KR940006233A - 반도체 장치의 시험방법 및 시험장치 - Google Patents

반도체 장치의 시험방법 및 시험장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 정전기 현상을 될 수 있는한 재현하기 좋게 모의하고, 시장고장과 상관을 얻을 수 있는 반도체 장치의 시험방법 및 시험장치를 제공하는 것으로, IC 10을 얹혀 고정하는 절연체(20)와, 정전기 방전전하를 발생시키기 위한 고전압원(22), 콘덴서(24) 및 저항(26)과, 금속조각(28)과 방전전극(30)으로 이루어져 있는 간격을 가변할 수 있는 방전갭(32)과, 간격이 고정된 방전갭(34)과, 방전회로에 삽입되는 방전저항(36)과 정전기 방전 전하를 방전회로로 이끄는 스위치(38)을 포함하여 구성된다.
IC 10의 피시험단자(50)에 고전압을 인가할때, 방전갭(32)에 코로나 방전 또는 스파크 방전이 발생하고, 상승이 빠른 급격한 통전이 행해진다.
이에따라 실제의 정전기 방전현상에 가까운 상태가 재현되는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 장치의 시험방법 및 시험장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용되는 한 실시예의 시험장치의 개략구성을 도시한 도면,
제2도는 본 실시예의 시험장치와 종래의 시험장치를 이용한 경우의 방전 파형을 비교한 도면.

Claims (10)

  1. 반도체 장치의 피시험단자를 접지하고, 방전을 발생시키는 방전부를 통해서 상기 피시험단자에 고전압을 인가함에 따라, 상기 반도체 장치의 내 정전기 특성을 평가하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 시험방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방전은 스파크 방전 또는 코로나 방전인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 시험방법.
  3. 어스선을 통해서 접지되는 동시에, 반도체 장치의 피시험 단자에 접촉시키는 시험용 단자와 한쪽단이 상기 시험용 단자에 접속되어 있고, 방전을 발생시키는 소저의 간격을 갖는 방전부와 상기 방전부의 다른쪽단에 접속 되어있고, 방전용의 고전압을 발생하는 전원을 포함하고, 상기 방전부를 통해서 반도체 장치의 피시험단자에 고전압을 인가함에 따라, 상기 반도체 장치의 내정전기 특성을 평가하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 시험장치.
  4. 반도체 장치의 피시험단자에 접속되어, 이 피시험단자를 접지하는 어스용 단자와 상기 피시험단자와의 사이에 소정의 간격으로 이루어진 방전부틀 형성하는 방전전극과 상기 방전 전극에 접속되어 있고, 방전용의 고전압을 발생하는 전원을 포함하고, 상기 방전부를 통해서 반도체 장치의 피시험 단자에 고전압을 인가함에 따라, 상기 반도체 장치의 내정전 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 시험장치.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 방전은 스파크 방전 또는 코로나 방전인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 시험장치.
  6. 제3항 또는 4항에 있어서, 상기 방전부의 간격은 그 간격길이가 변경 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 시험장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 방전부의 간격의 변경을 스테핑 모터에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 시험장치.
  8. 제3항 또는 4항에 있어서, 상기 방전부외에 일정한 간격을 갖는 별도의 방전부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 시험장치.
  9. 제3항 또는 4항에 있어서, 상기 방전용의 고전압을 정전기 전하를 이용하여 발생시키기 위해, 콘덴서를 고전압원 또는 상기 방전부의 어느쪽이 한쪽에 접속하는 스위치를 설치하여, 상기 스위치를 상기 고전압 원측에서 상기 방전부측으로 바꾸는것에 의해, 상기 정전기 방전전하를 상기 방전부에 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 시험장치.
  10. 제3항에 있어서, 상기 시험용 단자는 프로브에 있어서 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 시험장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930009981A 1992-06-03 1993-06-01 반도체 장치의 시험방법 및 시험장치 KR0146380B1 (ko)

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