KR940004775A - 바이폴라 트랜지스터의 소자분리영역 제조방법 - Google Patents

바이폴라 트랜지스터의 소자분리영역 제조방법 Download PDF

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KR940004775A
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Abstract

본 발명은 화학기상증착에 의한 산화막 형성으로 격리막 측면확산(Side Diffusion) 방지에 적당하도록 한 바이폴라 트랜지스터의 소자분리영역 제조방법에 관한 것으로서, 매몰층 및 에피층을 갖는 바이폴라 트랜지스터의 소자분리영역의 제조방법에 있어서, 상기 매몰층의 양측에 상기 에피층을 소정폭으로 에치하여 트랜치를 형성하고, 상기 트랜치 내부에는 산화막을 화학기상증착으로 성장시키고, 상기 산화막에 붕소이온을 주입하여 P+소자 분리영역을 형성한 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 소자분리영역의 제조방법이다.

Description

바이폴라 트랜지스터의 소자분리영역 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 바이폴라 트랜지스터 제조방법.

Claims (3)

  1. 매몰층 및 에피층을 갖는 바이폴라 트랜지스터의 소자분리영역의 제조방법에 있어서, 상기 매몰층의 양측에 상기 에피층을 소정폭으로 에치하여 트랜치를 형성하고, 상기 트랜치 내부에는 산화막을 화학기상증착으로 성장시키고, 상기 산화막에 붕소이온을 주입하여 P+소자분리영역을 형성한 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 소자분리영역의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산화막은 0.8㎛두께로 화학기상증착으로 성장시킨 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 소자분리영역 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 붕소이온주입을 에너지 80keV와 도즈량 7.5E14를 갖는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 소자분리영역 제조방법.
KR1019920014259A 1992-08-08 1992-08-08 바이폴라 트랜지스터의 소자분리영역 제조방법 KR960000701B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101104042B1 (ko) * 2009-09-28 2012-01-06 한국원자력연구원 사용후 핵연료를 이용한 중수로용 핵연료 소결체 제조 방법

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