KR100329806B1 - p형 반도성 물질이 첨가된 WO₃ 고용체로 이루어진 가스 센서 - Google Patents

p형 반도성 물질이 첨가된 WO₃ 고용체로 이루어진 가스 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR100329806B1
KR100329806B1 KR1019990032788A KR19990032788A KR100329806B1 KR 100329806 B1 KR100329806 B1 KR 100329806B1 KR 1019990032788 A KR1019990032788 A KR 1019990032788A KR 19990032788 A KR19990032788 A KR 19990032788A KR 100329806 B1 KR100329806 B1 KR 100329806B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
substrate
type
type semiconducting
gas
Prior art date
Application number
KR1019990032788A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010017335A (ko
Inventor
김태송
정형진
정종학
Original Assignee
박호군
한국과학기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박호군, 한국과학기술연구원 filed Critical 박호군
Priority to KR1019990032788A priority Critical patent/KR100329806B1/ko
Publication of KR20010017335A publication Critical patent/KR20010017335A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100329806B1 publication Critical patent/KR100329806B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/125Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
    • G01N27/127Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising nanoparticles
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0027General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
    • G01N33/0036General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
    • G01N33/0037NOx
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0027General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
    • G01N33/0036General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
    • G01N33/0054Ammonia
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
    • H01L21/02565Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/0257Doping during depositing
    • H01L21/02573Conductivity type
    • H01L21/02579P-type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

본 발명은 가스 센서에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 가스의 농도에 따라 전기 전도도의 변화를 감지하도록 박·후막형으로 제조한 WO₃ 및 p형 반도성 물질의 고용체 감지막(3)을 가지는 가스 센서에 관한 것이다. 본 발명은 종래의 가스 센서의 응답특성 및 회복속도를 증진시키는데 목적이 있다. 본 발명은 기판(1)과, 상기 기판 상면에 소정의 패턴으로 형성되는 전극(2)과, 상기 전극이 형성된 기판의 상면에 형성되는 WO₃ 및 p형 반도성 물질의 고용체 박·후막형 감지막(3)과, 상기 기판 하면에 형성되는 히터(4)와, 상기 히터가 형성된 기판의 하면에 형성되는 절연재(5)로 이루어지는 가스 센서를 제공하여 NOX와 같은 자동차 배기 가스, 기타 연소 장치의 배기 가스 이외에도 암모니아 등과 같은 감지 가능한 가스를 감지한다. n형 반도성을 갖는 WO3에 p형 반도성 물질을 첨가하여 막(3)의 소결성을 높임과 동시에 전기적으로 막 내에 존재하는 전도성 캐리어의 양을 조절하여 산화성 가스, 예컨대 NOX와의 반응성을 증진시킨다. 상기 감지막은 CuO, NiO, CoO, Cr2O3, Cu2O, MoO3, Bi2O3, MnO2및 Pr2O3으로 이루어지는 p형 반도성 물질 군 중에서 어느 하나 이상이 첨가된 고용체로 이루어진다. 여기서, 상기 p형 반도성 물질의 첨가량은 0.1 - 90 wt%일 수 있고, 상기 감지막은 0.1 - 5 ㎛의 박막 또는 5 - 100㎛의 후막일 수 있다.

Description

p형 반도성 물질이 첨가된 WO₃ 고용체로 이루어진 가스 센서{GAS SENSORS FABRICATED WITH P-TYPE SEMICONDUCTING MATERIALS DOPED WO3 SOLID SOLUTION}
본 발명은 가스 센서에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 가스의 농도에 따라 전기 전도도의 변화를 감지하는 박·후막형으로 제조한 WO₃및 p형 반도성 물질의 고용체 감지막을 가지는 가스 센서에 관한 것이다.
과거에는 공장 매연 및 난방 연료가 대기 요염의 주된 원인이었던데 반해 최근에는 자동차의 배출 가스가 대기 오염의 주된 원인으로 작용하고 있다. 자동차의 배출가스 중에는 미연소 탄화수소(HC), 일산화탄소(CO), NOX가 유해한데, NOX와 CO는 광화학 반응으로 오존(O3)을 생성시켜 지구의 온난화 및 산성비의 원인을 제공하기도 한다.
NOX가스에는 자동차 등 공해 원인에 의해 배출되는 NOX가스와 대기 중에 자연적으로 존재하는 NOX가스가 있다. NOX가스는 인체에 매우 유독하기 때문에 미국 ACGIH(American Conference of Governmental Industrial Hygienists)에서는 NOX가스의 안전 기준인 임계값(Threshold Limit Value-Time Weighted Average, VLV-TWA)을 NO의 경우 25ppm, NO2의 경우에는 3ppm으로 하고 있다.
종래에는 NOX가스 농도 측정 방법은 전기 화학 센서(Electrochemical Sensor), 질량 분광계(Mass Spectrometry) 등의 장비를 이용하여 분석하는 방법을 채용하고 있으나, 이와 같은 측정 방법은 자동차와 같은 오염원의 측정 시 피측정체에 상시 부착이 어렵고, 피측정체가 위치한 곳으로 쉽게 이동할 수 있도록 소형화하기가 곤란하고, 가격이 비싼 단점이 있다.
WO3는 n형 반도성을 갖는 물질로서 박막의 형태로 NOX를 감지하기 위한 센서로서 미국특허 제 5,320,577호에 나타나 있으며, 미국특허 제 5,618,496호에서는 p형 반도성 물질(예를 들면 CuO)과 n형 반도성 물질(예를 들면 WO3)을 박·후막의 형태로 혹은 입자들의 형태로 서로 접합 또는 접촉시켜 p-n 접촉 영역을 구성, 원하는 가스를 감지해내는 것이 시도되고 있다. 그러나, 상기 n형 반도성 물질로 이루어지는 감지막은 그 응답 특성 및 회복 속도가 상대적으로 느린 단점이 노출되고 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결함과 아울러 종래의 WO₃감지막만을 이용하는 것에서 탈피하여 보다 특성이 뛰어난 감지막을 제공하여 센싱 특성을 향상시키고자 하는데 목적이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 가스 센서의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 2는 도 1의 가스 센서를 이용하여 1000ppm의 NO 가스에 대한 응답 특성을 나타내는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판 2: 전극
3: 감지막 4: 히터
5: 절연재 6 : 열전대
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상면에 소정의 패턴으로 형성되는 전극과, 상기 전극이 형성된 기판의 상면에 증착되는 WO3에 0.1 - 90 wt%의 p형 반도성 물질 CuO이 첨가되어 이루어진 고용체 박·후막형 감지막과, 상기 기판 하면에 형성되는 히터와, 상기 히터가 형성된 기판의 하면에 형성되는 절연재로 이루어지는 가스 센서를 제공하여 NOX와 같은 자동차 배기 가스, 기타 연소 장치의 배기 가스 이외에도 암모니아 등과 같은 감지 가능한 가스를 감지한다. 상기 감지막은 n형 반도성을 갖는 WO3에 p형 반도성 물질을 첨가하여 막의 소결성을 높임과 동시에 전기적으로 막 내에 존재하는 전도성 캐리어의 양을 조절하여 산화성 가스, 예컨대 NOX와의 반응성을 증진시킨다. 상기 감지막은 CuO외에도 NiO, CoO, Cr2O3, Cu2O, MoO3, Bi2O3, MnO2및 Pr2O3로 이루어지는 군 중에서 어느 하나 이상의 p형 반도성 물질이 추가로 WO3에 첨가된 고용체로 이루어진다. 상기한 바와 같이, p형 반도성 물질의 첨가량은 0.1 - 90 wt%이고, 상기 감지막은 0.1 - 5 ㎛의 박막 또는 5 - 100㎛의 후막일 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명에 바람직한 실시예에 따른 가스 센서의 구조를 보여주는데, 박·후막 증착용 알루미나 기판(1) 하면에 소정의 패턴으로 팔라듐-은 후막 히터(4)를 실크스크린 프린팅법으로 형성하고, 고온용 알루미나 접착제를 도포하거나 알루미나 페이스트를 이용하여 히터를 매몰시켜 방열 및 절연재(5)를 형성하고, 상기 기판 상면에는 역시 소정의 패턴으로 백금 막을 입혀 전극(2)을 형성하고 그 위에 WO₃- CuO 고용체 감지막(3)을 형성하여 단위 센서 셀을 형성하였다.
본 실시예에서는 박막형 감지막으로 WO₃- CuO 고용체 막(3)을 진공증착법과 스크린프린팅법으로 증착하였다. WO₃- CuO 고용체 막(3)은 반도성 특성을 갖는 막으로서 이 막의 표면에 가스 분자가 흡착되면 반도체막(3)과 흡착분자 사이에 전자의 주고 받음이 발생된다. 즉, NOX와 같은 산화성 가스인 전자 수용성 가스가 흡착할 경우에는 전자의 캐리어의 밀도가 감소하여 전기 전도도가 감소하고 저항 값이 증가하게 된다. 그러나 NOX가스가 감지막(3) 표면에 흡착되었을 때 전자의 수수가 빠른 시간 내에 일어나지 않을 경우 가스량을 감지하기 어려울 뿐 아니라 반복 측정을 하기 위한 대기 시간이 요구되는 등 센서를 장착한 장치로서의 사용에 제한이 따르는 문제점이 있다. 따라서, 가능하면 NOX가스가 제거되었을 때 빠른 시간에 회복되는 센싱 막의 특성이 요구된다. 본 실시예에서는 감지막의 회복속도 및 응답특성을 증진시키기 위하여 p형 반도성 특성을 갖는 CuO를 첨가하여 NOX가스와의 반응에 의한 전자의 수수를 원활하게 함으로써 감도 특성을 크게 희생시키지 않고 목적을 달성할 수 있었다.
본 실시예에서 증착한 감지막 층인 WO₃- CuO 막(3)은 WO₃에 CuO를 10wt% 첨가하여 12시간 동안 잘 혼합한 후 펠렛으로 만들어 텅스텐 보트 위에 장입 진공 증착하였다. 진공증착한 시편을 산소 분위기로 650℃에서 약 4시간 열처리한 후 각 시편을 약 3-5 회에 걸쳐 측정온도인 200℃ 근처의 온도에서 NOX가스를 사용하여 시험 측정하여 센서의 특성을 안정화시켰다. 상기 고용체 감지막은 진공증착법을 이용하여 약 2㎛의 두께가 되게 하였지만 스퍼터링이나 또는 다른 증착장비를 이용하여 그 이하의 얇은 막도 가능하지만 0.1㎛ 이하가 되면 장기 안정성이 떨어지는 경향이 있어 적당치 않다.
도 2는 도 1의 센서를 이용하여 1000ppm의 NO 가스를 주입하였을 때 센싱 특성을 나타낸 것이다. 가스를 주입한 후 2분 동안 유지하고 나서 주입가스를 제거하였다. 비교를 위하여 CuO 없이 순수한 WO3만으로 이루어진 센서의 특성을 동시에 나타내었다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, NO 가스에 노출되었을 때 응답 시간은 비슷하지만 NO 가스를 제거했을 때 CuO가 첨가된 센서의 경우 NO에 노출되기 이전의 수준으로 쉽게 회복되는 반면에 순수한 WO3로 이루어진 센서의 경우 7000mV까지도 거의 회복되지 못해 회복시간의 현저한 증진이 달성됨을 알 수 있다. 센서의 감도는 각각 약 305, 306으로 거의 비슷했다.
상기한 구성의 본 발명에 따르면, 종래의 WO3만으로 이루어진 감지막에 비하여 감지 가스와의 반응성을 증진시킴으로써 감지막의 회복속도 및 응답특성이 증진되어 고감도 센서를 제공할 수 있다. 또한, CuO 등의 첨가로 인하여 막의 소결성이 향상된다. 본 발명은 NOX가스의 감지에 한정되지 않고 보통의 연소 가스, 암모니아 가스 등 감지 가능한 모든 가스에 일반적으로 사용될 수 있다.

Claims (4)

  1. 기판과, 상기 기판 상면에 소정의 패턴으로 형성되는 전극과, 상기 전극이 형성된 기판의 상면에 증착되는 WO3에 0.1 - 90 wt%의 p형 반도성 물질 CuO이 첨가되어 이루어진 고용체 박·후막형 감지막과, 상기 기판 하면에 형성되는 히터와, 상기 히터가 형성된 기판의 하면에 형성되는 절연재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 p형 반도성 물질은 NiO, CoO, Cr2O3, Cu2O, MoO3, Bi2O3, MnO2및 Pr2O3로 이루어지는 군 중에서 선택되는 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
  3. 삭제
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 감지막은 0.1 - 5 ㎛의 박막 또는 5 - 100 ㎛의 후막인 것을 특징으로 하는 가스 센서.
KR1019990032788A 1999-08-10 1999-08-10 p형 반도성 물질이 첨가된 WO₃ 고용체로 이루어진 가스 센서 KR100329806B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990032788A KR100329806B1 (ko) 1999-08-10 1999-08-10 p형 반도성 물질이 첨가된 WO₃ 고용체로 이루어진 가스 센서

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990032788A KR100329806B1 (ko) 1999-08-10 1999-08-10 p형 반도성 물질이 첨가된 WO₃ 고용체로 이루어진 가스 센서

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010017335A KR20010017335A (ko) 2001-03-05
KR100329806B1 true KR100329806B1 (ko) 2002-03-25

Family

ID=19606731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990032788A KR100329806B1 (ko) 1999-08-10 1999-08-10 p형 반도성 물질이 첨가된 WO₃ 고용체로 이루어진 가스 센서

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100329806B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100745025B1 (ko) 2006-04-25 2007-08-02 주식회사 메디아나전자 탄소나노튜브를 이용한 농도 검출센서 및 이를 이용한 직접메탄올 연료전지의 메탄올 농도 상태 검출장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980067394A (ko) * 1997-02-04 1998-10-15 박원훈 WO3 감지막을 이용한 NOx 가스 감지 소자 및 그의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980067394A (ko) * 1997-02-04 1998-10-15 박원훈 WO3 감지막을 이용한 NOx 가스 감지 소자 및 그의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100745025B1 (ko) 2006-04-25 2007-08-02 주식회사 메디아나전자 탄소나노튜브를 이용한 농도 검출센서 및 이를 이용한 직접메탄올 연료전지의 메탄올 농도 상태 검출장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010017335A (ko) 2001-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Martinelli et al. Screen-printed perovskite-type thick films as gas sensors for environmental monitoring
EP3267187B1 (en) Silicon carbide based field effect gas sensor for high temperature applications
Ishihara et al. Capacitive type gas sensors
Traversa Design of ceramic materials for chemical sensors with novel properties
Traversa et al. A novel humidity-detection mechanism for ZnO dense pellets
EP1430295B1 (en) Solid state potentiometric gaseous oxide sensor
CN111307876B (zh) 一种用于检测二氧化氮的气体传感器及其制备方法
JP2005315700A (ja) 水素センサ及び水素の検知方法
KR100329806B1 (ko) p형 반도성 물질이 첨가된 WO₃ 고용체로 이루어진 가스 센서
CN112255272A (zh) 一种气体传感器及其制备方法
WO1998032007A1 (fr) Procede de detection d&#39;oxydes d&#39;azote et element de capteur permettant de detecter des oxydes azotes
Moseley et al. Semiconductor gas sensors
US5362651A (en) Carbon monoxide selective sensor and method of its use
JP2844286B2 (ja) 窒素酸化物検出素子およびその製造方法
Melan et al. The Glaze Resistor-It's Structure and Reliability
Yamamoto et al. Some considerations on stability of electrical resistance of the TiO 2/SnO 2 ceramic moisture sensor
US20080135406A1 (en) Gas Sensor
RU2779966C1 (ru) Диэлектрический газовый сенсор
KR100246719B1 (ko) Wo3 감지막을 이용한 nox 가스 감지 소자 및 그의 제조 방법
Traversa et al. Humidity sensitive electrical properties of dense ZnO with non-ohmic electrode
Traversa et al. The electrical properties of La2CuO4/ZnO heterocontacts at different relative humidities
JP3415676B2 (ja) ガスセンサ
JPH06148115A (ja) ガスセンサー
KR960010681B1 (ko) 이종 반도체 접합 가스센서
KR200170012Y1 (ko) 후막형 프로판 가스센서

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090302

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee