KR950004274A - 반도체 소자의 전하 펌핑 회로 - Google Patents

반도체 소자의 전하 펌핑 회로 Download PDF

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KR950004274A
KR950004274A KR1019930013233A KR930013233A KR950004274A KR 950004274 A KR950004274 A KR 950004274A KR 1019930013233 A KR1019930013233 A KR 1019930013233A KR 930013233 A KR930013233 A KR 930013233A KR 950004274 A KR950004274 A KR 950004274A
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김주용
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Abstract

본 발명은 일정한 주기를 갖는 펄스 신호에 따라 동작하는 전하 펌핑 회로의 캐패시턴스 성분이 구동해야할 정류용 모스 트랜지스터의 부하를 분리시킴으로써, 펌핑하고자 하는 노드의 전위를 빠른 시간내에 원하는 전위로 전이시킬 수 있도록 전하 펌핑 효율을 높인 반도체 소자의 전하 펌핑 회로에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 전하 펌핑 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 전하 펌핑 회로의 실시예를 도시한 회로도.

Claims (6)

  1. 제 1 전하 펌핑단과 제 7 전하 펌핑단으로 구성되어 있는 반도체 소자의 전하 펌핑 회로(Charge Pumping Circuit)에 있어서, 제 1 전하 펌핑단은, 게이트는 노드 C에 접속되고, 제 1 펄스 신호가 드레인과 소오스가 공통 접속된 노드로 인가되는 캐패시턴스 구조의 모스 트랜지스터 M11과, 게이트는 노드 D에 접속되고, 제 1 펄스 신호가 드레인과 소오스가 공통접속된 노드로 인가되는 캐패시턴스 구조의 모스 트랜지스터 M12와, 드레인은 노드 D에 접속되고, 게이트는 노드 C에 접속되며, 소오스는 백 바이어스 전압(VBB)단에 접속되는 모스 트랜지스터 M13와, 드레인은 노드 D에 접속되고, 게이트는노드 F에 접속되며, 소오스는 그라운드로 바이어스된 모스 트랜지스터 M14와, 드레인은 노드 C에 접속되고, 게이트는 노드 F에 접속되며, 소오스는 그라운드로 바이어스된 모스 트랜지스터 M15로 구성되어 있고, 제 2 전하 펌핑단은, 게이트는노드 E에 접속되고, 제 2 펄스 신호가 드레인과 소오스가 공통 접속된 노드로 인가되는 캐패시턴스 구조의 모스 트랜지스터 M21과, 게이트는 노드 F에 접속되고, 제 2 펄스 신호가 드레인과 소오스가 공통 접속된 노드로 인가되는 캐패시턴스구조의 모스 트랜지스터 M22와, 드레인은 노드 F에 접속되고, 게이트는 노드 E에 접속되며, 소오스는 백 바이어스 전압(VBB)단에 접속되는 모스 트랜지스터 M23과, 드레인은 노드 F에 접속되고, 게이트는 노드 D에 접속되며, 소오스는 그라운드로 바이어스된 모스 트랜지스터 M24와, 드레인은 노드 E에 접속되고, 게이트는 노드 D에 접속되며, 소오스는 그라운드로 바이어스된 모스 트랜지스터 M25로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하 펌핑 회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1, 제 2 펄스 신호는 일정한 주기를 가지고 서로 상반되고 로직하이 또는 로직로우로 전이하는펄스 신호로서, 제1, 제 2 펄스 신호에 따라 상기 제 1 전하 펌핑단과 제 2 전하 펌핑단은 교대로 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하 펌핑 회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 모스 트랜지스터 M11 내지 M25의 벌크 바이어스(Bulk Bias)로 제 1 펄스 신호가 사용되는 것을특징으로 하는 반도체 소자의 전하 펌핑 회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 모스 트랜지스터 M21 내지 M25의 벌크 바이어스로 제 2 펄스 신호가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하 펌핑 회로.
  5. 제 1 항에 있어서. 상기 모스 트랜지스터 M11 내지 M15, M21 내지 M25로 PMOS트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는반도체 소자의 전하 펌핑 회로.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 모스 트랜지스터 M11 내지 M15, M21 내지 M25의 벌크 바이어스로 일정전위의 신호가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하 펌핑 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930013233A 1993-07-14 1993-07-14 반도체 소자의 전하 펌핑 회로 KR950010623B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100546164B1 (ko) * 1998-10-19 2007-12-31 주식회사 하이닉스반도체 셀프 리프레쉬 주기 제어장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100546164B1 (ko) * 1998-10-19 2007-12-31 주식회사 하이닉스반도체 셀프 리프레쉬 주기 제어장치

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