KR940004716A - 서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리장치 - Google Patents

서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR940004716A
KR940004716A KR1019930015208A KR930015208A KR940004716A KR 940004716 A KR940004716 A KR 940004716A KR 1019930015208 A KR1019930015208 A KR 1019930015208A KR 930015208 A KR930015208 A KR 930015208A KR 940004716 A KR940004716 A KR 940004716A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor wafer
point
heat treatment
heating
outlet
Prior art date
Application number
KR1019930015208A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0177486B1 (ko
Inventor
쇼오지 쭈르타
Original Assignee
후지무라 마사야
미쓰비시마테리알 카부시키가이샤
후루노 토모수케
미쓰비시마테리알실리콘 카부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지무라 마사야, 미쓰비시마테리알 카부시키가이샤, 후루노 토모수케, 미쓰비시마테리알실리콘 카부시키가이샤 filed Critical 후지무라 마사야
Publication of KR940004716A publication Critical patent/KR940004716A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0177486B1 publication Critical patent/KR0177486B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

열처리장치가 로딩부(21), 열처리부(22) 및 출구(23)가 차례대로 일체로 되어 제작되며, 열처리부(22)는 로딩부(21)와 출구(23) 사이에서 실리콘 웨이퍼(W)를 연속적으로 이송하기 위한 이송장치(22a), 실리콘 웨이퍼를 가열하기 위해서 이송장치(22a)를 따라 설치된 가열장치(22b) 및 실리콘 웨이퍼를 냉각하기 위해서 가열부보다는 출구(23)와 더 인접한 곳에서 이송장치(22a)를 따라 설치된 냉각장치(22c)로 구성되어 있으므로, 실리콘 웨이퍼를 작업자의 다른 조작없이 서멀도너를 소멸시키기 위한 열처리를 할 수 있다.

Description

서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의한 열처리장치의 구조를 표시하는 정면도이다,
제6도는 열처리장치애서 실리콘 웨이퍼를 연속적으로 이송하는 이송통로를 표시하는 사시도이다,
제7도는 가열장치를 통과하는 석영관 내에 있는 이동빔을 표시하는 단면도이다.

Claims (7)

  1. 반도체 웨이퍼를 연속적으로 공급하는 로딩부(21), 열처리가 완료된 반도체 웨이퍼를 수용하는 출구(23), 및 상기한 반도체 웨이퍼에 있는 서멀 도너를 소멸시키기 위한 열처리부(22)로 구성되어 있으며, 상기한 열처리부는 상기한 로딩부(21) 및 출구(23)와 연결되어 있으며, 각각의 반도체 웨이퍼를 상기한 로딩부(21)로부터 상기한 출구(23)로 연속해서 일정한 속도로 이송하기 위하여 상기한 로딩부(21)와 상기한 출구(23) 사이에 설치하는 이송장치(22a), 상기한 반도체 웨이퍼를 가열하기 위하여 상기한 이송장치(22a)를 따라 미리 설정된 제1 위치에 설치하는 가열장치(22b/41) 및 반도체 웨이퍼를 냉각시키기 위하여 상기한 이송장치(22a)를 따라 미리 설정된 제1 위치보다는 출구와 더욱 인접한 미리 설정된 제2 위치에 설치하는 냉각장치(22c/42)로 구성되는 것을 특징으로 하는 서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 반도체 웨이퍼가 실리콘으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기한 이송장치(22a)가 반도체 웨이퍼를의 식에 의해 구해지는 속도(V)(이때, Lx(㎜)는 웨이퍼의 이송방향을 따라 일정한 온도를 유지하는 가열영역의 길이, T(℃)는 상기한 가열장치(22b/41)에 의해 가열되는 주변 온도, Tx(μm)는 각 반도체 웨이퍼의 두께, a는 180∼200범위의 상수이다.)에 의해 이송되는 것을 특징으로 하는 서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기한 이송장치(22a)는 상기한 반도체 웨이퍼가 상기한 가열장치(22b)에 의해 가열된 고온의 분위기를 특정의 일정한 속도로 통과하도록 하며, 상기한 특정의 일정한 속도와 상기한 고온의 분위기의 온도는 제1 지점(PTl)과 제2 지점(PT2)에 의해 설정되는 제1 준직선, 제3 지점(PT3)과 제4 지점(PT4)에 의해 설정 제2 준직선 및 제5 지점(PT5)과 제6 지점(PT6)에 의해 설정되는 제3 준직선에 의해 설정되는 제어영역(R3)에 의해 구획되고, 상기한 제1 지점(PTl)은 650℃에서의 5㎜/sec인 점, 제2 지점(PT2)은 695℃에서의 21㎜/sec인 점, 제3 지점(PT3)은 655℃에서의 2.5㎜/sec인 점, 제4 지점(PT4)은 680℃에서의 8㎜/sec인 점, 제5 지점(PT5)은 695℃에서의 13㎜/sec인 점, 제6 지점(PT6)은 710℃에서의 21㎜/sec인 점으로 표시되는 것을 특징으로 하는 서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기한 이송장치(22a)가 상기한 가열장치(22b) 내에서 불활성가스가 채워진 석영관(28)에 의해 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기한 가열장치(22b)는 가열판(29a),(29b)과 온도계(31/(42a)∼(42e))가 각각 연결된 복수의 가열블록((22ba),(22bb),(22bc),(22bd),(22be),(41a)∼(41e))이 있으며, 상기한 냉각장치(22c/42)에는 각 댐퍼제어기(46a∼46e)와 각각의 온도계(42f∼42j)가 연결된 복수의 냉각블록(42a∼42e)이 있는 것을 특징으로 하는 서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기한 이송장치(22a), 상기한 복수의 가열블록((22ba),(22bb),(22bc),(22bd),(22be),(41a)∼(41e)) 및 상기한 복수의 냉각블록(42a∼42e)을 제어하는 제어기(24),(43)를 포함하여 구성되며, 상기한 제어기(24),(43)는 복수의 가열블록((22ba),(22bb),(22bc),(22bd),(22be),(41a)∼(41e))과 복수의 냉각블록(42a∼42e)을 독립적으로 제어하기 위해서, 온도계를 이용하여 상기한 복수의 가열블록((22ba),(22bb),(22bc),(22bd),(22be),(41a)∼(41e))의 온도와 상기한 복수의 냉각블록(42a∼42e)의 온드를 검출하는 것을 특징으로 하는 서멀도너를 소멸시키기 워한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930015208A 1992-08-07 1993-08-05 서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리장치 KR0177486B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23274792 1992-08-07
JP92-232747 1992-08-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940004716A true KR940004716A (ko) 1994-03-15
KR0177486B1 KR0177486B1 (ko) 1999-04-15

Family

ID=16944128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930015208A KR0177486B1 (ko) 1992-08-07 1993-08-05 서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5449883A (ko)
EP (1) EP0582039B1 (ko)
KR (1) KR0177486B1 (ko)
DE (1) DE69311982T2 (ko)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT388784B (de) * 1986-02-14 1989-08-25 Steyr Daimler Puch Ag Wellenkupplung
US6031211A (en) * 1997-07-11 2000-02-29 Concept Systems Design, Inc. Zone heating system with feedback control
US5789722A (en) * 1996-11-12 1998-08-04 Zimac Laboratories, Inc. Modular multizone heater system and method
US6117266A (en) * 1997-12-19 2000-09-12 Interuniversifair Micro-Elektronica Cenirum (Imec Vzw) Furnace for continuous, high throughput diffusion processes from various diffusion sources
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
JP3783366B2 (ja) * 1997-10-09 2006-06-07 松下電器産業株式会社 焼成炉
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6139627A (en) * 1998-09-21 2000-10-31 The University Of Akron Transparent multi-zone crystal growth furnace and method for controlling the same
KR100634642B1 (ko) * 1998-11-20 2006-10-16 스티그 알티피 시스템즈, 인코포레이티드 반도체 웨이퍼의 급속 가열 및 냉각 장치
NL1010836C2 (nl) * 1998-12-17 2000-06-23 O T B Engineering B V Oven voor het vervaardigen van zonnecellen.
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
DE19903798A1 (de) * 1999-02-01 2000-08-10 Angew Solarenergie Ase Gmbh Verfahren und Anordnung zur Wärmebehandlung von flächigen Gegenständen
US6281141B1 (en) 1999-02-08 2001-08-28 Steag Rtp Systems, Inc. Process for forming thin dielectric layers in semiconductor devices
DE19948606A1 (de) 1999-10-08 2001-04-12 Seho Systemtechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Temperieren von Bauteilen, z.B. Halbleiterschaltkreisen und dergl.
JP3450240B2 (ja) * 1999-11-25 2003-09-22 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 ランプアニール装置とランプアニール装置の処理温度制御方法
US7037797B1 (en) 2000-03-17 2006-05-02 Mattson Technology, Inc. Localized heating and cooling of substrates
US6353210B1 (en) * 2000-04-11 2002-03-05 Applied Materials Inc. Correction of wafer temperature drift in a plasma reactor based upon continuous wafer temperature measurements using and in-situ wafer temperature optical probe
US6297480B1 (en) * 2000-12-22 2001-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method and apparatus for preventing contamination in a hot plate oven
US6539645B2 (en) 2001-01-09 2003-04-01 Mark Savarese Drying apparatus and methods
GB2373860B (en) * 2001-03-28 2004-12-15 Reflowtech Internat Ltd Monitoring system
US6705457B2 (en) * 2002-04-01 2004-03-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Transport device and method of transporting to-be-processed elements through a high-temperature zone
WO2004003265A1 (ja) * 2002-07-01 2004-01-08 Sumitomo Titanium Corporation シリコン単結晶材料とその製造方法
WO2004081477A2 (en) * 2003-03-06 2004-09-23 Leco Corporation Analytical furnace with predictive temperature control
US20120085281A1 (en) * 2010-10-07 2012-04-12 Sandvik Thermal Process, Inc. Apparatus with multiple heating systems for in-line thermal treatment of substrates
KR101394156B1 (ko) * 2012-10-15 2014-05-15 한국에너지기술연구원 실리콘 기판 제조장치 및 제조 방법
KR101394158B1 (ko) * 2012-10-15 2014-05-15 한국에너지기술연구원 실리콘 기판 제조장치
JPWO2014174803A1 (ja) * 2013-04-22 2017-02-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ Ｅｌ表示装置の製造方法
DE102015214711A1 (de) * 2015-07-31 2017-02-02 Dürr Systems Ag Behandlungsanlage und Verfahren zum Behandeln von Werkstücken
DE102015214706A1 (de) 2015-07-31 2017-02-02 Dürr Systems Ag Behandlungsanlage und Verfahren zum Behandeln von Werkstücken
US10793969B2 (en) * 2018-06-27 2020-10-06 Globalwafers Co., Ltd. Sample rod growth and resistivity measurement during single crystal silicon ingot production
US10954606B2 (en) 2018-06-27 2021-03-23 Globalwafers Co., Ltd. Methods for modeling the impurity concentration of a single crystal silicon ingot
US10781532B2 (en) * 2018-06-27 2020-09-22 Globalwafers Co., Ltd. Methods for determining the resistivity of a polycrystalline silicon melt
US11047066B2 (en) * 2018-06-27 2021-06-29 Globalwafers Co., Ltd. Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots
US11739437B2 (en) * 2018-12-27 2023-08-29 Globalwafers Co., Ltd. Resistivity stabilization measurement of fat neck slabs for high resistivity and ultra-high resistivity single crystal silicon ingot growth

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4693777A (en) * 1984-11-30 1987-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing semiconductor devices
JPH072523B2 (ja) * 1986-05-01 1995-01-18 三菱マテリアル株式会社 カセツトロ−ダ
JP2501334B2 (ja) * 1987-06-19 1996-05-29 松下電工株式会社 リフロ−炉
US5001327A (en) * 1987-09-11 1991-03-19 Hitachi, Ltd. Apparatus and method for performing heat treatment on semiconductor wafers
US4876437A (en) * 1988-07-14 1989-10-24 Nihon Den-Netsu Keiki Co., Ltd. Soldering apparatus
US5200017A (en) * 1989-02-27 1993-04-06 Hitachi, Ltd. Sample processing method and apparatus
US5060354A (en) * 1990-07-02 1991-10-29 George Chizinsky Heated plate rapid thermal processor

Also Published As

Publication number Publication date
US5449883A (en) 1995-09-12
KR0177486B1 (ko) 1999-04-15
EP0582039B1 (en) 1997-07-09
DE69311982D1 (de) 1997-08-14
EP0582039A1 (en) 1994-02-09
DE69311982T2 (de) 1998-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940004716A (ko) 서멀도너를 소멸시키기 위한 반도체 웨이퍼의 연속 열처리장치
KR100634642B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 급속 가열 및 냉각 장치
KR910001952A (ko) 피처리체의 열처리 방법 및 그 장치
EP0318273A3 (en) Integrated temperature control/alignment system for high performance capillary electrophoretic apparatus
JP2004534379A5 (ko)
KR890015384A (ko) 고체형 재질의 처리방법
ATE231318T1 (de) Wagerechter diffusionsofen mit hoher leistung
ATE158151T1 (de) Einrichtung zum kühlen von fluiden und essbaren schäumen
KR910019112A (ko) 반도체 웨이퍼의 처리방법 및 장치
ATE202012T1 (de) Vorrichtung und verfahren zur cyclischen probenaufbereitung bei verschiedenen temperaturen und verwendung der vorrichtung
DE60238313D1 (de) Schnelles wärmebehandlungssystem für integrierte schaltungen
ES2053128T3 (es) Procedimiento y dispositivo de regulacion termica rapida de una pluralidad de zonas de pared.
FR2626290B1 (fr) Procedes et dispositifs permettant de traiter thermiquement des fils d'acier au carbone de facon a obtenir une structure perlitique fine
KR890011014A (ko) 반도체 웨이퍼의 처리 장치
KR890013712A (ko) 종형 열처리로 및 열처리 방법
NO891654L (no) Fremgangsmaate for foering av en ved forhoeyet temperatur forloepende reaksjon, og anordning for fremstilling av termisk oemfintlige produkter ved forhoeyete temperaturer.
DE69406292D1 (de) Thermostatisches verfahren und gerät
MX9207149A (es) Metodo y aparato para tratar por calor hojas de vidrio.
US6952889B2 (en) Forced convection assisted rapid thermal furnace
JP2610809B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20130006795A (ko) 결정화 장치, 결정화 방법 및 열처리 시스템
DE69107038T2 (de) Vorrichtung und Tiegel zur Abscheidung aus der Gasphase.
TW526580B (en) Semiconductor wafer transmission system combined with temperature control apparatus
SU671918A1 (ru) Устройство дл регулировани теплоотвода от кристаллизующегос непрерывного слитка
JPS6384026A (ja) 半導体基板のベ−キング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121112

Year of fee payment: 15

EXPY Expiration of term