KR940016951A - AlGaAs/GaAs 메사 이종접합 쌍극자 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
AlGaAs/GaAs 메사 이종접합 쌍극자 트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Hetero-junction Bipolar Transistor)에 관한 것으로, 더 구체적으로 AlGaAs/GaAs 메사(mesa) 이종접합 쌍극자트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, n-AlGaAs에 n+GaAs가 적층된 에미터메사와 n-GaAs에 P+GaAs가 적층된 베이스메사를 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 베이스메사의 표면에 Al 이온의 주입에 의해 형성되는 AlGaAs 보호층(12)을 포함하는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따른 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 구조를 나타낸 도면, 제 3 도의 (A) 내지 (E)는 본 발명의 제조공정 단면도.
Claims (3)
- n-AlGaAs에 n+GaAs가 적층된 에미터메사와 n-GaAs에 P+GaAs가 적층된 베이스메사를 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 상기 베이스메사의 표면에 Al 이온의 주입에 의해 형성되는 AlGaAs 보호층(12)을 포함하는 것을 특징으로 하는 AlGaAs/GaAs 메사 이종접합 쌍극자 트랜지스터.
- 에미터메사와 베이스메사를 갖는 이종접합 쌍극자 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 반절연기판(1)상에 n+GaAs 버퍼층(2), n-GaAs층(3), P+GaAs층(4), n-AlGaAs층(5), n+GaAs층(6) 및 n+InGaAs층(7)을 순차로 형성한 후 내화금속층(8)을 형성하는 단계와, 감광막(9)을 도포한 후 패턴을 형성하고 상기 내화금속층(8), 상기 n+InGaAs층(7), 상기 n+GaAs층(6) 및, 상기 n-AlGaAs층(5)을 차례대로 식각하여 에미터메사를 형성하는 단계와, 이온주입기를 이용하여 상기 P+GaAs층(4)의 표면에 고농도로 Al 이온(10)을 주입한 후 베이스메사 및 소자 격리메사를 형성하는 단계와, 질화막(11)을 증착한 후 열처리하여 AlGaAs 보호층(12)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 AlGaAs/GaAs 메사 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 내화금속층(8)은 WSi인 것을 특징으로 하는 AlGaAs/GaAs 메사 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Publications (2)
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| KR950008254B1 (ko) | 1995-07-26 |
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