KR950001881A - 열처리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 열처리 방법에서는, 외부히이터(저항발열체)로 가열해서 600℃까지 승온시킨 반응용기내에 소정의 반응가스를 공급하고, 이 반응용기내에서 열처리 보우트에 의해서 유지된 예로서 25매의 반도체 웨이퍼에 반응성 가스의 반응생성물을 퇴적시켜서 BPSG막을 형성한다. 그후, 반응성가스를 불활성가스로 치환하여 저항발열체로 반응용기내를 900℃까지 가열해서 BPSG막을 용융시켜 평탄화한 다음, 600℃까지 반응용기내를 냉각시킨다. 또한 연속해서 상기 피막형성공정, 평탄화공정 및 냉각공정을 최소한 1회 반복한다. 이와같은 열처리 방법으로 높은 어스펙트비의 경우라도 균일한 성막을 하여 보이드를 발생시키지 않고, 피처리체 표면을 평탄화 할 수가 있으며, 더욱이 불순물을 혼입시키지 않고, 전기적 특성, 기계적 특성이 뛰어난 피막을 피처리체에 형성하는 열처리 방법을 제공할 수가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 열처리 방법에 적절히 사용되는 감압 CVD 장치의 한 예의 요부를 나타내는 종단면도. 제2도는 제1도에 도시하는 감압 CVD 장치의 열처리 보우트의 반도체 웨이퍼 지지부재를 확대하여 나타내는 종단 사시도. 제3도는 본 발명의 열처리 방법에 바람직한 한 실시예를 나타내는 처리온도의 시간경과를 도시하는 다이어그램. 제4도는 제3도에 도시하는 열처리 방법에서 반도체 웨이퍼를 처리하는 과정을 나타내는 반도체 웨이퍼를 확대해서 도시하는 종단면도이며, 제4A도는 성막 직후의 상태를 나타내는 종단면도.
Claims (13)
- 외부 히이터에 의해서 가열하여 소정의 반응온도까지 승온시킨 반응용기내에 소정의 반응성 가스를 공급하는 공정과, 상기 반응용기내에 유지구로 유지된 여러개의 피처리체에 상기 반응성 가스의 반응 생성물을 퇴적시켜서 피막을 형성하는 공정과, 상기 외부 히이터에 의해서 상기 반응용기내를 더욱 소정온도까지 가열하는 상기 피막을 용융시켜서 평탄화하는 공정과, 상기 반응온도까지 상기 반응용기내를 냉각하는 공정으로서 되며, 또 연속해서 상기 피막형성공정, 평탄화공정 및 냉각공정을 최소한 1회 반복함을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 피막형성공정후에, 상기 반응성을 불활성 가스로 치환하는 공정을 포함하는 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 승강공정에서 상기 반응용기내를 50~200/℃분의 승강속도로 가열하고, 또, 상기 냉각공정에서 상기 반응용기내를 30~100℃/분의 강온속도로 냉각하는 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 외부 히이터로서 2규화 몰리브덴을 사용하여 상기 반응용기의 내부를 가열하고, 또, 상기 반응용기의 바깥둘레면에 공기흐름을 접촉시켜서 그 내부를 냉각하도록 한 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 피처리체의 둘레 가장자리부를 열용량이 큰 부재로 지지하고, 이 지지부재를 통해서 상기 피처리체를 가열 및 냉각하는 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 피막형성공정에서 형성되는 피막이 PSG, AsSG, BPSG 피막인 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 피막형성온도가 550~650℃인 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 평탄화공정의 가열온도가 800~1000℃인 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 피막형성공정의 프로세스 압력이 성막시에서 0.5~1.5 Torr인 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 평탄화공정이 감압 혹은 상압하에서 행하여지는 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 피막형성공정, 평탄화공정 및 냉각공정이 완료한 후에 CIF3가스로 상기 반응용기내에 표면을 클리닝하는 열처리 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 불활성 가스가 N2가스인 열처리 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 반응용기내에 상기 유지구를 수납하고, 상기 반응용기와 상기 유지구를 동시에 CIF3가스로 클리닝하는 열처리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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