KR950003813A - 일산화탄소(co)가스 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 일산화탄소(CO) 가스의 존재 유무를 측정하는 일산화탄소(CO) 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 산화아연 소결체에 질산동을 함침하고 열처리를 실시하여 CO가스의 존재유무를 양호하게 측정할 수 있는 CO가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 서로 다른 2개의 반도체를 물리적으로 접촉시키고 있어 CO가스의 측정이 완료되면 2개의 상기 반도체는 각각 분리되므로 CO가스를 재측정할 경우에는 2개의 상기 반도체의 접촉상태의 재현성이 낮아져 CO가스 측정의 감도특성이 변화되는 문제점을 해결하기 위하여 P형 반도체와 n형 반도체가 물리적으로 접촉되고 CO가스의 감지 특성이 우수하게 재현될 수 있는 CO가스센서 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 산화아연 소결체의 일면에 형성된 산화구리 박막과, 상기 산화구리 박막에 전기적으로 접촉된 +전극의 제1금속층과, 상기 산화아연 소결체의 다른 일면에 전기적으로 접촉된 -전극의 제2금속층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 통상의 방법으로 성형된 산화아연 분말을 650℃-1000℃에서 30분-3시간동안 소결하여 산화아연 소결체를 형성하는 단계와, 상기 산화아연 소결체의 소정영역에 질산동 수용액의 박막층을 형성하는 단계와, 상기 질산동 수용액의 박막층을 열처리하여 산화구리 박막층을 형성하는 단계와, 상기 산화구리 박막층과 상기 산화아연 소결체에 제1전극층과 제2전극층을 각각 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 본 발명은 SnO2계 CO가스센서보다 선택성이 우수하고 물리적 접촉방식의 CuO/ZnO계 CO가스센서보다 측정특성의 재현성이 향상되며 CO가스의 법정관리농도 값인 50ppm까지도 감지할 수 있는 효과를 갖게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (A) 및 (B)는 본 발명에 따른 일산화탄소 가스센서의 개략적인 구조를 각각 나타내는 사시도 및 단면도, 제2도는 (A) 및 (B)는 본 발명에 따른 일산화탄소 가스센서의 일산화탄소와 수소가스의 분위기에서 변화되는 전류를 250℃ 및 400℃에서 각각 측정한 그래프, 제3도는 본 발명에 따른 일산화탄소 가스센서의 일산화탄소 및 수소가스의 분위기에서 측정온도에 따라 변화하는 감도를 각각 측정한 그래프.
Claims (4)
- 산화아연(ZnO) 소결체의 소정영역에 도포된 산화구리(CuO) 박막과, 상기 산화구리 박막에 전기적으로 접촉되는 제1전극층과, 상기 산화구리 박막이 형성되지 않은 영역의 산화아연소결체에 전기적으로 접촉되는 제2전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 일산화탄소(CO) 가스센서.
- 통상의 방법으로 성형된 산화아연 분말을 650℃-1000℃에서 30분-3시간 동안 소결하여 산화아연 소결체를형성하는 단계와, 상기 산화아연 소결체를 소정영역에 질산동 수용액의 박막층을 형성하는 단계와, 상기 질산동 수용액의박막층을 열처리하여 산화구리 박막층을 형성하는 단계와, 상기 산화구리 박막층과 상기 산화아연 소결체에 제1전극층과제2전극층을 각각 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 일산화탄소(CO) 가스센서의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 질산동 수용액의 박막층은 470-800℃에서 10분-2시간동안 열처리되어 산화구리박막층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 일산화탄소(CO) 가스센서의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 제1전극층과 제2전극층은 550-700℃에서 10분-1시간동안 열처리되는 것을 특징으로 하는일산화탄소(CO) 가스센서의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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