TWI698558B - 具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法 - Google Patents
具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI698558B TWI698558B TW108122160A TW108122160A TWI698558B TW I698558 B TWI698558 B TW I698558B TW 108122160 A TW108122160 A TW 108122160A TW 108122160 A TW108122160 A TW 108122160A TW I698558 B TWI698558 B TW I698558B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- copper
- zinc oxide
- doped
- colloidal solution
- hydrogen sensor
- Prior art date
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 94
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 title claims abstract 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 44
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims abstract description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N EtOH Substances CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229940057499 anhydrous zinc acetate Drugs 0.000 claims abstract description 7
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 7
- DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L zinc acetate Chemical compound [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 abstract description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 21
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 alcohol amine Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IJRVLVIFMRWJRQ-UHFFFAOYSA-N nitric acid zinc Chemical compound [Zn].O[N+]([O-])=O IJRVLVIFMRWJRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009965 odorless effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
一種具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法，包含一提供步驟、一膠狀溶液製備步驟、一薄膜形成步驟，及一摻銅步驟。該提供步驟是提供一具有一接觸電極的半導體基板。該膠狀溶液製備步驟是將無水醋酸鋅、乙醇，及乙醇胺混合攪拌形成一氧化鋅膠狀溶液。該薄膜形成步驟是將該氧化鋅膠狀溶液以旋轉塗佈方式旋鍍在該半導體基板上，形成一具有氧化鋅薄膜的半成品。該摻銅步驟是將該半成品浸入一具有預定濃度的醋酸銅的摻雜溶液中並烘烤，以令該氧化鋅薄膜摻雜銅。
Description
本發明是有關於一種氣體感測器的製作方法，特別是指一種具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法。
氫氣在常溫常壓下為無色、無味、無毒的可燃性氣體，不易察覺，但其閃火點低，若不甚外洩容易造成爆炸、大火等危險情況。因此常需透過氫氣感測器用以感測，以在氫氣洩漏時能第一時間得知並進行緊急處理。
現有最廣為周知的氫氣感測器為使用氧化鋅(ZnO)作為感測膜，然而，單純使用氧化鋅作為感測膜的氫氣感測器仍具有反應靈敏度不佳及電阻值高等缺點。
因此，如何製備出對氫氣感測具有較佳的響應度的氣體感測器，是本領域技術人員所待努力的方向。
因此，本發明的目的，即在提供一種具有摻銅氧化鋅感
測膜的氫氣感測器的製作方法。
於是，本發明具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法，包含一提供步驟、一膠狀溶液製備步驟、一薄膜形成步驟，及一摻銅步驟。
該提供步驟是提供一具有一接觸電極的半導體基板。
該膠狀溶液製備步驟是將無水醋酸鋅、乙醇，及乙醇胺混合攪拌形成一氧化鋅膠狀溶液。
該薄膜形成步驟是將該氧化鋅膠狀溶液以旋轉塗佈方式旋鍍在該半導體基板上，形成一具有氧化鋅薄膜的半成品。
該摻銅步驟是將該半成品浸入一具有預定濃度的醋酸銅的摻雜溶液中並烘烤，以令該氧化鋅薄膜摻雜銅。
本發明的功效在於，透過膠狀溶液製備步驟與薄膜形成步驟形成具有氧化鋅薄膜的半成品後，再以摻銅步驟令該氧化鋅薄膜摻銅，從而使用摻銅氧化鋅材料作為氫氣感測器的感測膜，而能提升對氫氣反應靈敏度以獲得較高的感測響應度。
201:提供步驟
202:膠狀溶液製備步驟
203:薄膜形成步驟
204:退火步驟
205:摻銅步驟
206:清洗步驟
本發明的其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一流程步驟，說明本發明具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣
感測器的製作方法的一流程步驟；圖2是一電阻值對時間關係圖，說明本發明的一氫氣感測器感測10%濃度的氫氣的響應結果；及圖3是一電阻值對時間關係圖，說明本發明的一氫氣感測器感測1%濃度的氫氣的響應結果。
在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1，本發明具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法的一實施例，包含一提供步驟201、一膠狀溶液製備步驟202、一薄膜形成步驟203、一退火步驟204、一摻銅步驟205，及一清洗步驟206。
具體地說，該提供步驟201是先透過物理氣相沉積方式在一半導體基板上沉積金/鉻(Au/Cr)薄膜，再透過黃光製程定義出圖案化的金屬接觸電極並對其蝕刻，從而提供具有接觸電極的半導體基板。
接著，將該半導體基板裁切成適當大小後，放入超音波震盪器中，並使用丙酮、異丙醇，及去離子水進行清洗。
該膠狀溶液製備步驟202是將無水醋酸鋅、乙醇，及乙
醇胺分成兩步驟混合攪拌。具體地說，先將無水醋酸鋅及乙醇先行混合，而透過磁石攪拌機在常溫下進行攪拌後，才加入乙醇胺(作為催化劑)，隨後將三者混合液體共同加熱並再次攪拌，混合攪拌完成後，密封靜置一段時間即製備出一氧化鋅膠狀溶液。透過前述的水熱法製作該氧化鋅膠狀溶液，使其顆粒團聚較輕，而能得到合適的晶形，且能避免鍛燒過程造成缺陷形成或雜質引入。
在完成該提供步驟201與該膠狀溶液製備步驟202後，接著進行該薄膜形成步驟203，將該氧化鋅膠狀溶液滴至該半導體基板上，再以旋轉塗佈方式進行旋鍍，並放置在磁石攪拌機上加熱進行軟烤，重複旋鍍及軟烤步驟多次，以形成一具有氧化鋅薄膜的半成品。透過旋轉塗步形成氧化鋅薄膜的過程中沒有化學反應，而不需要在真空環境中進行，能大量且快速的製備薄膜。
完成具有氧化鋅薄膜的該半成品後，將該半成品放入快速熱退火機中進行快速熱退火，使氧化鋅薄膜的晶體內部缺陷能移動回復到正常晶格狀態，並透過再結晶過程使新的晶粒成型而取代原本因內在應力而變形的晶粒，即完成該退火步驟204。
隨後進行該摻銅步驟205，將退火完成的該半成品浸入一具有預定濃度的醋酸銅的摻雜溶液中並烘烤，以令該氧化鋅薄膜摻雜銅；其中，該摻雜溶液是以硝酸鋅、環六亞甲基四胺、去離子水，及醋酸銅共同製備而成。
最後，進行該清洗步驟206，將具有摻銅氧化鋅薄膜的該半導體基板由該摻雜溶液取出後，以去離子水清洗並吹乾，以製成該氫氣感測器。
為了更清楚說明本發明具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法，以下以一具體例說明前述實施例。
具體例
使用矽(Si)基板作為該半導體基板，並透過電子束蒸鍍系統沉積金薄膜及鉻薄膜，而構成金/鉻薄膜，再透過黃光製程蝕刻部分金/鉻薄膜，從而獲得圖案化金/鉻金屬接觸電極。
接著，將該半導體基板裁切成約1.8cm×1.8cm，在於超音波震盪器中依序使用丙酮、去離子水、異丙醇、去離子水各清洗5分鐘。
膠狀溶液製備是取0.55g的無水醋酸鋅、50ml的乙醇，及0.18g的乙醇胺。先將無水醋酸鋅及乙醇倒入量杯中，並放置在磁石攪拌機上，在常溫下攪拌60分鐘，隨後加入乙醇胺，將其一同加熱至60℃再攪拌120分鐘，最後以鋁箔紙封住瓶口，靜置24小時，即可製備出濃度為0.06M的氧化鋅膠狀溶液。
隨後將氧化鋅膠狀溶液滴至該半導體基板上，並以旋轉塗佈方式以初轉為500rpm先旋鍍5秒，再以3000rpm旋鍍30秒，旋鍍完成後，將其放置在磁石攪拌機上加熱至130℃進行5分鐘軟
烤，並再次重複前述旋鍍與軟烤步驟共5次，即完成具有氧化鋅薄膜的半成品。
將完成的該半成品放入快速熱退火機中，以升溫時間為45秒將溫度上升至600℃，並在600℃維持60秒進行退火，退火完畢後以降溫時間為45秒讓溫度回到室溫25℃，以完成退火步驟。
接著進行摻雜溶液的配製，取8.92g的硝酸鋅、2.52g的環六亞甲基四胺、0.06g的醋酸銅，及300ml的去離子水共同製備出銅離子對鋅離子的濃度為1%的摻雜溶液。
將退完火的該半成品浸入該摻雜溶液中，並透過磁石攪拌機並加熱至60℃均勻攪拌摻雜溶液後，隨即將其放入80℃的烘箱中進行烘烤2小時，以令該氧化鋅薄膜摻雜銅。
最後，將具有摻雜銅的氧化鋅薄膜的該半導體基板由該摻雜溶液中取出，以去離子水清洗，並用氮氣槍吹乾，即完成具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器。
參閱圖2與圖3，以前述該具體例製成的該氫氣感測器分別感測濃度為10%與1%的氫氣。首先將該氫氣感測器放置在穩定的腔體內，並以探針固定在該接觸電極上，接著通入氫氣20分鐘再停止通入20分鐘，連續進行三個循環。
由圖2與圖3的感測結果可知，當通入氫氣時，其電阻值隨著氫氣通入而上升，反之，當停止通入氫氣時，電阻值則隨之下
降，其中，感測濃度為10%的氫氣的響應度可達90.9%，而感測濃度為1%的氫氣響應度則為58.1%，由此可知，本發明以具有摻銅氧化鋅材料作為氫氣感測器的感測薄膜，確實為優越的氫氣感測材料。
綜上所述，本發明具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法，透過膠狀溶液製備步驟與薄膜形成步驟形成具有氧化鋅薄膜的半成品後，再以摻銅步驟令該氧化鋅薄膜摻銅，使具有摻銅氧化鋅材料作為氫氣感測器的感測薄膜，在感測濃度為10%與1%的氫氣時，其響應度分別可達90.9%與58.1%，實能提升氫氣反應靈敏度以獲得較高的感測響應度，故確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者，僅為本發明的實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。
201:提供步驟
202:膠狀溶液製備步驟
203:薄膜形成步驟
204:退火步驟
205:摻銅步驟
206:清洗步驟
Claims (3)
- 一種具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法，包含：一提供步驟，提供一具有一接觸電極的半導體基板；一膠狀溶液製備步驟，將0.55g的無水醋酸鋅與50ml的乙醇先在常溫下攪拌，再加入0.18g的乙醇胺加熱至60℃混合攪拌形成一氧化鋅膠狀溶液；一薄膜形成步驟，將該氧化鋅膠狀溶液以轉速介於500rpm~3000rpm的旋轉塗佈方式旋鍍在該半導體基板上，形成一具有氧化鋅薄膜的半成品；一退火步驟，將該半成品置於600℃環境中進行退火；一摻銅步驟，將該半成品浸入一銅離子對鋅離子的濃度為1%的醋酸銅的摻雜溶液中並以80℃烘烤，以令該氧化鋅薄膜摻雜銅；及一清洗步驟，將具有摻銅氧化鋅薄膜的該半導體基板從該摻雜溶液中取出後，再以去離子水清洗，以製成該氫氣感測器。
- 如請求項1所述的具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法，其中，該薄膜形成步驟是多次旋鍍該氧化鋅膠狀溶液於該半導體基板上，再以130℃進行軟烤。
- 如請求項1所述的具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法，其中，該摻銅步驟是以硝酸鋅、環六亞甲基四胺、去離子水，及醋酸銅共同製備而成該摻雜溶液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108122160A TWI698558B (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108122160A TWI698558B (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI698558B true TWI698558B (zh) | 2020-07-11 |
| TW202100826A TW202100826A (zh) | 2021-01-01 |
Family
ID=72601902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108122160A TWI698558B (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI698558B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995001565A1 (en) * | 1993-07-02 | 1995-01-12 | Pohang Iron & Steel Co., Ltd. | Carbon monoxide (co) detecting sensor, and manufacturing process therefor |
| TW201142277A (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | Univ Nat Cheng Kung | Gas sensor with a zinc-oxide nanostructure and method for producing the same |
| WO2015081665A1 (zh) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 纳米新能源（唐山）有限责任公司 | 基于氧化锌纳米结构的传感器及其制备方法 |
-
2019
- 2019-06-25 TW TW108122160A patent/TWI698558B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995001565A1 (en) * | 1993-07-02 | 1995-01-12 | Pohang Iron & Steel Co., Ltd. | Carbon monoxide (co) detecting sensor, and manufacturing process therefor |
| TW201142277A (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | Univ Nat Cheng Kung | Gas sensor with a zinc-oxide nanostructure and method for producing the same |
| US20110290003A1 (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | National Cheng Kung University | Gas sensor with a zinc-oxide nanostructure and method for producing the same |
| WO2015081665A1 (zh) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 纳米新能源（唐山）有限责任公司 | 基于氧化锌纳米结构的传感器及其制备方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| L. Chow, O. Lupan, G. Chai , H. Khallaf, L.K. Ono, B. Roldan Cuenya, I.M. Tiginyanu, V.V. Ursaki f,g, V. Sontea, A. Schulte, ""Synthesis and characterization of Cu-doped ZnO one-dimensional structures for miniaturized sensor applications with faster response", Sensors and Actuators A 189 (2013) 399~408, DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2012.09.006 * |
| L. Chow, O. Lupan, G. Chai , H. Khallaf, L.K. Ono, B. Roldan Cuenya, I.M. Tiginyanu, V.V. Ursaki f,g, V. Sontea, A. Schulte, ""Synthesis and characterization of Cu-doped ZnO one-dimensional structures for miniaturized sensor applications with faster response", Sensors and Actuators A 189 (2013) 399~408, DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2012.09.006。公開日 2013年1月15日。 |
| Sachin S Bharadwaja, Shivaraj B W, H N Narasimha Murthy, M Krishna, Manjush Ganiger, Mohd Idrisa, Pundaleek Anawala ,Vitthal Sangappa Angadi, "Synthesis and Characterization of Copper Doped Zinc Oxide Thin Films for CO Gas Sensing", Article in Materials today: proceedings · February 2018, DOI: 10.1016/j.matpr.2018.06.478 * |
| Sachin S Bharadwaja, Shivaraj B W, H N Narasimha Murthy, M Krishna, Manjush Ganiger, Mohd Idrisa, Pundaleek Anawala ,Vitthal Sangappa Angadi, "Synthesis and Characterization of Copper Doped Zinc Oxide Thin Films for CO Gas Sensing", Article in Materials today: proceedings · February 2018, DOI: 10.1016/j.matpr.2018.06.478。公開日2018年3月21日。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202100826A (zh) | 2021-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2018060995A5 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
| US4293589A (en) | Process for high pressure oxidation of silicon | |
| CN109314146B (zh) | 半导体装置、pH传感器、生物传感器以及半导体装置的制造方法 | |
| TW200913106A (en) | A novel method for monitoring and calibrating temperature in semiconductor processing chambers | |
| CN104089981A (zh) | 基于纳米TiO2 薄膜的微型氧气传感器及制备工艺 | |
| TWI698558B (zh) | 具有摻銅氧化鋅感測膜的氫氣感測器的製作方法 | |
| JP2000095522A (ja) | ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜、その製造方法及びそれを用いた赤外線検出素子 | |
| TW201504193A (zh) | 熱敏電阻用金屬氮化物材料及其製造方法以及薄膜型熱敏電阻感測器 | |
| TW200402790A (en) | Method of oxidizing member to be treated | |
| JPS58180936A (ja) | 燃焼状態検出素子およびその製造方法 | |
| CN110395714B (zh) | 一种锑掺杂SnO2@碳纳米管复合电热膜的制备方法 | |
| JP2018119087A (ja) | 圧電膜、およびその製造方法 | |
| WO2020042913A1 (zh) | 温度传感器制备方法及温度传感器 | |
| TW202100466A (zh) | 具有摻鈣氧化鋅奈米柱的氫氣感測器的製作方法 | |
| RU2597657C1 (ru) | Способ изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа | |
| CN102592983A (zh) | Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法 | |
| CN106328549B (zh) | 晶圆中氧沉淀的检测方法 | |
| JP2005216993A (ja) | シリコンウエーハの評価方法 | |
| JPH1116879A (ja) | レジスト膜の除去方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS59103375A (ja) | シヨツトキ−接合を有する半導体装置の製造方法 | |
| TW202407123A (zh) | 氫氣感測器的製造方法及其用於檢測氫氣發電之完全燃燒的用途 | |
| TWI242816B (en) | Method for monitoring low-temperature rapid thermal annealing process | |
| JPS59227128A (ja) | 半導体基体の酸化法 | |
| CN103208341B (zh) | 金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻 | |
| CN111610233A (zh) | 一种mems催化燃烧式气体传感器制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |