KR940002934A - 리소그라픽 공정을 포함하여 장치를 제조하는방법 - Google Patents

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Abstract

미크론과 서브 미크론의 최소 형태 크기의 장치 형성은 후방 촛점면 필터를 포함하는 리소그라픽 공정에 의하여 성취될 수 있다. 특히 중요한 형성의 접근은 산란 및 비산란된 방사 사이에서 가속된 전자에 의한 구별을 기초로 하는 형상을 생산하는 마스크 패턴에 의존한다. 상기 마스크의 사용은 스캐닝, 정보-함유비임과 일치하는 광축을 유지하기 위하여 대물렌즈의 필드 형태 또는 물리적인 운동에 의한 탈선의 동적인 수정을 제공하는 스캐닝 시스템에 적용하는 값이다.

Description

리소그라픽 공정을 포함하여 장치를 제조하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 비산란된 에너지를 선택적으로 통과하도록 설계된 후방 촛점면 필터의 작동 원리를 도시한 사시도,
제2도는 제1도의 작동원리와 비슷하지만 후방 촛점면 필터가 산란된 에너지를 선택적으로 통과하도록 시스템의 작동원리를 도시하는 사시도,
제3도는 “투명한" 마스크 영역을 통하여 전달된 에너지를 선택적으로 통과하도록 설계된 후방 촛점면 필터의 수용각에 대한 대조와 전달의 세로 양에 관한 것으로, 대조와 전달의 세로 좌표와 각도의 가로 좌표에 관한 그래프,
제4도는 본 발명에 적절하게 사용되는 돌출 시스템의 사시도.

Claims (8)

  1. 윤곽묘사 단계는 필드-한정된 렌즈를 포함하는 렌즈 시스템을 사용하고, 마스크가 상기 패턴화된 방사의 전달을 발생하기 위하여 전자에 의하여 조명되는 상기 제조단계시, 패턴형상을 선택적으로 통과하기 위한 제조하의 장치를 포함하는 몸체상의 패턴형상을 생산하기 위하여 패턴화된 전자방사의 장치를 포함하며, 상기 패턴화된 방사의 전달 경로는 후방 촛점면 또는 상기 렌즈 시스템의 어느정도 동일한 결합면상에 위치한 것으로 한정된 “후방 촛점면필터"를 포함하며, 상기 필터는 2가지 형태의 필터 영역을 포함하며, 이중 제1영역은 제1필터 영역/영역들이 상기 필터의 통과 영역을 한정할수 있도록 제2영역 보다 상기 패턴화된 방사에 더 투명하며, 상기 필터는 마스크에 의하여 부가된 산란의 정도에 의존하는 패턴화된 방사의 한 부분을 불투명한 전달을 하며, 상기 리소그라픽 윤곽묘사 단계 그 자체는 몸체상의 패턴 형상은 다수의 서브-형상으로써 구성될 수 있도록 다수의 윤곽묘사 방법으로서 구성되는 리소그라픽 윤곽묘사 단계를 가지는 한개 이상의 제조단계를 포함하는 장치 제조방법에 있어서, 상기 필드 한정된 렌즈의 헝태는 서로다른 서브-헝상에 대한 광축의 위치를 수정하기 위하여 변화되는 것을 특징으로 하는 장치 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 렌즈의 형상은 자기장에 의하여 결정되고, 형상의 변화는 상기 자기장내의 변화에 상기 자기장내의 변화에 의해 유도되는 것을 특징으로 하는 장치 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 렌즈의 형상은 정전기장에 의하여 결정되고, 형상 변화는 상기 정전기상을 변화시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 시스템 광축은 서로다른 서브-형상으로 변하고 렌즈 형상내의 변화가 시스템의 광축과 일치하는 광축으로 가져가는 것을 특징으로 하는 장치 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 형상은 스티칭(stitching)의 정확도를 실현하기 위하여 서브-형상의 위치를 보정하기 위하여 변화하는 것을 특징으로 하는 장치 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 리소그라픽 윤곽묘사 단계는 마스크와 장치의 상대재위치를 필요로 하는 것을 특징으로 하는 장치 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 리소그라픽 인쇄 묘사는 0.2㎛ 또는 더 작은 법칙을 설계하는 것을 특징으로 하는 장치 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 패턴형상은 전자 감각성의 저항상에서 생산되는 것을 특징으로 하는 장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5130213A (en) * 1989-08-07 1992-07-14 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving lithographic processing
US5382498A (en) * 1992-12-16 1995-01-17 At&T Corp. Processes for electron lithography
JP2500423B2 (ja) * 1993-02-17 1996-05-29 日本電気株式会社 位相シフトマスクの検査方法
US5624774A (en) * 1994-06-16 1997-04-29 Nikon Corporation Method for transferring patterns with charged particle beam
JPH08124833A (ja) * 1994-10-26 1996-05-17 Nikon Corp 荷電粒子線転写用マスク
JPH08124834A (ja) * 1994-10-26 1996-05-17 Nikon Corp 荷電粒子線転写装置
US5773837A (en) * 1994-11-22 1998-06-30 Nikon Corporation Apparatus for image transfer with charged particle beam, and deflector and mask used with such apparatus
US5689117A (en) * 1994-11-22 1997-11-18 Nikon Corporation Apparatus for image transfer with charged particle beam, and deflector and mask used with such apparatus
US5561008A (en) * 1995-01-27 1996-10-01 Lucent Technologies Inc. Process for device fabrication using projection lithography and an apparatus therefor
JP3940824B2 (ja) * 1995-08-14 2007-07-04 株式会社ニコン 荷電粒子線によるパターン転写方法および転写装置
US5663568A (en) * 1995-10-20 1997-09-02 Lucent Technologies Inc. Apparatus for controlling a charged particle beam and a lithographic process in which the apparatus is used
US5866913A (en) * 1995-12-19 1999-02-02 International Business Machines Corporation Proximity correction dose modulation for E-beam projection lithography
US5985493A (en) 1998-04-08 1999-11-16 Lucent Technologies Inc. Membrane mask for projection lithography
US6051346A (en) * 1998-04-29 2000-04-18 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating a lithographic mask
US6232040B1 (en) * 1999-05-06 2001-05-15 Agere Systems, Inc. Method of electron beam exposure utilizing emitter with conductive mesh grid
US6492647B1 (en) * 1999-05-07 2002-12-10 Agere Systems, Inc. Electron guns for lithography tools
US7345290B2 (en) 1999-10-07 2008-03-18 Agere Systems Inc Lens array for electron beam lithography tool
US6333508B1 (en) 1999-10-07 2001-12-25 Lucent Technologies, Inc. Illumination system for electron beam lithography tool
DE10041040A1 (de) * 2000-08-22 2002-03-07 Zeiss Carl Vorrichtung und Verfahren zur Belichtung einer strahlungsempfindlichen Schicht mittels geladener Teilchen sowie Maske hierfür
DE10044199B9 (de) 2000-09-07 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Ablenkanordnung und Projektionssystem für geladene Teilchen
US6528799B1 (en) 2000-10-20 2003-03-04 Lucent Technologies, Inc. Device and method for suppressing space charge induced aberrations in charged-particle projection lithography systems
KR100597014B1 (ko) 2001-01-10 2006-07-06 재단법인서울대학교산학협력재단 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 방법 및 그 구조를갖는 기능성 소자
DE10109965A1 (de) 2001-03-01 2002-09-12 Zeiss Carl Teilchenoptische Linsenanordnung und Verfahren unter Einsatz einer solchen Linsenanordnung
KR100462055B1 (ko) * 2001-04-03 2004-12-17 재단법인서울대학교산학협력재단 물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성 방법 및 장치
DE10117025A1 (de) 2001-04-05 2002-10-10 Zeiss Carl Teilchenoptische Vorrichtung,Beleuchtungsvorrichtung und Projektionssystem sowie Verfahren unter Verwendung derselben
JP3484182B2 (ja) * 2002-09-02 2004-01-06 株式会社東芝 電子ビーム露光での近接効果補正方法
US8933425B1 (en) 2011-11-02 2015-01-13 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for aberration correction in electron beam based system
WO2016149676A1 (en) * 2015-03-18 2016-09-22 Battelle Memorial Institute Electron beam masks for compressive sensors
US10170274B2 (en) 2015-03-18 2019-01-01 Battelle Memorial Institute TEM phase contrast imaging with image plane phase grating
WO2017189212A1 (en) 2016-04-29 2017-11-02 Battelle Memorial Institute Compressive scanning spectroscopy
US10295677B2 (en) 2017-05-08 2019-05-21 Battelle Memorial Institute Systems and methods for data storage and retrieval
CN108780231A (zh) * 2018-05-09 2018-11-09 深圳阜时科技有限公司 图案投射装置、图像获取装置、身份识别装置及电子设备

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL127366C (ko) * 1958-09-19
US3630598A (en) * 1970-01-02 1971-12-28 Xerox Corp Optical demodulation filter
US3687535A (en) * 1970-02-13 1972-08-29 Xerox Corp Optical demodulation system
US4544846A (en) * 1983-06-28 1985-10-01 International Business Machines Corporation Variable axis immersion lens electron beam projection system
US5130213A (en) * 1989-08-07 1992-07-14 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving lithographic processing
US5079112A (en) * 1989-08-07 1992-01-07 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving lithographic processing

Also Published As

Publication number Publication date
EP0587276A1 (en) 1994-03-16
KR100299503B1 (ko) 2001-11-30
CA2094656A1 (en) 1994-01-15
JPH06216011A (ja) 1994-08-05
CA2094656C (en) 1998-08-11
US5258246A (en) 1993-11-02
TW225608B (ko) 1994-06-21

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