KR950003863A - 액티브 매트릭스 액정표시패널의 배선구조 및 그 제조방법 - Google Patents
액티브 매트릭스 액정표시패널의 배선구조 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 액티브 매트릭스 LCD(Active Matrix Liquid Crystal Display)패널의 배선구조 및 그 제조방법에 관한 것으로 2층 구조의 데이타 배선 형성에 있어서, 투명전극으로 사용되는 ITO재료를 이용하여 제 1 데이타 배선을 형성할시에 상기 데이타 배선과 게이트 배선과의 교차 부분에서는 제 1 층의 금속패턴이 제 2 층의 금속패턴보다 넓도록 형성시키므로써, 투명전극 형성시 게이트 배선과 데이타 배선의 교차부에서 절연막이 화학적 혹은 물리적으로 침식당하는 것을 막을 수 있어 배선의 단선율을 줄일 수 있을 뿐 아니라, 데이타 배선 단선율을 줄이기 위한 배선구조에 의해 게이트 배선과 데이타 배선 사이의 단락을 또한 줄일수 있는 고신뢰성의 액티브 매트릭스 액정표시패널의 배선구조를 실현할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (3)
- 유리기판 상에 형성된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선과 서로 수직교차되도록 형성하되 상기 게이트 배선과의 교차 부분에서 교차하지 않는 부분보다 더 넓은 폭을 갖는 제 1 층 데이타 베선과, 상기 제 1 층 데이타 배선상에 상기 게이트 배선과의 교차부분에 형성된 제 1 층 데이타 배선폭보다 더 좁은 폭으로 형성된 제 2 층 데이타 배선으로 이루어짐을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정표시패널의 배선구조.
- 유리기판 상에 게이트 배선과 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 배선 및 전극상에 절연막과, 실리콘 및 n+층을 순차적으로 증착한 뒤 식각공정을 거쳐 게이트 전극상에 실리콘 패턴을 형성하는 공정과, 상기 패턴이 형성된 기판상에 투명 도전막을 증착한 후 패터닝하여 광통과영역에 위치한 화소전극과 상기 게이트 배선과 교차하는 부분이 교차되지 않는 부분보다 넓은 폭을 갖는 제 1 데이타 배선을 동시에 형성하는 공정과, 상기 제 1 데이타 배선상에 상기 제 1 데이타 배선재료보다 더 높은 도전율을 가진 금속을 증착한뒤 패터닝하여 상기 게이트 배선과의 교차부분에서는 상기 제 1 데이타 배선보다 더 좁게 형성되고 그외의 부분은 상기 제 1 데이타 배선보다 더 넓은 폭을 갖는 제 2 데이타 배선을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정표시패널의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 데이타 배선은 크롬/알루미늄이 증착된 2층 구조로 형성됨을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정표시패널의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930013705A KR950003863A (ko) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 액티브 매트릭스 액정표시패널의 배선구조 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019930013705A KR950003863A (ko) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 액티브 매트릭스 액정표시패널의 배선구조 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR950003863A true KR950003863A (ko) | 1995-02-17 |
Family
ID=67142726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019930013705A KR950003863A (ko) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 액티브 매트릭스 액정표시패널의 배선구조 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR950003863A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100569712B1 (ko) * | 1998-04-24 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
-
1993
- 1993-07-20 KR KR1019930013705A patent/KR950003863A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100569712B1 (ko) * | 1998-04-24 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
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