극중 어느 한쪽에서 신호를 입력하고, 다른쪽에서 신호를 출력함과 동시에 상기 접지전극을 고정전위의 전원에 접속 또는 접지하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  11. 제1,3,5,7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 의 확산영역에 전기적으로 접속된 제 1 의 입출력전극, 상기 제 2 의 확산영역에 전기적으로 접속된 제 2 의 입출력전극, 상기 게이트전극의 한쪽끝부 부근에 전기적으로 접속된 제 3 의 입출력전극, 상기 게이트전극의 다른쪽끝부 부근에 전기적으로 접속된 제 4 의 입출력전극을 갖고, 상기 채널과 상기 게이트전극의 양쪽을 신호전달로로 하는 공통 모드형의 소자로써 사용되는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  12. 제1,3,5,7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 채널만을 상기 신호전달로로써 사용하고, 상기 게이트전극을 여러개로 분할하고, 분할된 여러개의 게이트전극부의 각각을 서로 전기적으로 접속하고, 분할된 전극사이에 대응하는 부분에서 상기 채널이 절단되지 않도록 그 부분에 미리 캐리어를 주입한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 채널만을 상기 신호전달로로써 사용하고, 상기 게이트전극을 여러개로 분할하고, 분할된 여러개의 게이트전극부의 각각을 서로 전기적으로 접속하고, 분할된 전극사이에 대응하는 부분에서 상기 채널이 절단되지 않도록 그 부분에 미리 캐리어를 주입한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  14. 제2,4,6,8항중 어느 한 항에 있어서, 상기 채널이 형성되는 위치에 일부에 미리 캐리어를 주입해두는 것에 의해 상기 게이트전극에 대응해서 형성되는 상기 채널을 여러개로 분할하고, 분할된 각각의 채널의 한쪽끝 부근에 상기 제 1 의 확산영역 또는 상기 제 2 의 확산영역을 마련하고, 이들 여러개의 상기 제 1 의 확산영역 또는 상기 제 2 의 확산영역을 서로 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  15. 제10항에 있어서, 상기 채널이 형성되는 위치의 일부에 미리 캐리어를 주입해두는 것에 의해 상기 게이트전극에 대응해서 형성되는 상기 채널을 여러개로 분할하고, 분할된 각각의 채널의 한쪽끝 부근에 상기 제 1 의 확산영역 또는 상기 제 2 의 확산영역을 마련하고, 이들 여러개의 상기 제 1 의 확산영역 또는 상기 제 2 의 확산영역을 서로 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  16. 제 1 항∼제 8 항중 어느 한 항에 있어서, 상시 신호전달로의 출력측에 버퍼를 접속한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  17. 제 9 항에 있어서, 상기 신호전달로서의 출력측에 버퍼를 접속한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  18. 제10항에 있어서, 상기 신호전달로의 출력측에 버퍼를 접속한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  19. 제11항에 있어서, 상기 신호전달로의 출력측에 버퍼를 접속한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  20. 제1,3,5,7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 LC소자의 상기 제 1 의 확산영역 또는 상기 제 2 의 확산영역중 어느 한쪽에 상기 채널을 거쳐서 출력되는 신호를 증폭하는 버퍼를 접속한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  21. 제 9 항에 있어서, 상기 LC소자의 상기 제 1 의 확산영역 또는 상기 제 2 의 확산영역중 어느 한쪽에 상기 채널을 거쳐서 출력되는 신호를 증폭하는 버퍼를 접속한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  22. 제11항에 있어서, 상기 LC소자의 상기 제 1 의 확산영역 또는 상기 제 2 의 확산영역중 어느 한쪽에 상기 채널을 거쳐서 출력되는 신호를 증폭하는 버퍼를 접속한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  23. 제 1 항∼제 8 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트전극에 대해서 인가하는 게이트전압을 가변으로 설정하는 것에 의해 적어도 상기 채널의 저항값을 가변으로 제어하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  24. 제 9 항에 있어서, 상기 게이트전극에 대해서 인가하는 게이트전압을 가변으로 설정하는 것에 의해 적어도 상기 채널의 저항값을 가변으로 제어하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  25. 제10항에 있어서, 상기 게이트전극에 대해서 인가하는 게이트전압을 가변으로 설정하는 것에 의해 적어도 상기 채널의 저항값을 가변으로 제어하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  26. 제11항에 있어서, 상기 게이트전극에 대해서 인가하는 게이트전압을 가변으로 설정하는 것에 의해 적어도 상기 채널의 저항값을 가변으로 제어하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  27. 제 1 항∼제 8 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체기판 표면 근방으로써 상기 게이트전극에 대응하는 위치에 미리 캐리어를 주입하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  28. 제 9 항에 있어서, 상기 반도체기판 표면 근방으로써 상기 게이트전극에 대응하는 위치에 미리 캐리어를 주입하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  29. 제10항에 있어서, 상기 반도체기판 표면 근방으로써 상기 게이트전극에 대응하는 위치에 미리 캐리어를 주입하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  30. 제11항에 있어서, 상기 반도체기판 표면 근방으로써 상기 게이트전극에 대응하는 위치에 미리 캐리어를 주입하는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  31. 제 1 항∼제 8 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체기판 표면 근방으로써 상기 채널에 형성되는 위치의 적어도 일부에 미리 캐리어를 주입하고, 상기 게이트전극에 대해서 상기 채널의 길이를 길게 또는 짧게 설정하는 것에 의해 상기 게이트전극과 상기 채널을 부분적으로 대응시키는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  32. 제 9 항에 있어서, 상기 반도체기판 표면 근방으로써 상기 채널에 형성되는 위치의 적어도 일부에 미리 캐리어를 주입하고, 상기 게이트전극에 대해서 상기 채널의 길이를 길게 또는 짧게 설정하는 것에 의해 상기 게이트전극과 상기 채널을 부분적으로 대응시키는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  33. 제10항에 있어서, 상기 반도체기판 표면 근방으로써 상기 채널에 형성되는 위치의 적어도 일부에 미리 캐리어를 주입하고, 상기 게이트전극에 대해서 상기 채널의 길이를 길게 또는 짧게 설정하는 것에 의해 상기 게이트전극과 상기 채널을 부분적으로 대응시키는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  34. 제11항에 있어서, 상기 반도체기판 표면 근방으로써 상기 채널이 형성되는 위치의 적어도 일부에 미리 캐리어를 주입하고, 상기 게이트전극에 대해서 상기 채널의 길이를 길게 또는 짧게 설정하는 것에 의해 상기 게이트전극과 상기 채널을 부분적으로 대응시키는 것을 특징으로 하는 LC소자.
  35. 제 1 항∼제 8 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트전극에 과전압을 동작전원라인측 또는 접지측에 바이패스시키는 보호회로를 마련한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  36. 제 9 항에 있어서, 상기 게이트전극에 과전압을 동작전원라인측 또는 접지측에 바이패스시키는 보호회로를 마련한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  37. 제10항에 있어서, 상기 게이트전극에 과전압을 동작전원라인측 또는 접지측에 바이패스시키는 보호회로를 마련한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  38. 제11항에 있어서, 상기 게이트전극에 과전압을 동작전원라인측 또는 접지측에 바이패스시키는 보호회로를 마련한 것을 특징으로 하는 LC소자.
  39. 제 1 항∼제 8 항중 어느 한 항의 LC소자를 기판의 일부로써 형성하고, 상기 게이트전극 및 이것에 대응해서 형성된 채널의 적어도 한쪽을 신호라인 또는 전원라인에 삽입해서 일체로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  40. 제 9 항의 LC소자를 기판의 일부로써 형성하고, 상기 게이트전극 및 이것에 대응해서 형성된 채널의 적어도 한쪽을 신호라인 또는 전원라인에 삽입해서 일체로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  41. 제10항의 LC소자를 기판의 일부로써 형성하고, 상기 게이트전극 및 이것에 대응해서 형성된 채널의 적어도 한쪽을 신호라인 또는 전원라인에 삽입해서 일체로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  42. 제11항의 LC소자를 기판의 일부로써 형성하고, 상기 게이트전극 및 이것에 대응해서 형성된 채널의 적어도 한쪽을 신호라인 또는 전원라인에 삽입해서 일체로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  43. 반도체기판에 부분적으로 불순물을 주입하는 것에 의해 제 1 의 확산영역과 제 2 의 확산영역을 형성하는 제 1 의 공정, 상기 반도체기판상의 전면 또는 부분적으로 절연층을 형성하는 제 2 의 공정, 상기 절연층의 표면에 제 1 의 확산영역과 상기 제 2 의 확산영역을 연결하도록 소정의 인덕턴스를 갖는 게이트전극을 또 형성하는 제 3 의 공정, 상기 제1 및 제 2 의 확산영역의 각각에 전기적으로 접속되는 배선층을 형성하는 제 4 의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 LC소자의 제조방법.
  44. 반도체기판에 부분적으로 불순물을 주입하는 것에 의해 확산영역을 형성하는 제 1 의 공정, 상기 반도체기판상의 전면 또는 부분적으로 절연층을 형성하는 제 2 의 공정, 상기 절연층의 표면의 상기 확산영역에 한쪽끝이 위치하도록 소정의 인덕턴스를 갖는 게이트전극을 또 형성하는 제 3 의 공정, 상기 확산영역의 전기적으로 접속되는 배선층을 형성하는 제 4 의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 LC소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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