KR940007112A - 페놀계 수지 조성물 - Google Patents

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KR940007112A
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residue
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KR1019930017716A
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English (en)
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다카시마 도모코
이이무로 시게루
기타무라 다카시
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사토 아키오
미쯔이 도아쯔 가가쿠 가부시키가이샤
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    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22C—FOUNDRY MOULDING
    • B22C1/00—Compositions of refractory mould or core materials; Grain structures thereof; Chemical or physical features in the formation or manufacture of moulds
    • B22C1/16—Compositions of refractory mould or core materials; Grain structures thereof; Chemical or physical features in the formation or manufacture of moulds characterised by the use of binding agents; Mixtures of binding agents
    • B22C1/20—Compositions of refractory mould or core materials; Grain structures thereof; Chemical or physical features in the formation or manufacture of moulds characterised by the use of binding agents; Mixtures of binding agents of organic agents
    • B22C1/22—Compositions of refractory mould or core materials; Grain structures thereof; Chemical or physical features in the formation or manufacture of moulds characterised by the use of binding agents; Mixtures of binding agents of organic agents of resins or rosins
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    • B22C1/2246—Condensation polymers of aldehydes and ketones
    • B22C1/2253—Condensation polymers of aldehydes and ketones with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
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Abstract

본 발명은 셀몰드법에 의한 거푸집 제조시의 악취와 매연의 발생량이 적고, 거푸집에 부은 후, 붕괴성이 양호한 페놀계 수지 조성물을 제공하는 것에 관한 것이다. 비스페놀 F의 제조로 수득된 끓는 점이 높은 분획과 비스페놀 A의 정제 잔류물의 분해 잔류물을 혼합하고, 산성 촉매의 존재하에 포름알데히드를 첨가하여 축합 반응시켜 수득된 페놀계 수지 조성물로 구성된다.

Description

페놀계 수지 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 수지 제조예 1에 나타낸 비스페놀 F의 제조로 수득한 끓는점이 높은 분획의 GPC 분석 차트이다,
제2도는 수지 제조에 1에 나타낸 비스페놀 F의 제조로 수득한 끓는 점이 높은 분획의 축합물의 GPC 분석 차트이다,
제3도는 수지 제조예 2에 나타낸 비스페놀 F의 제조로 수득한 끓는점이 높은 분획 축합물의 GPC 분석 차트이다.
제4도는 수지 제조예 3에 나타낸 비스페놀 F의 제조로 수득한 끓는 점이 높은 분획의 축합물의 GPC 분석 차트이다.

Claims (7)

  1. ①비스페놀 A의 정제 잔류물, 비스페놀 A의 정제 잔류물을 분해시켜 수득한 분해 잔류물, 및 상기 정제 잔류물에 포롬알데히드를 첨가하여 반응시켜 수득한 정제 잔류물의 축합물, 상기 분해 잔류물에 포름알데히드를 첨가하여 반응시켜 수득한 분해 잔류물의 축합물중에서 선택되는 하나이상의 페놀계 수지 A, 및 ②비스페놀 F의 제조에서 수득된 끓는 점이 높은 분획 및 상기 끓는점이 높은 분획에 포름알데히드를 첨가하여 반응시켜 수득한 상기 끓는점이 높은 분획의 축합물에서 선택되는 하나이상의 페놀계 수지 B를 필수성분으로 함유하는 것을 특징으로 하는 페놀계 수지 조성물.
  2. 제1항의 상기 페놀계 수지 조성물에 포름알데히드를 첨가하여 축합반응시켜서 수득한 페놀계 수지를 필수성분으로서 함유하는 것을 특징으로 하는 페놀계 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 페놀계 수지 A가 비스페놀 A의 정제 잔류물을 분해시켜 수득한 분해 잔류물이며, 상기 페놀계 수지 B가 비스페놀 F의 제조로 수득된 끓는점이 높은 분획에 포름알데히드를 첨가하여 반응시켜 수득한 상기 끓는점이 높은 분획의 축합물인 것을 특징으로 하는 페놀계 수지 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 상기 페놀계 수지 A가 비스페놀 A의 정제 잔류물을 분해시켜 수득한 분해 잔류물이며, 상기 페놀계 수지 B가 비스페놀 F의 제조로 수득된 끓는점이 높은 분획인 것을 특징으로 하는 페놀계 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 페놀계 수지 B가 비스페 F의 제조로 수득된 끓는점이 높은 분획이며, 이의 조성은 주성분인 3핵체 페놀계 수지가 60-95중량%인 것을 특징으로 하는 페놀계 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 비스페놀 A의 정제 잔류물이 페놀과 아세톤으로 비스페놀 A를 합성하고, 반응액에서 촉매, 미반응 페놀 및 대부분의 비스페놀 A를 제거해서 수득한 끓는점이 높은 분획임을 특징으로 하는 페놀계 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 비스페놀 F의 제조로 수득된 끓는점이 높은 분획이 페놀과 포름알데히드를 몰비(P/F)=6-40으로 반응시키고, 증류에 의한 반응액에서 비스페놀 F를 제거하여 수득된 끓는점이 높은 분획인 것을 특징으로 하는 페놀계 수지 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930017716A 1992-09-04 1993-09-04 페놀계 수지 조성물 KR940007112A (ko)

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