KR940010481A - 저주파 발진기 - Google Patents

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KR940010481A
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low frequency
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김동훈
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/023—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of differential amplifiers or comparators, with internal or external positive feedback
    • H03K3/0231—Astable circuits

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  • Pulse Circuits (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 집적회로에 관한 것으로, 특히 듀티(duty)비조절이 용이한 저주파 파형 발진기에 있어서, 정 전류원에 의해 커패시터를 충전하고 방전 제어 신호에 따라 방전하는 충방전 회로, 상기 커패시터의 양단 전압을 기준 전압과 비교하는 비교 회로, 상기 비교 회로의 출력 상태에 따라 트리거되어 방전 제어 신호를 제공하는 단안성 멀티바이브레이터를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
따라서, 상기한 본 발명의 방법에 의하면 PNP트랜지스터로 이루어진 하나의 정전류원에 의하여 충전주기가 결정되고, 단안정 멀티바이브레이터의 RC시정수의 조절을 통해 방전주기가 결정되므로 정 전류원의 특성 변화로 인한 듀티비의 변화가 배제되어 정확한 듀티비를 얻을 수 있다.

Description

저주파 발진기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 저주파 발진기 구성도이고,
제5도는 본 발명에 따른 바람직한 실시예이다.

Claims (6)

  1. 정 전류원에 의해 커패시터를 충전하고 방전 제어 신호에 따라 방전하는 충방전 회로, 상기 커패시터의 양단전압을 기준 전압과 비교하는 비교 회로, 상기 비교 회로의 출력 상태에 따라 트리거되어 방전 제어 신호를 제공하는 단안정 멀티 바이브레이터를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 저주파 발진 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 충방전 회로는 상기 커패시터에 소정의 정전류를 제공하기 위한 전류 밀러형 정전류원과 상기 커패시터의 양단의 저항을 트리거시 접속되고 상기 방전 제어신호에 응답하여 방전 패스를 형성 하는 스위칭 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 저주파 발진 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 비교 회로는 상기 기준 전압을 제공하기 위한 기준 전압 발생 수단과, 상기 기준 전압과 상기 커패시터의 양단 전압을 비교하는 차동 증폭기와, 상기 차동 증폭기의 출력 신호를 반전 증폭하는 출력수단이 구비된 것을 특징으로 하는 저주파 발진 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기준 전압발생 수단은 상기 출력수단의 출력신호에 응답하여 상기 충방전 회로의 충전시에는 제1기준 전압을 제공하고 상기 충방전 회로의 방전 개시점으로 부터 소정 시간동안 상기 제1기준 전압보다 더 레벨이 낮은 제2기준 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 저주파 발진 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 구형파 신호의 펄스 폭은 단안정 멀티바이브레이터의 시정수를 가변하여 조정하는 것을 특징으로 하는 저주파 발진 회로.
  6. 전원과 접지선 사이에 발진 동작이 가능하도록 연결된 반도체회로에 있어서, 차동증폭기의 일단자는 일정한 기준 전위에 고정되고, 다른 단자는 정전류원과 커패시터 사이의 노드에 연결되어서 상기 커패시터의 충방전 상태에 따라 노드 전압의 출력상태가 변화하는 비교 회로와, 상기 비교 회로의 출력을 입력으로 하여 트리거되어 상기 비교 회로에 응답하여 소정 펄스 폭을 가진 구형파를 출력하는 단안정 멀티바이브레이터와, 상기 구형파 신호를 제어 신호로 제공받아 출력단에 연결되면서 방전패스인 방전소자를 구동하는 것을 특징으로하는 저주파 발진 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920018406A 1992-10-07 1992-10-07 저주파 발진기 KR940011020B1 (ko)

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JPH06204808A (ja) 1994-07-22

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